SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 전류 - 유지(Ih)(최대) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 전압 - 온상태(Vtm)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 현재 - 일시적 상태(최대) SCR 유형 모델 지수 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f)
MRF18085ALSR5 NXP USA Inc. MRF18085ALSR5 -
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ECAD 5502 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 NI-780S MRF18 1.81GHz ~ 1.88GHz LDMOS NI-780S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 5A991G 8542.31.0001 50 - 800mA 85W 15dB - 26V
ON5088,115 NXP USA Inc. ON5088,115 0.3300
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-343F ON5088 136mW 4-DFP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 13dB 10V 40mA NPN 160 @ 10mA, 2V 55GHz 1.1dB @ 12GHz
PDTB114EU135 NXP USA Inc. PDTB114EU135 -
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ECAD 2077 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 1
PHD110NQ03LT,118 NXP USA Inc. PHD110NQ03LT,118 -
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ECAD 3628 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 PHD11 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 75A(Tc) 5V, 10V 4.6m옴 @ 25A, 10V 2V @ 1mA 26.7nC @ 5V ±20V 2200pF @ 25V - 115W(Tc)
BZV85-C4V7,113 NXP USA Inc. BZV85-C4V7,113 0.0400
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ECAD 100 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AL, DO-41, 축방향 1.3W DO-41 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 1V @ 50mA 3μA @ 1V 4.7V 13옴
BZX84-C3V9,215 NXP USA Inc. BZX84-C3V9,215 0.0200
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ECAD 183 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX84 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000
PHPT60610PY115 NXP USA Inc. PHPT60610PY115 -
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ECAD 2238 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
MRF8S9260HR3 NXP USA Inc. MRF8S9260HR3 -
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ECAD 9673 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 70V 방역 SOT-957A MRF8 960MHz LDMOS NI-880H-2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935317145128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.7A 75W 18.6dB - 28V
PHP96NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHP96NQ03LT,127 -
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ECAD 8301 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 PHP96 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 25V 75A(Tc) 5V, 10V 4.95m옴 @ 25A, 10V 2V @ 1mA 26.7nC @ 5V ±20V 2200pF @ 25V - 115W(Tc)
BZT52H-C13,115 NXP USA Inc. BZT52H-C13,115 0.0200
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ECAD 65 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000
BT148-400R,127 NXP USA Inc. BT148-400R,127 -
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ECAD 7550 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -40°C ~ 125°C 스루홀 SOT-82 SOT-82-3 다운로드 EAR99 8541.30.0080 1 6mA 400V 4A 1.5V 35A, 38A 200μA 1.8V 2.5A 500μA 프로세서 카드보드
BC879,112 NXP USA Inc. BC879,112 -
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ECAD 5165 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 BC87 830mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 80V 1A 50nA NPN-달링턴 1.8V @ 1mA, 1A 2000 @ 500mA, 10V 200MHz
MRF8P9300HSR5 NXP USA Inc. MRF8P9300HSR5 -
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ECAD 2627 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 70V 방역 NI-1230S MRF8 960MHz LDMOS NI-1230S - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935310166178 EAR99 8541.29.0075 50 2개 - 2.4A 100W 19.4dB - 28V
PMZB420UN NXP USA Inc. PMZB420UN -
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ECAD 9917 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 1
PZM2.4NBA,115 NXP USA Inc. PZM2.4NBA,115 -
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ECAD 1855년 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±6% - 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM2.4 220mW SMT3; MPAK - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V @ 100mA 50μA @ 1V 2.4V 100옴
PRF957,115 NXP USA Inc. PRF957,115 -
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ECAD 9538 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 175°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 PRF95 270mW SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 - 10V 100mA NPN 50 @ 5mA, 6V 8.5GHz 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
PZU6.2B1,115 NXP USA Inc. PZU6.2B1,115 0.0400
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ECAD 54 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PZU6.2 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000
BUK7628-55A/C1118 NXP USA Inc. BUK7628-55A/C1118 0.4600
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 800
MRF6S9045NBR1 NXP USA Inc. MRF6S9045NBR1 -
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ECAD 1294 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 방역 TO-272BC MRF6 880MHz LDMOS TO-272-2 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 500 - 350mA 10W 22.7dB - 28V
MRF7S18170HSR3 NXP USA Inc. MRF7S18170HSR3 -
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ECAD 8787 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 NI-880S MRF7 1.81GHz LDMOS NI-880S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4A 50W 17.5dB - 28V
BC557B,116 NXP USA Inc. BC557B,116 -
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ECAD 9390 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 BC55 500mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,000 45V 100mA 15nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 220 @ 2mA, 5V 100MHz
PHP160NQ08T,127 NXP USA Inc. PHP160NQ08T,127 -
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ECAD 3905 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 PHP16 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 75V 75A(Tc) 10V 5.6m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 91nC @ 10V ±20V 5585pF @ 25V - 300W(Tc)
PMEG6020ETP,115 NXP USA Inc. PMEG6020ETP,115 0.1000
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ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 실장 SOD-128 PMEG6020 쇼트키 SOD-128/CFP5 다운로드 EAR99 8541.10.0080 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 60V 530mV @ 2A 8.6ns 60V에서 150μA 175°C(최대) 2A 240pF @ 1V, 1MHz
PMDPB70EN,115 NXP USA Inc. PMDPB70EN,115 0.1900
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ECAD 39 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFDFN 옆형 패드 PMDPB70 MOSFET(금속) 510mW 6-휴슨(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 3.5A 57m옴 @ 3.5A, 10V 2.5V @ 250μA 4.5nC @ 10V 130pF @ 15V 게임 레벨 레벨
PMV56XN,215 NXP USA Inc. PMV56XN,215 -
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ECAD 2112 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV5 MOSFET(금속) SOT-23(TO-236AB) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 3.76A(Tc) 2.5V, 4.5V 85m옴 @ 3.6A, 4.5V 650mV @ 1mA(최소) 5.4nC @ 4.5V ±8V 10V에서 230pF - 1.92W(Tc)
MRFE6VP100HSR5 NXP USA Inc. MRFE6VP100HSR5 112.5908
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ECAD 4457 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 133V 표면 실장 NI-780S-4L MRFE6 512MHz LDMOS NI-780S-4L 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 935314736178 EAR99 8541.29.0095 50 - 100mA 100W 26dB - 50V
ON5295,127 NXP USA Inc. ON5295,127 -
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ECAD 5278 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 활동적인 스루홀 TO-220-3 ON5295 - - TO-220AB - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934059252127 EAR99 8541.29.0095 50 - - - - -
BZX84-B3V0,215 NXP USA Inc. BZX84-B3V0,215 -
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ECAD 3779 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 10μA @ 1V 3V 95옴
MRF5S9150HSR3 NXP USA Inc. MRF5S9150HSR3 -
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ECAD 4217 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 방역 SOT-957A MRF5 880MHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 250 - 1.5A 33W 19.7dB - 28V
BF909R,215 NXP USA Inc. BF909R,215 -
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ECAD 8338 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 7V 표면 실장 SOT-143R BF909 800MHz MOSFET SOT-143R 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 듀얼 모듈 40mA 15mA - - 2dB 5V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고