SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f) 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
BB187,335 NXP USA Inc. BB187,335 -
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ECAD 7646 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 125°C (TJ) 표면 실장 SC-79, SOD-523 BB18 SOD-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 20,000 2.92pF @ 25V, 1MHz 하나의 32V 11 C2/C25 -
MRF6S19120HR3 NXP USA Inc. MRF6S19120HR3 -
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ECAD 8593 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 방역 SOT-957A MRF6 1.99GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 250 - 1A 19W 15dB - 28V
MRFG35030R5 NXP USA Inc. MRFG35030R5 -
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ECAD 1207 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 15V HF-600 MRFG35 3.55GHz pHEMT FET - - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 50 - 650mA 3W 12dB - 12V
AFT05MP075GNR1 NXP USA Inc. AFT05MP075GNR1 15.7228
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ECAD 7722 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 40V 표면 실장 TO-270BB 후미05 520MHz LDMOS TO-270 WB-4 갈매기 - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935311172528 5A991G 8541.29.0040 500 2개 - 400mA 70W 18.5dB - 12.5V
BZV55-C13,115 NXP USA Inc. BZV55-C13,115 -
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ECAD 7686 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZV55 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 2,500
MRF18060ALR5 NXP USA Inc. MRF18060ALR5 -
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ECAD 1982년 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 SOT-957A MRF18 1.81GHz ~ 1.88GHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 50 - 500mA 60W 13dB - 26V
BUK9609-75A,118 NXP USA Inc. BUK9609-75A,118 1.5200
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ECAD 760 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 198 N채널 75V 75A(Tc) 4.5V, 10V 8.5m옴 @ 25A, 10V 2V @ 1mA ±10V 25V에서 8840pF - 230W(Tc)
PMBD354,215 NXP USA Inc. PMBD354,215 0.0800
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ECAD 37 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PMBD3 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000
BFR520,215 NXP USA Inc. BFR520,215 -
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ECAD 7196 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFR52 300mW SOT-23(TO-236AB) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 - 15V 70mA NPN 60 @ 20mA, 6V 9GHz 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
PMG370XN,115 NXP USA Inc. PMG370XN,115 -
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ECAD 5529 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMG37 MOSFET(금속) 6-TSSOP - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 960mA(타) 2.5V, 4.5V 440m옴 @ 200mA, 4.5V 250μA에서 1.5V 0.65nC @ 4.5V ±12V 37pF @ 25V - 690mW(Tc)
2PC1815GR,412 NXP USA Inc. 2PC1815GR,412 -
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ECAD 5581 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 2PC18 500mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 1,000 50V 150mA 100nA(ICBO) NPN 300mV @ 10mA, 100mA 200 @ 2mA, 6V 80MHz
MRF6S9060NBR1 NXP USA Inc. MRF6S9060NBR1 -
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ECAD 8198 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 방역 TO-272BC MRF6 880MHz LDMOS TO-272-2 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 500 - 450mA 14W 21.4dB - 28V
BZB84-B47,215 NXP USA Inc. BZB84-B47,215 0.0300
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ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±2% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300mW SOT-23 다운로드 EAR99 8541.10.0050 11,823 1쌍 구역 900mV @ 10mA 50nA @ 32.9V 47V 170옴
A2G35S200-01SR3 NXP USA Inc. A2G35S200-01SR3 139.2100
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ECAD 129 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125V 표면 실장 NI-400S-2S A2G35 3.4GHz ~ 3.6GHz GaN HEMT NI-400S-2S 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 디스크 3A001B3 8541.29.0075 250 - 291mA 180W 16.1dB - 48V
PBSS2515VPN,115 NXP USA Inc. PBSS2515VPN,115 -
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ECAD 2905 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBSS2 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 4,000
PDTA115EE,115 NXP USA Inc. PDTA115EE,115 -
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ECAD 5755 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-75, SOT-416 PDTA115 150mW SC-75 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 20mA 1μA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 150mV, 5mA 80 @ 5mA, 5V 100kΩ 100kΩ
BZX284-B22,115 NXP USA Inc. BZX284-B22,115 -
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ECAD 7088 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-110 BZX284 400mW SOD-110 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V @ 100mA 15.4V에서 50nA 22V 25옴
PZM8.2NB3,115 NXP USA Inc. PZM8.2NB3,115 -
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ECAD 5276 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM8.2 300mW SMT3; MPAK - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V @ 100mA 700nA @ 5V 8.2V 10옴
1N4739A,113 NXP USA Inc. 1N4739A,113 0.0400
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ECAD 351 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 1N47 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 5,000
BUK9528-100A,127 NXP USA Inc. BUK9528-100A,127 -
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ECAD 9000 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BUK95 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 49A(TC) 4.5V, 10V 27m옴 @ 25A, 10V 2V @ 1mA ±10V 4293pF @ 25V - 166W(Tc)
MRF8S18120HSR5 NXP USA Inc. MRF8S18120HSR5 -
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ECAD 2568 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 65V 방역 NI-780S MRF8 1.81GHz LDMOS NI-780S 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935310108178 5A991G 8541.29.0075 50 - 800mA 72W 18.2dB - 28V
MRF8S9170NR3 NXP USA Inc. MRF8S9170NR3 -
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ECAD 1218 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 70V 표면 실장 OM-780-2 MRF8 920MHz LDMOS OM-780-2 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935319516528 EAR99 8541.29.0075 250 - 1A 50W 19.3dB - 28V
PDTC115TT,215 NXP USA Inc. PDTC115TT,215 -
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ECAD 2045년 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTC11 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000
PHB193NQ06T,118 NXP USA Inc. PHB193NQ06T,118 -
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ECAD 2839 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB PHB19 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 55V 75A(Tc) 10V 4m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 85.6nC @ 10V ±20V 5082pF @ 25V - 300W(Tc)
MRF101AN-START NXP USA Inc. MRF101AN-START -
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ECAD 9286 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 133V 스루홀 TO-220-3 MRF101 1.8MHz ~ 250MHz LDMOS TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 10μA 100mA 115W 21.1dB - 50V
AFT26P100-4WGSR3 NXP USA Inc. AFT26P100-4WGSR3 -
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ECAD 7289 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 AFT26 - ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 935323496128 EAR99 8541.29.0075 250
BZB84-C4V7,215 NXP USA Inc. BZB84-C4V7,215 0.0200
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ECAD 5409 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300mW SOT-23 다운로드 EAR99 8541.10.0050 4,147 1쌍 구역 900mV @ 10mA 3μA @ 2V 4.7V 80옴
BC817-25QA147 NXP USA Inc. BC817-25QA147 0.0300
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ECAD 134 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC817 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 1
BUK98150-55,135 NXP USA Inc. BUK98150-55,135 -
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ECAD 2989 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BUK98 MOSFET(금속) SC-73 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 55V 5.5A(Tc) 5V 150m옴 @ 5A, 5V 2V @ 1mA ±10V 330pF @ 25V - 8.3W(Tc)
J2A012ZXT/S1AZ312J NXP USA Inc. J2A012ZXT/S1AZ312J -
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ECAD 1469 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 J2A0 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 2,500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고