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디스크리트 반도체(6133)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	전류 - 유지(Ih)(최대)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	전력량(최대)	적극적 활동	전압 - 꺼짐 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	전압 - 온상태(Vtm)(최대)	현재 - 충전상태(It(AV))(최대)	현재 - 일시적 상태(최대)	SCR 유형	모델 지수	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	다이오드	전압 - 역방향(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)	냄비에	냄비를 조건으로	Q@VR, F
PBLS6024D,115	0.1200	보상요청	3	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PBLS60					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000
PDTC144EMB315	0.0300	보상요청	72	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드					EAR99	8541.21.0075	1
PMEG4010EGW115	-	보상요청	4924	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0080	3,000
MRF8HP21130HSR3	-	보상요청	6037	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		표면 실장	NI-780S-4L	MRF8	2.17GHz	LDMOS		NI-780S-4L	-	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935321595128	EAR99	8541.29.0075	250	2개			-		360mA	28W	14dB																			-												28V
BYC8B-600PQP	-	보상요청	8908	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인				표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	BYC8B		기준		D2PAK	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934068322116	EAR99	8541.10.0080	800		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																											600V		3.4V @ 8A	18ns	600V에서 20μA	175°C(최대)	8A	-
PDTA114EE,115	-	보상요청	8240	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				표면 실장	SC-75, SOT-416	PDTA114			150mW	SC-75	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																																					50V	100mA				100nA(ICBO)			PNP - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 10mA	30 @ 5mA, 5V	180MHz	10kΩ	10kΩ
MRF5S21100HSR3	-	보상요청	5820	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		65V			NI-780S	MRF5	2.16GHz ~ 2.17GHz	LDMOS		NI-780S	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		5A991G	8541.29.0075	250				-		1.05A	23W	13.5dB																			-												28V
BY229-600,127	-	보상요청	5772	NXP USA Inc.	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우				스루홀	TO-220-2	BY22		기준		TO-220AC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	5,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																											500V		1.85V @ 20A	135ns	500V에서 400μA	150°C(최대)	8A	-
BTA410X-600CT,127	0.4800	보상요청	1	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 분리형 탭					TO-220F	다운로드					EAR99	8541.30.0080	589	하나의				35mA												기준	600V	10A	1.5V	100A, 110A	35mA
MRF5S18060NR1	-	보상요청	2602	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				표면 실장	TO-270AB	MRF5	1.88GHz	MOSFET		TO-270 WB-4	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	500	N채널			-			60W	-																			-
BAT54A/DG/B3215	0.0200	보상요청	45	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, BAT54	대부분	활동적인				표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAT54		쇼트키		SOT-23-3	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0070	3,000		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도																										1쌍 구역	30V	200mA(DC)	800mV @ 100mA	5ns	25V에서 2μA	150°C(최대)
BUK6218-40C	-	보상요청	6178	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		DPAK	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	1			N채널						40V	42A(Tc)	10V	16m옴 @ 10A, 10V	2.8V @ 1mA	22nC @ 10V	25V에서 1170pF	60W(Tc)
BUK9509-40B,127	0.4400	보상요청	6	NXP USA Inc.	*	튜브	활동적인						BUK95					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000
PMBT3946YPN,125	-	보상요청	8939	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PMBT3946			350mW	SOT-363	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1																																					40V	200mA				50nA(ICBO)			NPN, PNP	300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA	100 @ 10mA, 1V	300MHz, 250MHz
PDTB123TK,115	-	보상요청	3372	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTB123			250mW	SMT3; MPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000																																					50V	500mA				500nA			PNP - 사전 바이어스됨	300mV @ 2.5mA, 50mA	100 @ 50mA, 5V		2.2kΩ
NZX15C,133	0.0200	보상요청	55	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						NZX1					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	10,000
BT151U-800C,127	-	보상요청	4051	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			-40°C ~ 125°C	스루홀	TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA					아이팩	다운로드					EAR99	8541.30.0080	1					20mA													800V	12A	1.5V	100A, 110A	15mA	1.75V	7.5A	500μA	표준화된 치료
PBSS304ND,115	-	보상요청	6444	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PBSS3					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000
A3T18H408W24SR3	-	보상요청	8075	NXP USA Inc.	*	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우						A3T18					다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	250
BZX79-B75,113	0.0200	보상요청	20	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±2%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				400mW	ALF2	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1																															900mV @ 10mA		50nA @ 52.5V										75V	255옴
MRF6VP11KHR5	-	보상요청	1933년	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		110V		방역	NI-1230S-4GW	MRF6	130MHz	LDMOS		NI-1230S-4 갈매기	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	50	2개			-		150mA	1000W	26dB																			-												50V
BB173LXYL	-	보상요청	1247	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	SOD-882D	BB17				SOD882D	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934067724315	EAR99	8541.10.0070	10,000																																				2.75pF @ 28V, 1MHz				하나의	32V										15	C1/C28	-
PBSS5240ZF	-	보상요청	1280	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA				650mW	SOT-223	다운로드					EAR99	8541.29.0075	1																																					40V	2A				100nA			PNP	650mV @ 200mA, 2A	300@1mA, 5V	150MHz
PMEG3005EJ,115	0.0500	보상요청	430	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PMEG3005					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	3,000
BZX79-C5V1,143	0.0200	보상요청	131	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				400mW	ALF2	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1																															900mV @ 10mA		2V에서 2μA										5.1V	60옴
BT169D-L,112	-	보상요청	1241	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			-	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.30.0080	1					5mA													400V	800mA	800mV	8A, 9A	50μA	1.7V	500mA	100μA	프로세서 카드
BUK9Y59-60E/GFX	-	보상요청	9584	NXP USA Inc.	*	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우						BUK9					-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	1,500
BZV55-B5V6,135	0.0200	보상요청	60	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZV55					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	10,000
PBSS4160PAN,115	0.1300	보상요청	22	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	6-UFDFN 옆형 패드	PBSS4160			510mW	6-휴슨(2x2)	다운로드					EAR99	8541.29.0075	2,314																																					60V	1A				100nA(ICBO)			2 NPN(이중)	120mV @ 50mA, 500mA	150 @ 500mA, 2V	175MHz
NZX36X,133	0.0200	보상요청	48	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						NZX3					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	10,000

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²