| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYD77B,115 | - | ![]() | 4800 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SOD-87 | BYD77 | 눈사태 | 멜프 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 100V | 980mV @ 1A | 25ns | 100V에서 1μA | -65°C ~ 175°C | 850mA | 50pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB45NQ10T,118 | - | ![]() | 5158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PHB45 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9E2R3-40E,127 | - | ![]() | 1962년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | BUK9 | MOSFET(금속) | I2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 120A(Tc) | 5V, 10V | 2.2m옴 @ 25A, 10V | 2.1V @ 1mA | 87.8nC @ 5V | ±10V | 25V에서 13160pF | - | 293W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B7V5135 | - | ![]() | 6405 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN021-100YLX | 1.0000 | ![]() | 2749 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 49A(TC) | 5V, 10V | 21.5m옴 @ 15A, 10V | 2.1V @ 1mA | 65.6nC @ 10V | ±20V | 4640pF @ 25V | - | 147W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT86,113 | 0.0800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BAT86 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM3.3NB2A,115 | - | ![]() | 9326 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±4% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM3.3 | 220mW | SMT3; MPAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 1V에서 5μA | 3.3V | 95옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40/S500215 | - | ![]() | 4227 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C3V9215 | 0.0200 | ![]() | 39 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S19080HSR3 | - | ![]() | 6781 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-780S | MRF7 | 1.99GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935319237128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 750mA | 24W | 18dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN015-110P,127 | - | ![]() | 5936 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PSMN0 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B6V8,135 | - | ![]() | 7620 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX585 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB18NQ10T,118 | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 727 | N채널 | 100V | 18A(TC) | 10V | 90m옴 @ 9A, 10V | 4V @ 1mA | 21nC @ 10V | ±20V | 25V에서 633pF | - | 79W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C51,215 | 1.0000 | ![]() | 8231 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZB84-C51 | 300mW | TO-236AB | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 35.7V | 51V | 180옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU13B1A115 | - | ![]() | 3061 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | 320mW | SOD-323 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | 1.1V @ 100mA | 100nA @ 10V | 13V | 10옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B2V7/DG/B3215 | 0.0200 | ![]() | 69 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G10LS-135RN112 | 76.1800 | ![]() | 92 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B62,215 | 0.0200 | ![]() | 9027 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX84 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF1101R,215 | - | ![]() | 9420 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 7V | 표면 실장 | SOT-143R | BF110 | 800MHz | MOSFET | SOT-143R | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 듀얼 모듈 | 30mA | 12mA | - | - | 1.7dB | 5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF19125R5 | - | ![]() | 6238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | NI-880 | MRF19 | 1.93GHz | LDMOS | NI-880 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 1.3A | 24W | 13.5dB | - | 26V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5449,518 | - | ![]() | 2421 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | ON5449 | - | - | - | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935288031518 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S15100HSR3 | - | ![]() | 5839 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-780S | MRF7 | 1.51GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935317045128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 600mA | 23W | 19.5dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C7V5/DG/B3215 | 0.0200 | ![]() | 1612 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B6V8/ZLX | - | ![]() | 6055 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300mW | SOD-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934068949115 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 2μA @ 4V | 6.8V | 15옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144WMB,315 | 0.0300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | PDTC144 | 250mW | DFN1006B-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 60 @ 5mA, 5V | 230MHz | 47kΩ | 22kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN4R3-100ES,127 | - | ![]() | 2460 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK | - | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 100V | 120A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.3m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 170nC @ 10V | ±20V | 50V에서 9900pF | - | 338W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFG35003ANR5 | - | ![]() | 8033 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 15V | 표면 실장 | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | pHEMT FET | PLD-1.5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 55mA | 3W | 10.8dB | - | 12V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MW6S004NT1 | 15.1400 | ![]() | 2137 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 68V | 표면 실장 | PLD-1.5 | MW6S004 | 1.96GHz | LDMOS | PLD-1.5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 50mA | 4W | 18dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5275,135 | - | ![]() | 2230 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | ON5275 | - | - | SC-73 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934058851135 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1108/L,215 | - | ![]() | 7749 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 3V | 표면 실장 | TO-253-4, TO-253AA | BF110 | - | MOSFET | SOT-143B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934061588215 | EAR99 | 8541.29.0075 | 3,000 | N채널 | 10mA | - | - | - |

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