| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | 전압 - 출력(V(BR)GSS) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 저항 - RDS(켜짐) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT54A/6215 | 0.0300 | ![]() | 207 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, BAT54 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | 쇼트키 | SOT-23-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍 구역 | 30V | 200mA(DC) | 800mV @ 100mA | 5ns | 25V에서 2μA | 150°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MZ0912B50Y,114 | - | ![]() | 7912 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 쟁반 | 활동적인 | MZ091 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C16,115 | 0.0300 | ![]() | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | 300mW | SOD-523 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,764 | 1.1V @ 100mA | 11.2V에서 50nA | 16V | 40옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856A,215 | 0.0200 | ![]() | 707 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BC856 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C9V1,315 | 0.0300 | ![]() | 49 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX884 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-B9V1,115 | - | ![]() | 6207 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-110 | BZX284 | 400mW | SOD-110 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 500nA @ 6V | 9.1V | 10옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9Y12-40E/GFX | - | ![]() | 8308 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | BUK9 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU590Q115 | 0.5000 | ![]() | 106 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70/LF1215 | 0.0200 | ![]() | 555 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV70 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 100V | 215mA(DC) | 1.25V @ 150mA | 4ns | 80V에서 500nA | 150°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK765R2-40B,118 | 0.7900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 379 | N채널 | 40V | 75A(Tc) | 10V | 5.2m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 52nC @ 10V | ±20V | 3789pF @ 25V | - | 203W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF550,215 | - | ![]() | 6379 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BF550 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT23H201-24SR6 | - | ![]() | 4541 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | ACP-1230S-4L2L | AFT23 | 2.3GHz ~ 2.4GHz | LDMOS | ACP-1230S-4L2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935320889128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 10μA | 500mA | 210W | 15.6dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6020EPA115 | - | ![]() | 5188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | 3-PowerUDFN | PMEG6020 | 쇼트키 | 3-휴슨(2x2) | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 60V | 575mV @ 2A | 78ns | 60V에서 250μA | 150°C(최대) | 2A | 250pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B47,113 | 0.0200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 32.9V | 47V | 170옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S21060MBR1 | - | ![]() | 3648 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 68V | TO-272-4 | MRF6 | 2.12GHz | LDMOS | TO-272 WB-4 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 610mA | 14W | 15.5dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHM10030DLS115 | 0.3600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S26120HR3 | - | ![]() | 4807 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-957A | MRF8 | 2.69GHz | LDMOS | NI-780H-2L | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935324359128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 900mA | 28W | 15.6dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9C1R3-40EJ | - | ![]() | 8643 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭) | BUK9C1 | MOSFET(금속) | D2PAK-7 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934067866118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 40V | 190A(Tc) | 1.3m옴 @ 90A, 5V | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J175,116 | - | ![]() | 3394 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | J175 | 400mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | P채널 | 30V | 8pF @ 10V(VGS) | 30V | 7mA @ 15V | 3V @ 10nA | 125옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J5A080GHN/T0BG2084 | - | ![]() | 7708 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | J5A080 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMST6429,115 | 0.0200 | ![]() | 941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45V | 100mA | 10nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 500 @ 100μA, 5V | 700MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF991,215 | - | ![]() | 9394 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 20V | 표면 실장 | TO-253-4, TO-253AA | BF991 | 100MHz | MOSFET | SOT-143B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 듀얼 모듈 | 20mA | 10mA | - | 29dB | 0.7dB | 10V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B22,143 | 0.0200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 15.4V에서 50nA | 22V | 55옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2010AEB/S500115 | 0.0700 | ![]() | 1772년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF2010NR1 | 365.1500 | ![]() | 398 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 100V | 방역 | TO-270-14 변형, 편평형 | MMRF2010 | 1.09GHz | LDMOS | TO-270 WB-14 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | 10μA | 80mA | 250W | 32.1dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-B11,115 | - | ![]() | 7551 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-110 | BZX284 | 400mW | SOD-110 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 100nA @ 8V | 11V | 10옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5130PAP,115 | - | ![]() | 8857 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UFDFN 옆형 패드 | PBSS5130 | 510mW | 6-휴슨(2x2) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 30V | 1A | 100nA(ICBO) | 2 PNP(이중) | 280mV @ 50mA, 1A | 170 @ 500mA, 2V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX15A,133 | - | ![]() | 8771 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | NZX1 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB119NQ06T,118 | - | ![]() | 1389 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | PHB11 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 7.1m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 53nC @ 10V | ±20V | 2820pF @ 25V | - | 200W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143ZS,126 | - | ![]() | 5241 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PDTA143 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 100mA | 1μA | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 100mV, 5mA | 100 @ 10mA, 5V | 4.7kΩ | 47kΩ |

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