| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 최대 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 대책악 | 전압 - 꺼진 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 저항 @ If, F | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 냄비에 | 냄비를 조건으로 | Q@VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BB131 | 0.1400 | ![]() | 547 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | SOD-323 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 요청 시 REACH 정보 제공 | 2832-BB131 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.055pF @ 28V, 1MHz | 하나의 | 30V | 16 | C0.5/C28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B6V8,135 | - | ![]() | 7620 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX585 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B2V7/DG/B3215 | 0.0200 | ![]() | 69 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B68145 | 0.0200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX384 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC638,126 | - | ![]() | 8083 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC63 | 830mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN8R040PS127 | - | ![]() | 9657 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N채널 | 40V | 77A(타) | 7.6m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 21nC @ 10V | ±20V | 1262pF @ 12V | - | 86W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54S,235 | 0.0200 | ![]() | 6647 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | 쇼트키 | SOT-23 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0070 | 7,900 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍 직렬 연결 | 30V | 200mA(DC) | 800mV @ 100mA | 5ns | 25V에서 2μA | 150°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP63-05W,115 | - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | SC-70, SOT-323 | BAP63 | SC-70 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100mA | 240mW | 0.35pF @ 20V, 1MHz | PIN - 1쌍 직후 | 50V | 1.5옴 @ 100mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54C/6235 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BAT54 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | 쇼트키 | SOT-23-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 30V | 200mA(DC) | 800mV @ 100mA | 5ns | 25V에서 2μA | 150°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM3.9NB,115 | - | ![]() | 9779 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM3.9 | 300mW | SMT3; MPAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 3μA @ 1V | 3.9V | 90옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B5V6,135 | 0.0200 | ![]() | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZV55 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S19120HR3 | - | ![]() | 8593 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 68V | 방역 | SOT-957A | MRF6 | 1.99GHz | LDMOS | NI-780H-2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1A | 19W | 15dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2005ESF315 | 0.0400 | ![]() | 459 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,435 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB189,115 | - | ![]() | 5835 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | BB18 | SOD-523 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 2.18pF @ 25V, 1MHz | 하나의 | 32V | 6.3 | C2/C25 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y20-30B115 | 1.0000 | ![]() | 7818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK752R3-40C,127 | - | ![]() | 1858년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUK75 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 100A(Tc) | 10V | 2.3m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 175nC @ 10V | ±20V | 25V에서 11323pF | - | 333W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C12,235 | - | ![]() | 9371 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX84 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHU97NQ03LT,127 | - | ![]() | 8021 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | PHU97 | MOSFET(금속) | 아이팩 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 25V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 6.6m옴 @ 25A, 10V | 2.15V @ 1mA | 11.7nC @ 4.5V | ±20V | 12V에서 1570pF | - | 107W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C3V9,235 | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | SOT-23 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 3μA @ 1V | 3.9V | 90옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS305NZ,135 | - | ![]() | 4669 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBSS3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU6.2B2L/NO315 | 0.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLC8G24LS-240AVU | - | ![]() | 4646 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 65V | 방역 | SOT-1252-1 | BLC8 | 2.3GHz ~ 2.4GHz | LDMOS | SOT1252-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934067995112 | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | 2개 | - | 800mA | 63W | 15dB | - | 30V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMX1,115 | - | ![]() | 5735 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PUMX1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDZ7V5J115 | - | ![]() | 8458 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TDZxJ | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-90, SOD-323F | TDZ7V5 | 500mW | SOD-323F | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V @ 100mA | 5V에서 1μA | 7.5V | 10옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT136S-800F,118 | - | ![]() | 6941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 125°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | DPAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 하나의 | 15mA | 기준 | 800V | 4A | 1.5V | 25A, 27A | 25mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6V2300NBR1 | - | ![]() | 1329 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 110V | 방역 | TO-272BB | MRF6 | 220MHz | LDMOS | TO-272 WB-4 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 900mA | 300W | 25.5dB | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF24300NR3 | - | ![]() | 4591 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | OM-780-2 | MRF24 | 2.45GHz | LDMOS | OM-780-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 100mA | 330W | 13.1dB | - | 32V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP51-05W,115 | - | ![]() | 3607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | SC-70, SOT-323 | BAP51 | SC-70 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50mA | 240mW | 0.35pF @ 5V, 1MHz | PIN - 1쌍 직렬 연결 | 50V | 2.5옴 @ 10mA, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK958R5-40E,127 | - | ![]() | 3037 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUK95 | MOSFET(금속) | TO-220AB | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 75A(Tc) | 5V, 10V | 6.6m옴 @ 20A, 10V | 2.1V @ 1mA | 20.9nC @ 5V | ±10V | 25V에서 2600pF | - | 96W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1008GHR5 | 271.0700 | ![]() | 7256 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | 100V | 방역 | NI-780GH-2L | MMRF1008 | 900MHz ~ 1.215GHz | LDMOS | NI-780GH-2L | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935320879178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 100μA | 100mA | 275W | 20.3dB | - | 50V |

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