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디스크리트 반도체(6133)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 테스트	다이오드	전압 - 역방향(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	냄비에	냄비를 조건으로	Q@VR, F
BZX384-C7V5,115	0.0200	보상요청	5480	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZX384					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000
ON5239,135	-	보상요청	2729	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				표면 실장	TO-261-4, TO-261AA	ON52	-	-		SC-73	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934056911135	EAR99	8541.29.0095	4,000	-			-		-	-											-
BZX84-C10,235	-	보상요청	2160	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZX84					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	10,000
MRF18085BLR3	-	보상요청	2443	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		65V			NI-780	MRF18	1.93GHz ~ 1.99GHz	LDMOS		NI-780	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	250				-	800mA	90W	12.5dB											-								26V
BZX84J-B39115	-	보상요청	9031	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드					EAR99	8541.10.0050	1
J3E082EUA/S0BE503V	-	보상요청	3758	NXP USA Inc.	*	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우						J3E0					-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	2,500
MMRF5016HSR5	-	보상요청	7750	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		48V		표면 실장	NI-400S-2S	MMRF5	1.8GHz ~ 2.2GHz	HEMT		NI-400S-2S	-		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935331343528	더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	250				-		32W	-											-
BZV85-C56,133	0.0300	보상요청	52	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향				1.3W	DO-41	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1																				1V @ 50mA		50nA @ 39V							56V	150옴
MRF21045LSR3	-	보상요청	7349	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		방역	NI-400S	MRF21	2.17GHz	LDMOS		NI-400S	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		5A991G	8542.31.0001	250				-	500mA	10W	15dB											-								28V
PMN22XN,115	-	보상요청	6116	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-74, SOT-457	PMN2		MOSFET(금속)		SC-74	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000			N채널					30V	5.7A(타)	2.5V, 4.5V	27m옴 @ 5.7A, 4.5V	250μA에서 1.5V	10nC @ 4.5V	±12V	585pF @ 15V	-	545mW(Ta), 6.25W(Tc)
MRF5S21130HSR5	-	보상요청	8762	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		표면 실장	NI-880S	MRF5	2.11GHz ~ 2.17GHz	LDMOS		NI-880S	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		5A991G	8541.29.0075	50				-	1.2A	28W	13.5dB											-								28V
PDTC143EU,115	-	보상요청	4960	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PDTC14					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000
MMRF1024HSR5	-	보상요청	3737	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		방역	NI-1230-4LS2L	MMRF1024	2.5GHz	LDMOS		NI-1230-4LS2L	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935316174178	EAR99	8541.29.0075	50	2개			-	700mA	50W	14.1dB											-								28V
BZB784-C10,115	0.0300	보상요청	2051년	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±5%		-	표면 실장	SC-70, SOT-323				180mW	SOT-323	다운로드					EAR99	8541.10.0050	9,453	1쌍 구역																			900mV @ 10mA		200nA @ 7V							10V	20옴
BZX84-A2V7,215	0.1100	보상요청	4	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZX84					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000
BZV55-B43,115	-	보상요청	8000	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZV55					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	2,500
NZX3V0B,133	0.0200	보상요청	45	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±3%		-55°C ~ 175°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				500mW	ALF2	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1																				1.5V @ 200mA		10μA @ 1V							3V	100옴
BZX585-C30,115	-	보상요청	6492	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZX585					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000
BUK961R7-40E,118	-	보상요청	7882	NXP USA Inc.	트렌치모스™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	BUK96		MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800			N채널					40V	120A(Tc)	5V, 10V	1.5m옴 @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	105.4nC @ 5V	±10V	25V에서 15010pF	-	324W(Tc)
BAT854W,115	0.0300	보상요청	4422	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BAT85					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	3,000
BF904AWR,115	-	보상요청	4937	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		7V		표면 실장	SC-82A, SOT-343	BF904	200MHz	MOSFET		CMPAK-4	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000	N채널 듀얼 모듈			30mA	10mA	-	-											1dB								5V
BUK7508-55A,127	-	보상요청	6763	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	튜브	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3			MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	1			N채널					55V	75A(타)		8m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	76nC @ 0V	±20V	25V에서 4352pF	-	254W(타)
PMF63UN,115	-	보상요청	8604	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	PMF63		MOSFET(금속)		SC-70	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000			N채널					20V	1.8A(타)	1.8V, 4.5V	74m옴 @ 1.8A, 4.5V	1V @ 250μA	3.3nC @ 4.5V	±8V	10V에서 185pF	-	275mW(Ta), 1.785W(Tc)
PHD16N03LT,118	-	보상요청	5240	NXP USA Inc.	트렌치모스™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	PHD16		MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널					30V	16A(티씨)	4.5V, 10V	67m옴 @ 16A, 10V	2V @ 1mA	8.5nC @ 10V	±15V	30V에서 210pF	-	32.6W(Tc)
BSN304,126	-	보상요청	9918	NXP USA Inc.	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	BSN3		MOSFET(금속)		TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,000			N채널					300V	300mA(타)	2.4V, 10V	6옴 @ 250mA, 10V	2V @ 1mA		±20V	25V에서 120pF	-	1W(타)
1N4746A,133	0.0400	보상요청	127	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향				1W	DO-41	다운로드					EAR99	8541.10.0050	7,969																				1.2V @ 200mA		13.7V에서 5μA							18V	20옴
BZT52-C9V1115	-	보상요청	8128	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZT52					다운로드					EAR99	8541.10.0050	1
BAW62,143	-	보상요청	5667	NXP USA Inc.	-	테이프 및 박스(TB)	활동적인				스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향	BAW62		기준		ALF2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	5,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																	75V	1V @ 100mA	4ns	75V에서 5μA	200°C(최대)	250mA	2pF @ 0V, 1MHz
BUK6C2R1-55C,118-NX	-	보상요청	1965년	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭)			MOSFET(금속)		D2PAK-7	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	1			N채널					55V	228A(TC)	10V	2.3m옴 @ 90A, 10V	2.8V @ 1mA	253nC @ 10V	±16V	16000pF @ 25V	-	300W(Tc)
BB187LX,315	-	보상요청	4502	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	SOD-882	BB18				SOD2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	10,000																									2.92pF @ 25V, 1MHz		하나의	32V			11	C2/C25	-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²