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불연속 불연속 제품 (6133)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 -홀드 (ih) (최대)	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	노이즈 노이즈	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압 - 테스트	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)	커패시턴스 커패시턴스	커패시턴스 커패시턴스 조건
BY329-1500S, 127	-	RFQ	2354	NXP USA Inc.	-	튜브	쓸모없는				구멍을 구멍을	TO-220-2	by32		기준		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																									1500 v		1.6 V @ 6.5 a	160 ns	250 µa @ 1300 v	150 ° C (°)	6A	-
PZU5.6BL315	-	RFQ	3584	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	± 5%		-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-882				250 MW	DFN1006-2	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는				1																													1.1 v @ 100 ma		1 µa @ 2.5 v										5.6 v	40
BUK6C2R1-55C, 118-NX	-	RFQ	1965	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	대부분	활동적인			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)			MOSFET (금속 (()		D2PAK-7	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	0000.00.0000	1			n 채널						55 v	228A (TC)	10V	2.3MOHM @ 90A, 10V	2.8V @ 1MA	253 NC @ 10 v	± 16V	16000 pf @ 25 v	-	300W (TC)
BAS16/DG/B4215	0.0200	RFQ	5090	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BAS16					다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0070	5,800
PUMD48,125	-	RFQ	3841	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PUMD48					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000
PMEM4020APD, 115	-	RFQ	8123	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457	pmem4			500MW	SC-74	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																																			40 v	750 MA				100NA			pnp + 다이오드 (분리)	530mv @ 200ma, 2a	250 @ 500ma, 5V	150MHz
MRF6VP21KHR5	883.3100	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		110 v		섀시 섀시	NI-1230	MRF6	225MHz	LDMOS		NI-1230	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	50	이중			-		150 MA	1000W	24dB																	-												50 v
BFG325/XR, 215	-	RFQ	2389	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			175 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-143R	BFG32			210MW	SOT-143R	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000								18.3db																											6V	35MA							NPN		60 @ 15ma, 3v	14GHz			1.1db @ 2GHz
PZM24NB, 115	-	RFQ	7292	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PZM24			300MW	smt3; mpak	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																													1.1 v @ 100 ma		70 na @ 19 v										24 v	30 옴
2PA1015Y, 126	-	RFQ	1960	NXP USA Inc.	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는			150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	2PA10			500MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000																																			50 v	150 MA				100NA (ICBO)			PNP	300mv @ 10ma, 100ma	120 @ 2MA, 6V	80MHz
on5223,118	-	RFQ	6876	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB	on52	-	-		D2PAK	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934056465118	귀 99	8541.29.0095	800	-			-			-	-																	-
2N7000,126	-	RFQ	8714	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	테이프 & t (TB)	쓸모없는			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	2N70		MOSFET (금속 (()		To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000			n 채널						60 v	300MA (TC)	4.5V, 10V	5ohm @ 500ma, 10V	2V @ 1mA		± 30V	40 pf @ 10 v	-	830MW (TA)
BAS40-05/ZLR	-	RFQ	6248	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40		Schottky		SOT-23 (TO-236AB)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																								1 음극 음극 공통	40 v	120MA (DC)	1 v @ 40 ma		10 µa @ 40 v	150 ° C (°)
PBSS9110D/S911115	0.0800	RFQ	51	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	3,000
1N4148,113	-	RFQ	2136	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다				구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4148		기준		ALF2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																									100 v		1 V @ 10 ma	4 ns	25 na @ 20 v	200 ° C (()	200ma	4pf @ 0V, 1MHz
2PB710ASL/ZLR	-	RFQ	6880	NXP USA Inc.	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는						2pb71					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000
PMV170UN, 215	-	RFQ	9261	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PMV1		MOSFET (금속 (()		SOT-23 (TO-236AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널						20 v	1A (TA)	1.8V, 4.5V	165mohm @ 1a, 4.5v	1V @ 250µA	1.65 nc @ 4.5 v	± 8V	83 pf @ 10 v	-	325MW (TA), 1.14W (TC)
PHPT60610NY115	0.2200	RFQ	38	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0075	1,343
BUK9Y12-55B, 115	-	RFQ	8017	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™	대부분	활동적인			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SC-100, SOT-669			MOSFET (금속 (()		LFPAK56, POWER-SO8	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1			n 채널						55 v	61.8A (TC)	5V, 10V	11mohm @ 20a, 10V	2.15v @ 1ma	32 NC @ 5 v	± 15V	2880 pf @ 25 v	-	106W (TC)
BF422,116	-	RFQ	8206	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BF422			830 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000																																			250 v	50 MA				10NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 30ma	50 @ 25MA, 20V	60MHz
Z0103MA, 412	0.1000	RFQ	17	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드					To-92-3	다운로드					귀 99	8541.30.0080	2,905	하나의				7 MA														논리 - 게이트 민감한	600 v	1 a	1.3 v	8A, 8.5A	3 MA
PZM22NB1,115	-	RFQ	1630	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PZM22			300MW	smt3; mpak	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																													1.1 v @ 100 ma		70 na @ 17 v										22 v	25 옴
2PA1774QM, 315	-	RFQ	4407	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						2PA17					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000
BZX284-C13,115	-	RFQ	2481	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-110	BZX284			400MW	SOD-110	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000																													1.1 v @ 100 ma		100 na @ 8 v										13 v	10 옴
ph2230dls115	0.8000	RFQ	7	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	1,500
PBLS4004V, 115	-	RFQ	8002	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	SOT-563, SOT-666	PBLS4004			300MW	SOT-666	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	4,000																																			50V, 40V	100ma, 500ma				1µA			1 npn 프리 n, 1 pnp	150mv @ 500µa, 10ma / 350mv @ 50ma, 500ma	60 @ 5ma, 5v / 150 @ 100ma, 2v	300MHz	22kohms	22kohms
BB202	0.3800	RFQ	160	NXP USA Inc.	-	대부분	새로운 새로운 아닙니다			-55 ° C ~ 85 ° C (TJ)	표면 표면	SC-79, SOD-523					SOD-523	-	Rohs3 준수	공급 공급 정의되지 업체는	요청시 요청시 도달하십시오	2832-BB202	귀 99		1																																		11.2pf @ 2.3v, 1MHz				하나의	6 v											2.5	C0.2/C2.3
BZX284-B8V2,135	-	RFQ	1852	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-110	BZX284			400MW	SOD-110	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	11,000																													1.1 v @ 100 ma		700 na @ 5 v										8.2 v	10 옴
BZX84J-C22,115	0.0300	RFQ	19	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-90, SOD-323F				550 MW	SOD-323F	다운로드					귀 99	8541.10.0050	11,823																													1.1 v @ 100 ma		50 NA @ 15.4 v										22 v	25 옴
BFG135,115	-	RFQ	7904	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BFG13			1W	SC-73	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	1,000								-																											15V	150ma							NPN		80 @ 100MA, 10V	7GHz			-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²