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불연속 불연속 제품 (6133)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
PMD4003K,115 NXP USA Inc. PMD4003K, 115 -
RFQ
 ECAD 1900 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 40V 게이트 게이트 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMD40 smt3; mpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000 1A npn +베이스-이미 터 다이오드
PMBT4401,235 NXP USA Inc. PMBT4401,235 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PMBT4 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000
BF991,215 NXP USA Inc. BF991,215 -
RFQ
 ECAD 9394 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 20 v 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BF991 100MHz MOSFET SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 게이트 게이트 듀얼 20MA 10 MA - 29db 0.7dB 10 v
MRF6V2300NBR1 NXP USA Inc. MRF6V2300NBR1 -
RFQ
 ECAD 1329 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 110 v 섀시 섀시 TO-272BB MRF6 220MHz LDMOS TO-272 WB-4 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 - 900 MA 300W 25.5dB - 50 v
BZX79-C4V7,133 NXP USA Inc. BZX79-C4V7,133 0.0200
RFQ
 ECAD 281 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX79 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000
PZM8.2NB1,115 NXP USA Inc. PZM8.2NB1,115 -
RFQ
 ECAD 6439 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM8.2 300MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 10 옴
BCM856DS,115 NXP USA Inc. BCM856DS, 115 0.0700
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 ECAD 9281 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BCM85 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
PDTA115EK,115 NXP USA Inc. PDTA115EK, 115 -
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 ECAD 3703 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA115 250 MW smt3; mpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 20 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 250µa, 5mA 80 @ 5ma, 5V 100 KOHMS 100 KOHMS
BF1212WR,115 NXP USA Inc. BF1212WR, 115 -
RFQ
 ECAD 8539 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 6 v 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BF121 400MHz MOSFET CMPAK-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 게이트 게이트 듀얼 30ma 12 MA - 30db 0.9dB 5 v
PDTC143EM,315 NXP USA Inc. PDTC143EM, 315 0.0300
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 ECAD 132 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTC14 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000
BUK761R3-30E,118 NXP USA Inc. BUK761R3-30E, 118 -
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 ECAD 7654 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 120A (TC) 10V 1.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 154 NC @ 10 v ± 20V 11960 pf @ 25 v - 357W (TC)
BZX84-C15/CH235 NXP USA Inc. BZX84-C15/CH235 -
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 ECAD 4331 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0050 10,000
BC849CW,115 NXP USA Inc. BC849CW, 115 0.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PDTA123EK,115 NXP USA Inc. PDTA123EK, 115 -
RFQ
 ECAD 9921 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA123 250 MW smt3; mpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA pnp- 사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 20MA, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
MRF8P20140WHR5 NXP USA Inc. MRF8P20140WHR5 -
RFQ
 ECAD 1100 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 65 v 섀시 섀시 NI-780-4 MRF8 1.88GHz ~ 1.91GHz LDMOS NI-780-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 50 이중 - 500 MA 24W 16db - 28 v
MRF8S26060HR3 NXP USA Inc. MRF8S26060HR3 -
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-400-240 MRF8 2.69GHz LDMOS NI-400-240 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935314195118 5A991G 8541.29.0075 250 - 450 MA 15.5W 16.3db - 28 v
PMEG4010AESBC315 NXP USA Inc. PMEG4010AESBC315 0.0800
RFQ
 ECAD 424 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 10,000
BZX79-C75143 NXP USA Inc. BZX79-C75143 0.0200
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
MRF5S19090HSR3 NXP USA Inc. MRF5S19090HSR3 -
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 ECAD 7876 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v NI-780S MRF5 1.93GHz ~ 1.99GHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 250 - 850 MA 18W 14.5dB - 28 v
BF908WR,115 NXP USA Inc. BF908WR, 115 -
RFQ
 ECAD 2508 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 12 v 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BF908 200MHz MOSFET CMPAK-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 게이트 게이트 듀얼 40ma 15 MA - - 0.6dB 8 v
MRF5S21150HSR5 NXP USA Inc. MRF5S21150HSR5 -
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 ECAD 2179 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v NI-880S MRF5 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS NI-880S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 1.3 a 33W 12.5dB - 28 v
BUK7510-55AL127 NXP USA Inc. BUK7510-55AL127 1.0200
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 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BUK7510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 10mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 124 NC @ 10 v ± 20V 6280 pf @ 25 v - 300W (TC)
BC68PAS115 NXP USA Inc. BC68PAS115 -
RFQ
 ECAD 5550 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
BC856T,115 NXP USA Inc. BC856T, 115 -
RFQ
 ECAD 1611 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 BC856 150 MW SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 100ma 125 @ 2MA, 5V 100MHz
BZX79-B2V4,113 NXP USA Inc. BZX79-B2V4,113 0.0200
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX79 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000
BSS84AK-B215 NXP USA Inc. BSS84AK-B215 -
RFQ
 ECAD 7547 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
A2T18H455W23NR6 NXP USA Inc. A2T18H455W23NR6 -
RFQ
 ECAD 3983 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 OM-1230-4L2S A2T18 1.805GHz ~ 1.88GHz LDMOS OM-1230-4L2S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935318707564 귀 99 8541.29.0075 150 10µA 1.08 a 56dBm 14.5dB - 31.5 v
PMEG4002AESFC315 NXP USA Inc. PMEG4002AESFC315 0.0500
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 9,000
BLF7G20LS-90P,112 NXP USA Inc. BLF7G20LS-90P, 112 64.1700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 활동적인 65 v 표면 표면 SOT-1121B 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS 가장 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 6 이중, 소스 일반적인 2µA 550 MA 90W 19.5dB - 28 v
BST72A,112 NXP USA Inc. BST72A, 112 -
RFQ
 ECAD 3752 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BST7 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 100 v 190ma (TA) 5V 10ohm @ 150ma, 5V 3.5V @ 1mA 20V 40 pf @ 10 v - 830MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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