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디스크리트 반도체(6133)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	전류 - 유지(Ih)(최대)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	적극적 활동	전압 - 꺼짐 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	전압 - 온상태(Vtm)(최대)	현재 - 충전상태(It(AV))(최대)	현재 - 일시적 상태(최대)	SCR 유형	모델 지수	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
PBSS5260QA147	0.0700	보상요청	280	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	4,480
BFU550XR215	1.0000	보상요청	5363	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	3,000
BFU730F,115	0.6700	보상요청	89	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	SOT-343F	BFU730			197mW	4-DFP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000								-																													2.8V	30mA					NPN		205 @ 2mA, 2V	55GHz	0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
1N4739A,133	0.0400	보상요청	27	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향				1W	DO-41	다운로드					EAR99	8541.10.0050	7,969																																	1.2V @ 200mA		7V에서 10μA						9.1V	5옴
PHP110NQ08LT,127	-	보상요청	5437	NXP USA Inc.	트렌치모스™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	PHP11		MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널						75V	75A(Tc)	4.5V, 10V	8.5m옴 @ 25A, 10V	2V @ 1mA	127.3nC @ 10V	±20V	25V에서 6631pF	-	230W(Tc)
PDTD113EQA147	-	보상요청	1306	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	5,000
2PD602AQ,115	-	보상요청	2050년	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2PD60			250mW	SMT3; MPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	12,000																																					50V	500mA		10nA(ICBO)			NPN	600mV @ 30mA, 300mA	85 @ 150mA, 10V	140MHz
BCX56-16115	1.0000	보상요청	7300	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	TO-243AA				500mW	SOT-89	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	1																																					80V	1A		100nA(ICBO)			NPN	500mV @ 50mA, 500mA	100 @ 150mA, 2V	180MHz
BT131-600,116	0.1200	보상요청	7	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			125°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록					TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.30.0080	2,404	하나의				5mA														논리 - 기억카드	600V	1A	1.5V	12.5A, 13.8A	3mA
바스28,235	0.0400	보상요청	746	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인				표면 실장	TO-253-4, TO-253AA	바스28		기준		SOT-143B	다운로드					EAR99	8541.10.0070	7,713		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																												2개의 면	75V	215mA(DC)	1.25V @ 150mA	4ns	75V에서 1μA	150°C(최대)
PHB21N06LT,118	0.3700	보상요청	978	NXP USA Inc.	트렌치모스™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	1			N채널						55V	19A(TC)	5V, 10V	70m옴 @ 10A, 10V	2V @ 1mA	9.4nC @ 5V	±15V	25V에서 650pF	-	56W(Tc)
BB173115	-	보상요청	2479	NXP USA Inc.	*	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0070	3,000
BZX84-C15/CH235	-	보상요청	4331	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0050	10,000
BZX284-C75,115	-	보상요청	5614	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	±5%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	SOD-110	BZX284			400mW	SOD-110	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000																																	1.1V @ 100mA		50nA @ 52.5V						75V	175옴
PHX27NQ11T,127	-	보상요청	7638	NXP USA Inc.	트렌치모스™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 분리형 탭	PHX27		MOSFET(금속)		TO-220F	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널						110V	20.8A(Tc)	10V	50m옴 @ 14A, 10V	4V @ 1mA	30nC @ 10V	±20V	25V에서 1240pF	-	50W(Tc)
PMV28UNEA215	-	보상요청	1192	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0095	3,000
BT151X-650C,127	-	보상요청	4447	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			-40°C ~ 125°C	스루홀	TO-220-3 풀팩, 분리형 탭					TO-220F	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	1					20mA															650V	12A	1.5V	100A, 110A	15mA	1.75V	7.5A	500μA	표준화된 치료
BZX84-B30,215	-	보상요청	4012	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZX84					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000
OT355,127	-	보상요청	4868	NXP USA Inc.	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			-	-	-	OT35				-	-	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934057936127	EAR99	8541.30.0080	1,000	하나의																		기준				-
MMRF1006HSR5	-	보상요청	3075	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		120V			NI-1230S-4	MMRF1006	450MHz	LDMOS		NI-1230S-4	-	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935311705178	EAR99	8541.29.0075	50				-		150mA	1000W	20dB																					-										50V
BLF574XRS112	192.3000	보상요청	47	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0075	1
BTA312X-800C/L01127	0.5100	보상요청	1	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.30.0080	1
BLF6G20-180PN112	99.8400	보상요청	4	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0075	1
BUK9Y7R6-40E/GFX	-	보상요청	3908	NXP USA Inc.	*	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우						BUK9					-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	1,500
A3T21H360W23SR6	76.3629	보상요청	5582	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		65V		방역	ACP-1230S-4L2S	A3T21	2.11GHz ~ 2.2GHz	LDMOS		ACP-1230S-4L2S	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935354511128	EAR99	8541.29.0075	150	2개			10μA		600mA	328W	16.4dB																					-										28V
A5G26H110N-2496	368.5200	보상요청	5554	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인		125V		표면 실장	6-LDFN 옆형 패드		2.496GHz ~ 2.69GHz	-		6-PDFN(7x6.5)	-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	568-A5G26H110N-2496	EAR99	8541.29.0095	1	-			-		50mA	15W	17.7dB																					-										48V
BZX84J-B6V8,115	0.0300	보상요청	224	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZX84					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000
PBSS4230PANP,115	0.1600	보상요청	21	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	6-UFDFN 옆형 패드	PBSS4230			510mW	6-휴슨(2x2)	다운로드					EAR99	8541.29.0075	1,868명																																					30V	2A		100nA(ICBO)			NPN, PNP	290mV @ 200mA, 2A	200 @ 1A, 2V	120MHz
PZU3.0B2A115	1.0000	보상요청	5060	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드						0000.00.0000	1
MRF8S18260HR5	-	보상요청	6992	NXP USA Inc.	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		방역	SOT-1110A	MRF8	1.81GHz	LDMOS		NI1230-8	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		5A991G	8541.29.0075	50	2개			-		1.6A	74W	17.9dB																					-										30V

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²