| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 적극적 활동 | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRFG35002N6AT1 | - | ![]() | 5235 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 8V | 표면 실장 | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | pHEMT FET | PLD-1.5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 65mA | 158mW | 10dB | - | 6V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB1,115 | 0.0400 | ![]() | 62 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | PEMB1 | 300mW | SOT-666 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1μA | 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) | 500μA에서 150mV, 10mA | 60 @ 5mA, 5V | - | 22k옴 | 22k옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5S19150HSR5 | - | ![]() | 1527 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | NI-880S | MRF5 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | LDMOS | NI-880S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.4A | 32W | 14dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B13,143 | 0.0200 | ![]() | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 8V | 13V | 30옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMB2,115 | - | ![]() | 1278 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PUMB2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C62,115 | - | ![]() | 9309 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZT52 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C20/LF1R | - | ![]() | 6183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-C20 | 250mW | SOT-23(TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934069448215 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 14V에서 50nA | 20V | 55옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB33XN,115 | 0.0800 | ![]() | 141 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-XFDFN 외부형 패드 | MOSFET(금속) | DFN1010B-6 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 30V | 4.3A(타) | 2.5V, 4.5V | 47m옴 @ 4.3A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 7.6nC @ 4.5V | ±12V | 15V에서 505pF | - | 1.5W(Ta), 8.3W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40/ZLVL | - | ![]() | 2930 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | 쇼트키 | SOT-23(TO-236AB) | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 40V | 1V @ 40mA | 40V에서 10μA | 150°C(최대) | 120mA | 5pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG045V150EPD139 | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S9125MBR1 | - | ![]() | 7183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 68V | TO-272-4 | MRF6 | 880MHz | LDMOS | TO-272 WB-4 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950mA | 27W | 20.2dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123JU,115 | - | ![]() | 5971 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTA12 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC56-10PAS115 | 0.0600 | ![]() | 54 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC53-16PA,115 | - | ![]() | 8453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-PowerUDFN | BC53 | 420mW | 3-휴슨(2x2) | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 80V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PA1774QM,315 | - | ![]() | 4407 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 2PA17 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TYN16-600RT127 | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | TYN16 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR16/DG/B3215 | 0.0500 | ![]() | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7631-100E,118 | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 532 | N채널 | 100V | 34A(티씨) | 10V | 31m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 29.4nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1738pF | - | 96W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123EE,115 | - | ![]() | 3304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | PDTC123 | 150mW | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 30 @ 20mA, 5V | 2.2kΩ | 2.2kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C11,115 | 0.0400 | ![]() | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | SOT-663 | 265mW | SOT-663 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 8V | 11V | 10옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMD6,115 | - | ![]() | 8814 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PEMD6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP5501V,115 | - | ![]() | 6787 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMP5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7E1R6-30E,127 | - | ![]() | 8847 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | BUK7 | MOSFET(금속) | I2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 30V | 120A(Tc) | 10V | 1.6m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 154nC @ 10V | ±20V | 11960pF @ 25V | - | 349W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW62,143 | - | ![]() | 5667 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 활동적인 | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | BAW62 | 기준 | ALF2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 75V | 1V @ 100mA | 4ns | 75V에서 5μA | 200°C(최대) | 250mA | 2pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143EU,115 | - | ![]() | 4960 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTC14 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A4V7,215 | - | ![]() | 9157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX84 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA212B-600F,118 | - | ![]() | 7375 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 125°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.30.0080 | 134 | 하나의 | 30mA | 기준 | 600V | 12A | 1.5V | 95A, 105A | 25mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BW/ZL115 | 0.0200 | ![]() | 285 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5173,118 | - | ![]() | 1711 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | ON51 | - | - | D2PAK | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934057198118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN49EN,165 | - | ![]() | 6071 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | PMN4 | MOSFET(금속) | SC-74 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934061119165 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N채널 | 30V | 4.6A(Tc) | 4.5V, 10V | 47m옴 @ 2A, 10V | 2V @ 1mA | 8.8nC @ 4.5V | ±20V | 350pF @ 30V | - | 1.75W(Tc) |

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