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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 - 최대	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	노이즈 노이즈	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압 - 테스트	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	저항 @ if, f	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BCM847DS, 115	-	RFQ	8047	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BCM84					-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000
BZX84-C12/LF1R	-	RFQ	3606	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-C12			250 MW	SOT-23 (TO-236AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934069418215	귀 99	8541.10.0050	3,000																					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v										12 v	25 옴
MRFE6VP8600HR5	298.1700	RFQ	28	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		130 v		섀시 섀시	NI-1230	mrfe6	860MHz	LDMOS		NI-1230	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		5A991G	8541.29.0075	50	이중			-		1.4 a	125W	19.3db											-										50 v
PZM12NB2A, 115	-	RFQ	3895	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%		-	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PZM12			220 MW	smt3; mpak	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																					1.1 v @ 100 ma		100 na @ 9 v										12 v	10 옴
AFT09MS031GNR1	19.3600	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		40 v		표면 표면	TO-270BA	AFT09	870MHz	LDMOS		TO-270-2 -2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500				-		500 MA	31W	17.2db											-										13.6 v
BFU550XVL	0.1553	RFQ	8873	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BFU550			450MW	SOT-143B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934067708235	귀 99	8541.21.0075	10,000								15.5dB																			12V	50ma								NPN		60 @ 15ma, 8v	11GHz			1.3dB @ 1.8GHz
BUK962R6-40E, 118	1.2200	RFQ	640	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	대부분	활동적인			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()		D2PAK	다운로드					귀 99	8541.29.0095	246			n 채널						40 v	100A (TC)	5V, 10V	2.4mohm @ 25a, 10V	2.1V @ 250µA	80.6 NC @ 32 v	± 10V	10285 pf @ 25 v	-	263W (TC)
BC846BW/DG/B2135	0.0200	RFQ	480	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323				200 MW	SOT-323	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	10,000																											65 v	100 MA				15NA (ICBO)				NPN	400mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
MRF7S18125BHR3	-	RFQ	6660	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		65 v		섀시 섀시	SOT-957A	MRF7	1.93GHz	LDMOS		NI-780H-2L	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	250				-		1.1 a	125W	16.5dB											-										28 v
BF550/DG/B2215	1.0000	RFQ	9997	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	3,000
BY329X-1500, 127	-	RFQ	4521	NXP USA Inc.	-	튜브	쓸모없는				구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	by32		기준		TO-220FP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																		1500 v	1.6 V @ 6.5 a	160 ns	250 µa @ 1300 v	150 ° C (°)	6A	-
BZX585-B4V7,135	0.0300	RFQ	3410	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-79, SOD-523				300MW	SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1,518																					1.1 v @ 100 ma		3 µa @ 2 v										4.7 v	80 옴
MRF5S9070MR1	-	RFQ	4494	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		68 v			TO-270-2	MRF5	880MHz	LDMOS		TO-270-2	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	500				-		600 MA	14W	17.8dB											-										26 v
phk28nq03lt, 518	-	RFQ	7273	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	phk28		MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널						30 v	23.7A (TC)	4.5V, 10V	6.5mohm @ 14a, 10V	2V @ 1mA	30.3 NC @ 4.5 v	± 20V	2800 pf @ 20 v	-	6.25W (TC)
PDTA144EK, 135	-	RFQ	2475	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA144			250 MW	smt3; mpak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000																											50 v	100 MA				1µA				pnp- 사전-	150mv @ 500µa, 10ma	80 @ 5ma, 5V		47 Kohms	47 Kohms
MRF8P8300HSR5	-	RFQ	5713	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		70 v		섀시 섀시	NI-1230S	MRF8	820mhz	LDMOS		NI-1230S	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	50	이중			-		2 a	96W	20.9dB											-										28 v
BZX284-B16,115	-	RFQ	6021	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-110	BZX284			400MW	SOD-110	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																					1.1 v @ 100 ma		50 NA @ 11.2 v										16 v	20 옴
BFU520R	0.4900	RFQ	93	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BFU520			450MW	SOT-143B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000								20dB																			12V	30ma								NPN		60 @ 5MA, 8V	10.5GHz			0.65dB @ 900MHz
PHU108NQ03LT, 127	-	RFQ	2664	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	튜브	쓸모없는			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	PHU10		MOSFET (금속 (()		i-pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75			n 채널						25 v	75A (TC)	5V, 10V	6MOHM @ 25A, 10V	2V @ 1mA	16.3 NC @ 4.5 v	± 20V	1375 pf @ 12 v	-	187W (TC)
MRF7S27130HSR5	-	RFQ	1156	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		65 v		섀시 섀시	NI-780S	MRF7	2.7GHz	LDMOS		NI-780S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	50				-		1.5 a	23W	16.5dB											-										28 v
phd82nq03lt, 118	-	RFQ	5515	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	PhD82		MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널						30 v	75A (TC)	5V, 10V	8mohm @ 25a, 10V	2.5V @ 1mA	16.7 NC @ 5 v	± 20V	1620 pf @ 25 v	-	136W (TC)
BAP65-02,115	0.4200	RFQ	21	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		SC-79, SOD-523	BAP65				SOD-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000					100 MA													715 MW								0.375pf @ 20V, 1MHz				핀 - 단일	30V				350mohm @ 100ma, 100MHz
BZB84-B5V6215	-	RFQ	3555	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드					귀 99	8541.10.0050	1
MRF1535nt1	-	RFQ	3368	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		40 v		섀시 섀시	TO-272AA	MRF15	520MHz	LDMOS		TO-272-6	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	500				6A		500 MA	35W	13.5dB											-										12.5 v
BF909AR, 215	-	RFQ	4799	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		7 v		표면 표면	SOT-143R	BF909	800MHz	mesfet		SOT-143R	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	이중 이중			40ma			-	-											2db
MRF21085LSR3	-	RFQ	1500	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		65 v			NI-780S	MRF21	2.11GHz ~ 2.17GHz	LDMOS		NI-780S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	250				-		1 a	19W	13.6dB											-										28 v
MRF6V14300HSR3	-	RFQ	3008	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		100 v		섀시 섀시	NI-780S	MRF6	1.4GHz	LDMOS		NI-780S	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	250				-		150 MA	330W	18db											-										50 v
BAP50-04,215	-	RFQ	1672	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAP50				SOT-23 (TO-236AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000					50 MA													250 MW								0.5pf @ 5V, 1MHz				핀 -1 쌍 1 연결	50V				5ohm @ 10ma, 100MHz
phd45n03lta, 118	-	RFQ	4131	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	PhD45		MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널						25 v	40A (TC)	3.5V, 10V	21mohm @ 25a, 10V	2V @ 1mA	19 NC @ 5 v	± 20V	700 pf @ 25 v	-	65W (TC)
MRF5S9101NBR1	-	RFQ	7547	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		68 v		섀시 섀시	TO-272BB	MRF5	960MHz	LDMOS		TO-272 WB-4	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	500				-		700 MA	100W	17.5dB											-										26 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²