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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 전류 - 유지(Ih)(최대) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 대책악 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 모델 지수 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
BB189,115 NXP USA Inc. BB189,115 -
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ECAD 5835 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 125°C (TJ) 표면 실장 SC-79, SOD-523 BB18 SOD-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 2.18pF @ 25V, 1MHz 하나의 32V 6.3 C2/C25 -
BC849BW,115 NXP USA Inc. BC849BW,115 0.0200
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ECAD 671 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 200mW SOT-323 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 30V 100mA 15nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PHB18NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB18NQ10T,118 0.4500
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 727 N채널 100V 18A(TC) 10V 90m옴 @ 9A, 10V 4V @ 1mA 21nC @ 10V ±20V 25V에서 633pF - 79W(Tc)
PMSTA3904,135 NXP USA Inc. PMSTA3904,135 -
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ECAD 6870 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 PMSTA3904 200mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934061808135 EAR99 8541.21.0075 10,000 40V 200mA 50nA(ICBO) NPN 300mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 300MHz
MRF6S21100HR5 NXP USA Inc. MRF6S21100HR5 -
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ECAD 6555 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 방역 SOT-957A MRF6 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 50 - 950mA 23W 15.9dB - 28V
MMRF1016HR5 NXP USA Inc. MMRF1016HR5 -
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ECAD 5779 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 120V 방역 SOT-979A MMRF1 225MHz LDMOS NI-1230-4H - ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 935322153178 EAR99 8541.29.0075 50 2개 - 2.6A 125W 25dB - 50V
PUMB2/ZLX NXP USA Inc. PUMB2/ZLX -
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ECAD 8798 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 PUMB2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1
BZB84-B43,215 NXP USA Inc. BZB84-B43,215 0.0300
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ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±2% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300mW SOT-23 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 50nA @ 30.1V 43V 150옴
MRF7S19080HSR3 NXP USA Inc. MRF7S19080HSR3 -
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ECAD 6781 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 NI-780S MRF7 1.99GHz LDMOS NI-780S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935319237128 EAR99 8541.29.0075 250 - 750mA 24W 18dB - 28V
MRFG35010AR1 NXP USA Inc. MRFG35010AR1 -
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ECAD 3633 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 15V 방역 NI-360HF MRFG35 3.55GHz pHEMT FET NI-360HF 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 500 - 140mA 1W 10dB - 12V
BUK9Y12-55B,115 NXP USA Inc. BUK9Y12-55B,115 -
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ECAD 8017 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 MOSFET(금속) LFPAK56, 전원-SO8 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1 N채널 55V 61.8A(Tc) 5V, 10V 11m옴 @ 20A, 10V 2.15V @ 1mA 32nC @ 5V ±15V 25V에서 2880pF - 106W(Tc)
BZX84-C20/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C20/LF1R -
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ECAD 6183 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C20 250mW SOT-23(TO-236AB) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934069448215 EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 14V에서 50nA 20V 55옴
BTA2008-800E,412 NXP USA Inc. BTA2008-800E,412 0.1600
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ECAD 9 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.30.0080 1,847 하나의 12mA 논리 - 기억카드 800V 800mA 2V 9A, 10A 10mA
PEMH13,115 NXP USA Inc. PEMH13,115 -
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ECAD 1197 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PEMH1 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 4,000
PBHV9560Z115 NXP USA Inc. PBHV9560Z115 1.0000
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ECAD 4271 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1,000
PDTC124XS,126 NXP USA Inc. PDTC124XS,126 -
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ECAD 4984 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 PDTC124 500mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100mA 1μA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 10mA 80 @ 5mA, 5V 22kΩ 47kΩ
BUK9E4R9-60E,127 NXP USA Inc. BUK9E4R9-60E,127 -
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ECAD 3068 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA BUK9 MOSFET(금속) I2PAK - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 100A(Tc) 5V, 10V 4.5m옴 @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 65nC @ 5V ±10V 9710pF @ 25V - 234W(Tc)
PMBS3906,235 NXP USA Inc. PMBS3906,235 0.0200
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ECAD 38 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 40V 100mA 50nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 150MHz
PBSS5160K,115 NXP USA Inc. PBSS5160K,115 -
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ECAD 3220 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS5 425mW SMT3; MPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 700mA 100nA PNP 340mV @ 100mA, 1A 150 @ 500mA, 5V 185MHz
MRF7S27130HR3 NXP USA Inc. MRF7S27130HR3 -
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ECAD 1721 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 SOT-957A MRF7 2.7GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 250 - 1.5A 23W 16.5dB - 28V
NZX7V5X,133 NXP USA Inc. NZX7V5X,133 0.0200
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ECAD 80 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 NZX7 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 10,000
BB181 NXP USA Inc. BB181 -
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ECAD 6212 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
CLF1G0035-100PU NXP USA Inc. CLF1G0035-100PU 263.3300
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ECAD 25 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150V 방역 SOT-1228A 3GHz GaN HEMT LDMOST 다운로드 EAR99 8541.29.0075 1 - 100mA 100W 14dB - 50V
BZX79-B6V8,113 NXP USA Inc. BZX79-B6V8,113 0.0200
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ECAD 130 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 2μA @ 4V 6.8V 15옴
BZB984-C4V3,115 NXP USA Inc. BZB984-C4V3,115 0.0400
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ECAD 36 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZB984 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 4,000
PBSS2515VPN,115 NXP USA Inc. PBSS2515VPN,115 -
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ECAD 2905 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBSS2 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 4,000
MMRF1021NT1 NXP USA Inc. MMRF1021NT1 -
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ECAD 2654 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 30V 표면 실장 PLD-1.5W MMRF1 870MHz LDMOS PLD-1.5W 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935315257515 EAR99 8541.29.0075 1,000 - 100mA 7.3W 15.2dB - 7.5V
MRF8P23160WHSR3 NXP USA Inc. MRF8P23160WHSR3 -
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ECAD 9830 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V NI-780-4 MRF8 2.32GHz MOSFET NI-780-4 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 935310859128 EAR99 8541.29.0095 250 N채널 - 600mA 30W 14.1dB - 28V
MRF6S9060NBR1 NXP USA Inc. MRF6S9060NBR1 -
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ECAD 8198 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 방역 TO-272BC MRF6 880MHz LDMOS TO-272-2 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 500 - 450mA 14W 21.4dB - 28V
BZX284-C5V6,115 NXP USA Inc. BZX284-C5V6,115 -
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ECAD 4189 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-110 BZX284 400mW SOD-110 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V @ 100mA 1μA @ 2V 5.6V 40옴
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