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불연속 불연속 제품 (6133)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	빈도	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 -홀드 (ih) (최대)	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	노이즈 노이즈	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
MRF7S19170HSR5	-	RFQ	7511	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		65 v		표면 표면	NI-880S	MRF7	1.99GHz	LDMOS		NI-880S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	50				-		1.4 a	50W	17.2db																					-										28 v
AFT23H201-24SR6	-	RFQ	4541	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		65 v		섀시 섀시	ACP-1230S-4L2L	AFT23	2.3GHz ~ 2.4GHz	LDMOS		ACP-1230S-4L2L	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	935320889128	귀 99	8541.29.0075	150				10µA		500 MA	210W	15.6dB																					-										28 v
BF904AR, 215	-	RFQ	4053	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		7 v		표면 표면	SOT-143R	BF904	200MHz	MOSFET		SOT-143R	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 게이트 게이트 듀얼			30ma		10 MA	-	-																					1db										4 v
on5453,518	-	RFQ	9390	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인					-	on5453	-	-		-	-	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	934063299518	귀 99	8541.29.0095	2,000	-			-			-	-																					-
BLF6G10LS-135RN112	76.1800	RFQ	92	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0075	4
A3T18H408W24SR3	-	RFQ	8075	NXP USA Inc.	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는						A3T18					다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	250
MRF24G300HSR5	136.8900	RFQ	153	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		125 v		표면 표면	NI-780S-4L	MRF24	2.4GHz ~ 2.5GHz	MOSFET		NI-780S-4L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50	2 n 채널 (채널)			-			300W	15.3db																					-										48 v
PSMN8R5-100PS127	-	RFQ	7000	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1
BYV415W-600P127	-	RFQ	8954	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0080	1
BFU550XR215	1.0000	RFQ	5363	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	3,000
BC859CW/ZL115	0.0200	RFQ	280	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	3,000
BZX84-A5V6/LF1R	-	RFQ	9542	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 1%		-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84			250 MW	SOT-23 (TO-236AB)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934069512215	쓸모없는	0000.00.0000	3,000																															900 mV @ 10 ma		1 µa @ 2 v								5.6 v	40
BT151X-650C, 127	-	RFQ	4447	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭					TO-220F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1					20 MA															650 v	12 a	1.5 v	100A, 110A	15 MA	1.75 v	7.5 a	500 µA	표준 표준
BAW62,133	-	RFQ	1966	NXP USA Inc.	-	테이프 & t (TB)	활동적인				구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	baw62		기준		ALF2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	933101220133	귀 99	8541.10.0070	10,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																												75 v	1 v @ 100 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	200 ° C (()	250ma	2pf @ 0V, 1MHz
Pumb11,135	1.0000	RFQ	8128	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인				표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	pumb11			300MW	SOT-363	다운로드					귀 99	8541.21.0095	1																																					50V	100ma		1µA			2 pnp--바이어스 (듀얼)	150mv @ 500µa, 10ma	30 @ 5MA, 5V	-	10kohms	10kohms
1PS70SB86,115	0.1000	RFQ	234	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						1PS70					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000
BUK9516-55A, 127	-	RFQ	9062	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	튜브	쓸모없는			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	buk95		MOSFET (금속 (()		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널						55 v	66A (TC)	5V, 10V	15mohm @ 25a, 10V	2V @ 1mA		± 10V	3085 pf @ 25 v	-	138W (TC)
BFT93W, 115	-	RFQ	8537	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BFT93			300MW	SC-70	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000								-																													12V	50ma					PNP		20 @ 30ma, 5V	4GHz			2.4dB ~ 3db @ 500MHz ~ 1GHz
2N7002T, 215	-	RFQ	5316	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N70		MOSFET (금속 (()		SOT-23 (TO-236AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널						60 v	300MA (TA)	5V, 10V	5ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 1mA		± 20V	40 pf @ 10 v	-	830MW (TA)
MRF9135LSR3	-	RFQ	6890	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		65 v		섀시 섀시	NI-780S	MRF91	880MHz	LDMOS		NI-780S	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.31.0001	250				-		1.1 a	25W	17.8dB																					-										26 v
BZX884-C30,315	0.0300	RFQ	97	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZX884					다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000
PMN27XPE115	0.2100	RFQ	34	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457			MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0095	1			p 채널						20 v	4.4A (TA)	2.5V, 4.5V	30mohm @ 3a, 4.5v	1.25V @ 250µA	22.5 nc @ 4.5 v	± 12V	1770 pf @ 10 v	-	530MW (TA), 8.33W (TC)
BFU520AR	0.6100	RFQ	8617	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BFU520			450MW	SOT-23 (TO-236AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000								18db																													12V	30ma					NPN		60 @ 5MA, 8V	10GHz			0.7dB @ 900MHz
BZX84-B9V1/LF1R	-	RFQ	9360	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-B9V1			250 MW	SOT-23 (TO-236AB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934069415215	귀 99	8541.10.0050	3,000																															900 mV @ 10 ma		500 na @ 6 v								9.1 v	15 옴
buk9e15-60e, 127	-	RFQ	4254	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	튜브	쓸모없는			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	buk9		MOSFET (금속 (()		i2pak	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널						60 v	54A (TC)	5V, 10V	13mohm @ 15a, 10V	2.1v @ 1ma	20.5 nc @ 5 v	± 10V	2651 pf @ 25 v	-	96W (TC)
NZX2V7A, 133	0.0200	RFQ	70	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						NZX2					-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000
BYD37M, 115	-	RFQ	7130	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	SOD-87	BYD37		눈사태		멜프	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)																												1000 v	1.3 v @ 1 a	300 ns	1 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	600ma	20pf @ 0V, 1MHz
BC848B/DG/B4215	0.0200	RFQ	3047	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	6,000
BT131-600,116	0.1200	RFQ	7	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드					To-92-3	다운로드					귀 99	8541.30.0080	2,404	하나의				5 MA														논리 - 게이트 민감한	600 v	1 a	1.5 v	12.5A, 13.8A	3 MA
buk7c3r1-80ej	-	RFQ	8251	NXP USA Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			-	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)	buk7c3		MOSFET (금속 (()		D2PAK-7	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	934067493118	귀 99	8541.29.0095	800			n 채널						80 v	-		-	-				-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²