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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 노이즈 노이즈 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 전류 전류 (ID) - 최대 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
PMBF4393,215 NXP USA Inc. PMBF4393,215 -
RFQ
ECAD 9788 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBF4 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 14pf @ 20V 40 v 5 ma @ 20 v 500 MV @ 1 NA 100 옴
PMBFJ113,215 NXP USA Inc. PMBFJ113,215 -
RFQ
ECAD 4152 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmbfj1 300MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 6pf @ 10v (VGS) 40 v 2 ma @ 15 v 3 V @ 1 µA 100 옴
PMBFJ175,215 NXP USA Inc. PMBFJ175,215 -
RFQ
ECAD 1597 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmbfj1 300MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 8pf @ 10V (VGS) 30 v 7 ma @ 15 v 3 V @ 10 NA 125 옴
PZM6.8NB1,115 NXP USA Inc. PZM6.8NB1,115 -
RFQ
ECAD 9604 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM6.8 300MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 3.5 v 6.8 v 15 옴
MRF6S21100MBR1 NXP USA Inc. MRF6S21100MBR1 -
RFQ
ECAD 5121 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 68 v TO-272-4 MRF6 2.11GHz ~ 2.16GHz LDMOS TO-272 WB-4 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 1.05 a 23W 14.5dB - 28 v
BB148,135 NXP USA Inc. BB148,135 -
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ECAD 4659 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BB14 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 2.75pf @ 28V, 1MHz 하나의 30 v 15 C1/C28 -
BB149,115 NXP USA Inc. BB149,115 -
RFQ
ECAD 5373 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BB14 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 2.25pf @ 28V, 1MHz 하나의 30 v 10 C1/C28 -
BF245B,112 NXP USA Inc. BF245B, 112 -
RFQ
ECAD 7573 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 30 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BF245 100MHz JFET To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 15MA - - 1.5dB 15 v
BF510,215 NXP USA Inc. BF510,215 -
RFQ
ECAD 6610 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 20 v 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BF510 100MHz JFET SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30ma 5 MA - - 1.5dB 10 v
BF556A,215 NXP USA Inc. BF556A, 215 -
RFQ
ECAD 2188 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 30 v 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BF556 - JFET SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 7ma - - -
BSN254A,126 NXP USA Inc. BSN254A, 126 -
RFQ
ECAD 2855 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BSN2 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 310MA (TA) 2.4V, 10V 5ohm @ 300ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 120 pf @ 25 v - 1W (TA)
BSR57,215 NXP USA Inc. BSR57,215 -
RFQ
ECAD 6748 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSR5 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v - 40 v 20 ma @ 15 v 5 V @ 0.5 NA 40
PSMN003-30B,118 NXP USA Inc. PSMN003-30B, 118 -
RFQ
ECAD 5483 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN0 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 75A (TC) 5V, 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 3V @ 1mA 170 nc @ 10 v ± 20V 9200 pf @ 25 v - 230W (TC)
BZX284-C7V5,115 NXP USA Inc. BZX284-C7V5,115 -
RFQ
ECAD 4800 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 1 µa @ 5 v 7.5 v 10 옴
BFR30,215 NXP USA Inc. BFR30,215 -
RFQ
ECAD 7516 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFR30 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25 v 4pf @ 10V 4 ma @ 10 v 5 V @ 0.5 NA 10 MA
PMBFJ177,215 NXP USA Inc. PMBFJ177,215 -
RFQ
ECAD 9710 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmbfj1 300MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 8pf @ 10V (VGS) 30 v 1.5 ma @ 15 v 800 mv @ 10 na 300 옴
BUK7616-55A,118 NXP USA Inc. BUK7616-55A, 118 -
RFQ
ECAD 7979 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 65.7A (TC) 10V 16mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 2245 pf @ 25 v - 138W (TC)
BZX284-B39,115 NXP USA Inc. BZX284-B39,115 -
RFQ
ECAD 1406 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 27.3 v 39 v 75 옴
BZX79-B2V4,133 NXP USA Inc. BZX79-B2V4,133 0.0200
RFQ
ECAD 95 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 400MW ALF2 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
BC846BW/DG/B2115 NXP USA Inc. BC846BW/DG/B2115 0.0200
RFQ
ECAD 337 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BC68-25PAS115 NXP USA Inc. BC68-25PAS115 -
RFQ
ECAD 5817 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
MRFE6P3300HR3,128 NXP USA Inc. MRFE6P3300HR3,128 -
RFQ
ECAD 9275 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
BUK9606-55A,118 NXP USA Inc. BUK9606-55A, 118 1.3900
RFQ
ECAD 550 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 buk96 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800
BZX84-C24,215 NXP USA Inc. BZX84-C24,215 -
RFQ
ECAD 3693 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX84 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
PBSS5630PA,115 NXP USA Inc. PBSS5630PA, 115 -
RFQ
ECAD 9051 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBSS5 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
BTA208-600D,127 NXP USA Inc. BTA208-600D, 127 0.4000
RFQ
ECAD 333 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220AB 다운로드 귀 99 8541.30.0080 760 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 8 a 1.5 v 65a, 72a 5 MA
BTA208-600F,127 NXP USA Inc. BTA208-600F, 127 0.3700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BTA20 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000
BYC10X-600P127 NXP USA Inc. BYC10X-600P127 -
RFQ
ECAD 9032 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1
PZU6.2B3115 NXP USA Inc. PZU6.2B3115 0.0300
RFQ
ECAD 52 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
PDTA144VT,215 NXP USA Inc. PDTA144VT, 215 -
RFQ
ECAD 4808 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA14 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고