| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 최대 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 적극적 활동 | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 저항 @ If, F | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF6V2300NR1 | - | ![]() | 7766 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 110V | 표면 실장 | TO-270AB | MRF6 | 220MHz | LDMOS | TO-270 WB-4 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 900mA | 300W | 25.5dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB14,115 | - | ![]() | 7657 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PEMB1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN057-200B,118 | - | ![]() | 3831 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PSMN0 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4032SP,115 | - | ![]() | 7442 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBSS4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG540/XR,215 | - | ![]() | 3122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-143R | BFG54 | 400mW | SOT-143R | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 15V | 120mA | NPN | 100 @ 40mA, 8V | 9GHz | 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV40E-150,115 | 0.2900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | BYV40 | 기준 | SOT-223 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,031 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 150V | 1.5A | 1V @ 1.5A | 25ns | 150V에서 10μA | 150°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C39115 | - | ![]() | 4179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5W | SOT-223 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1V @ 50mA | 50nA @ 27.3V | 39V | 130옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC547B,112 | - | ![]() | 1307 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC54 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 400mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B75,215 | 0.0300 | ![]() | 77 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 11,823 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 52.5V | 75V | 255옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU13B2,115 | - | ![]() | 8366 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PZU13 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856AT,115 | - | ![]() | 5889 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | BC856 | 150mW | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 400mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC556B,112 | - | ![]() | 6425 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BC55 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2I25H060GNR1 | - | ![]() | 9763 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | TO-270-17 변형, 갈매기 날개 | A2I25 | 2.59GHz | LDMOS | TO-270WBG-17 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935316196528 | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | 2개 | - | 26mA | 10.5W | 26.1dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6209-30C | - | ![]() | 3906 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK6209 | - | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C15,315 | - | ![]() | 2528 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX884 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C3V9,133 | 0.0200 | ![]() | 195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX79 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK652R0-30C,127 | - | ![]() | 3607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 북65 | MOSFET(금속) | TO-220AB | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 30V | 120A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.2m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 229nC @ 10V | ±16V | 25V에서 14964pF | - | 306W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40QA147 | - | ![]() | 6566 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBTA42,185 | 0.0200 | ![]() | 4801 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMBTA | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 30,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU660F,115 | 0.6600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-343F | BFU660 | 225mW | 4-DFP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12dB ~ 21dB | 5.5V | 60mA | NPN | 90 @ 10mA, 2V | 21GHz | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C7V5135 | - | ![]() | 7286 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHU101NQ03LT,127 | - | ![]() | 8691 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | PHU10 | MOSFET(금속) | 아이팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 30V | 75A(Tc) | 5V, 10V | 5.5m옴 @ 25A, 10V | 2.5V @ 1mA | 23nC @ 5V | ±20V | 2180pF @ 25V | - | 166W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA312X-800B,127 | 0.5200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TO-220F | 다운로드 | EAR99 | 8541.30.0080 | 577 | 하나의 | 60mA | 기준 | 800V | 12A | 1.5V | 95A, 105A | 50mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF8G09LS-400PGWQ | 80.1400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 65V | 방역 | SOT-1242C | 718.5MHz ~ 725.5MHz | LDMOS | CDFM8 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 | 더블, 세션 소스 | - | 3.4A | 95W | 20.6dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848B/DG/B4215 | 0.0200 | ![]() | 3047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 6,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS21/ZL215 | 0.0200 | ![]() | 9466 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 바스21 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5441518 | 0.7300 | ![]() | 32 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PS193,135 | - | ![]() | 9634 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1PS19 | 기준 | SMT3; MPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 80V | 1.2V @ 100mA | 4ns | 80V에서 500nA | 150°C(최대) | 215mA | 1.5pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP70-04W,115 | - | ![]() | 1785년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | SC-70, SOT-323 | BAP70 | SC-70 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100mA | 260mW | 0.3pF @ 20V, 1MHz | PIN - 1쌍 직렬 연결 | 50V | 1.9옴 @ 100mA, 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C7V5,113 | 0.0400 | ![]() | 122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZV85 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 |

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