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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 전압 - 테스트 | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PBSS5330PA, 115 | - |  | 4438 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBSS5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7215-55A, 118 | 0.3500 | | 7108 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | n 채널 | 55 v | 55A (TC) | 10V | 15mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 2107 pf @ 25 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||
 | PSMN009-100B, 118 | - | | 9962 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PSMN0 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-B20,115 | 0.0200 | | 43 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZV55 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C7V5,115 | 0.0200 | | 277 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZV55 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143ZQA147 | 0.0300 | | 133 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7K32-100EX | - | | 4467 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | BUK7K32 | MOSFET (금속 (() | 64W | LFPAK56D | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 100V | 29a | 27.5mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 34NC @ 10V | 2137pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||||||
| MRFX1K80HR5178 | 1.0000 | | 9392 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZU24B, 115 | - | | 3193 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PZU24 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B18,133 | 0.0200 | | 64 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 400MW | ALF2 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 12.6 v | 18 v | 45 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | NZH18C, 115 | 0.0300 | | 61 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | NZH1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7Y59-60E, 115 | 1.0000 | | 5178 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU16B2,115 | 0.0400 | | 184 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PZU16 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMPB48EP, 115 | 1.0000 | | 6349 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-xfdfn 노출 패드 | MOSFET (금속 (() | DFN1010B-6 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 30 v | 4.7A (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 4.7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 15 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C22,113 | 0.0400 | | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZV85 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B36,215 | 0.0200 | | 204 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 50 na @ 25.2 v | 36 v | 90 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-B5V6315 | 1.0000 | | 4941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B7V5,215 | 0.0200 | | 39 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX84 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C22,315 | 0.0300 | | 37 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX884 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZU13B3,115 | - | | 8242 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PZU13 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMZ250UN, 315 | 0.1900 | | 83 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMZ25 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMH9,115 | - | | 3479 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | pumh9 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN015-100YLX | - | | 8388 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 100 v | 69A (TC) | 5V, 10V | 14.7mohm @ 20a, 10V | 2.1v @ 1ma | 86.3 NC @ 10 v | ± 20V | 6139 pf @ 25 v | - | 195W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BZT52-B5V6X | - | | 2480 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 1.96% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 590 MW | SOD-123 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 2 v | 5.6 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C7V5,113 | 0.0200 | | 458 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX79 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF578XR, 112 | 384.5800 | | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 110 v | 섀시 섀시 | SOT-539A | 225MHz | LDMOS | SOT539A | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 이중, 소스 일반적인 | - | 40 MA | 1400W | 23.5dB | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||
 | BCV62,235 | 0.0800 | | 38 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 30V | 현재 현재 | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BCV62 | SOT-143B | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 100ma | 2 pnp (() 현재 미러 미러 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK961R6-40E, 118 | - | | 9661 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 5V | 1.4mohm @ 25a, 10V | 2.1v @ 1ma | 120 nc @ 5 v | ± 10V | 16400 pf @ 25 v | - | 357W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| BC817-25,235 | - | | 3935 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BC817 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B22,133 | 0.0200 | | 89 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX79 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 |
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