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불연속 불연속 제품 (6133)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BZB84-B24215 NXP USA Inc. BZB84-B24215 -
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
CLF1G0035-200PU NXP USA Inc. CLF1G0035-200PU -
RFQ
 ECAD 6477 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 쓸모없는 - - - - - 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0075 20 - - - - -
BZX84-C3V9/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C3V9/LF1R -
RFQ
 ECAD 5040 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C3V9 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069479215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
MRFG35030R5 NXP USA Inc. MRFG35030R5 -
RFQ
 ECAD 1207 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 15 v HF-600 MRFG35 3.55GHz Phemt Fet - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 650 MA 3W 12db - 12 v
BSS84AKW,115 NXP USA Inc. BSS84AKW, 115 1.0000
RFQ
 ECAD 7745 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BSS84 - 다운로드 0000.00.0000 1 -
PHB146NQ06LT,118 NXP USA Inc. PHB146NQ06LT, 118 -
RFQ
 ECAD 1453 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB14 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 60 nc @ 5 v ± 15V 5675 pf @ 25 v - 250W (TC)
MRF9085LSR5 NXP USA Inc. MRF9085LSR5 -
RFQ
 ECAD 7837 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-780S MRF90 880MHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 50 - 700 MA 90W 17.9dB - 26 v
BFG520W,115 NXP USA Inc. BFG520W, 115 -
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 ECAD 1947 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-343 3 고정 BFG52 500MW 4- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 - 15V 70ma NPN 60 @ 20MA, 6V 9GHz 1.1db ~ 2.1db @ 900MHz
MRF9080LR5 NXP USA Inc. MRF9080LR5 -
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 ECAD 4727 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF90 960MHz LDMOS NI-780H-2L - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 50 - 600 MA 70W 18.5dB - 26 v
BZX384-B43,115 NXP USA Inc. BZX384-B43,115 -
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 ECAD 4179 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX384 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
BUK9230-100B,118 NXP USA Inc. BUK9230-100B, 118 -
RFQ
 ECAD 9343 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 buk92 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
PMN27XPE115 NXP USA Inc. PMN27XPE115 0.2100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 20 v 4.4A (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 3a, 4.5v 1.25V @ 250µA 22.5 nc @ 4.5 v ± 12V 1770 pf @ 10 v - 530MW (TA), 8.33W (TC)
BUK6213-30C,118 NXP USA Inc. BUK6213-30C, 118 -
RFQ
 ECAD 1984 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 buk62 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500
BUJ106A,127 NXP USA Inc. Buj106a, 127 0.3400
RFQ
 ECAD 955 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 80 W. TO-220AB 다운로드 귀 99 8541.29.0095 642 400 v 10 a 100µA NPN 1V @ 1.2A, 6A 14 @ 500ma, 5V -
BC847BV,315 NXP USA Inc. BC847BV, 315 1.0000
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PDTD143EU115 NXP USA Inc. PDTD143EU115 0.0400
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
MMRF1012NR1 NXP USA Inc. MMRF1012NR1 -
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 120 v 표면 표면 TO-270-2 MMRF1 220MHz LDMOS TO-270-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 30 MA 10W 23.9dB - 50 v
MRF9135LSR3 NXP USA Inc. MRF9135LSR3 -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-780S MRF91 880MHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.31.0001 250 - 1.1 a 25W 17.8dB - 26 v
PN2222A,412 NXP USA Inc. PN2222A, 412 -
RFQ
 ECAD 5961 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN22 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
PDZ4.3B,115 NXP USA Inc. PDZ4.3B, 115 -
RFQ
 ECAD 8180 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDZ4.3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
BZX884-C30,315 NXP USA Inc. BZX884-C30,315 0.0300
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX884 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000
BFU520AR NXP USA Inc. BFU520AR 0.6100
RFQ
 ECAD 8617 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFU520 450MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 18db 12V 30ma NPN 60 @ 5MA, 8V 10GHz 0.7dB @ 900MHz
BZB84-B8V2,215 NXP USA Inc. BZB84-B8V2,215 -
RFQ
 ECAD 6976 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZB84 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
BC53-10PAS115 NXP USA Inc. BC53-10PAS115 -
RFQ
 ECAD 2782 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
BZX585-C15135 NXP USA Inc. BZX585-C15135 -
RFQ
 ECAD 6479 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 1.1 v @ 100 ma 50 na @ 10.5 v 15 v 15 옴
MRF6V2150NBR5 NXP USA Inc. MRF6V2150NBR5 -
RFQ
 ECAD 8852 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 110 v 섀시 섀시 TO-272BB MRF6 220MHz LDMOS TO-272 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 450 MA 150W 25db - 50 v
AFT21S232SR5 NXP USA Inc. AFT21S232SR5 -
RFQ
 ECAD 6854 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-780S AFT21 2.11GHz LDMOS NI-780S - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0095 50 - 1.5 a 50W 16.7dB - 28 v
PBLS4005V,115 NXP USA Inc. PBLS4005V, 115 -
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 ECAD 8587 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PBLS4005 300MW SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V, 40V 100ma, 500ma 1µA 1 npn 프리 n, 1 pnp 150mv @ 500µa, 10ma / 350mv @ 50ma, 500ma 80 @ 5ma, 5v / 150 @ 100ma, 2v 300MHz 47kohms 47kohms
PMBS3906,235 NXP USA Inc. PMBS3906,235 0.0200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 40 v 100 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 150MHz
2PC1815BL,126 NXP USA Inc. 2PC1815BL, 126 -
RFQ
 ECAD 4036 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2pc18 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10ma, 100ma 350 @ 2MA, 6V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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