SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 전류 - 유지(Ih)(최대) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 전압 - 온상태(Vtm)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 현재 - 일시적 상태(최대) SCR 유형 모델 지수 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
BUK9E1R9-40E NXP USA Inc. BUK9E1R9-40E 1.0000
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ECAD 1158 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1
MMRF1312HSR5 NXP USA Inc. MMRF1312HSR5 653.5300
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ECAD 36 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 112V 방역 NI-1230-4S MMRF1312 1.034GHz LDMOS NI-1230-4S 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 2개 - 100mA 1000W 19.6dB - 50V
BUK952R8-60E,127 NXP USA Inc. BUK952R8-60E,127 -
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ECAD 1887년 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BUK95 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 120A(Tc) 5V, 10V 2.6m옴 @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 120nC @ 5V ±10V 17450pF @ 25V - 349W(Tc)
BUK9675-100A/C1J NXP USA Inc. BUK9675-100A/C1J -
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ECAD 2570 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 BUK96 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500
MRF8P29300HSR6 NXP USA Inc. MRF8P29300HSR6 -
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ECAD 6068 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 NI-1230S MRF8 2.9GHz LDMOS NI-1230S - ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 935310588128 EAR99 8541.29.0075 150 2개 - 100mA 320W 13.3dB - 30V
PDTA114YMB,315 NXP USA Inc. PDTA114YMB,315 0.0300
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ECAD 152 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 실장 SC-101, SOT-883 PDTA114 250mW DFN1006B-3 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100mA 1μA PNP - 사전 바이어스됨 250μA에서 100mV, 5mA 100 @ 5mA, 5V 180MHz 10kΩ 47kΩ
BUK9Y104-100B,115 NXP USA Inc. BUK9Y104-100B,115 1.0000
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ECAD 1854년 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 MOSFET(금속) LFPAK56, 전원-SO8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1 N채널 100V 14.8A(Tc) 5V, 10V 99m옴 @ 5A, 10V 2.15V @ 1mA 11nC @ 5V ±15V 25V에서 1139pF - 59W(Tc)
BFG540,215 NXP USA Inc. BFG540,215 -
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ECAD 5084 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-253-4, TO-253AA BFG54 400mW SOT-143B 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 - 15V 120mA NPN 60 @ 40mA, 8V 9GHz 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz
BLF4G20LS-110B,112 NXP USA Inc. BLF4G20LS-110B,112 -
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ECAD 3899 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 SOT-502B BLF4 1.93GHz ~ 1.99GHz LDMOS SOT502B 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 60 12A 650mA 100W 13.4dB - 28V
BF1101,215 NXP USA Inc. BF1101,215 -
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ECAD 4938 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 7V 표면 실장 TO-253-4, TO-253AA BF110 800MHz MOSFET SOT-143B 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 듀얼 모듈 30mA 12mA - - 1.7dB 5V
PEMH11,315 NXP USA Inc. PEMH11,315 -
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ECAD 4717 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 실장 SOT-563, SOT-666 PEMH11 300mW SOT-666 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100mA 1μA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 500μA에서 150mV, 10mA 30 @ 5mA, 5V - 10k옴 10k옴
MBC13900T1 NXP USA Inc. MBC13900T1 -
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ECAD 9617 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-82A, SOT-343 MBC13 188mW SOT-343 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 5A991G 8541.21.0075 3,000 15dB ~ 22dB 6.5V 20mA NPN 100 @ 5mA, 2V 15GHz 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz
MRF6S21190HR3 NXP USA Inc. MRF6S21190HR3 -
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ECAD 6484 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 방역 SOT-957A MRF6 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS NI-880H-2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 250 - 1.6A 54W 16dB - 28V
MRF6S19140HR3 NXP USA Inc. MRF6S19140HR3 -
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ECAD 5183 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 방역 SOT-957A MRF6 1.93GHz ~ 1.99GHz LDMOS NI-880H-2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.15A 29W 16dB - 28V
BAV170QA147 NXP USA Inc. BAV170QA147 0.0300
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ECAD 164 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0070 1
BFG540/XR,215 NXP USA Inc. BFG540/XR,215 -
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ECAD 3122 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-143R BFG54 400mW SOT-143R 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 - 15V 120mA NPN 100 @ 40mA, 8V 9GHz 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
BYC8DX-600,127 NXP USA Inc. BYC8DX-600,127 0.4100
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ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 스루홀 TO-220-2 풀팩 기준 TO-220F 다운로드 EAR99 8541.10.0080 740 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 2.9V @ 8A 20ns 600V에서 40μA 150°C(최대) 8A -
PDZ6.8B/ZL115 NXP USA Inc. PDZ6.8B/ZL115 -
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ECAD 6779 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0050 3,000
PMZ550UNE315 NXP USA Inc. PMZ550UNE315 -
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ECAD 6723 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 10,000
1N4148,113 NXP USA Inc. 1N4148,113 -
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ECAD 2136 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 1N4148 기준 ALF2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 10,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 100V 1V @ 10mA 4ns 25nA @ 20V 200°C(최대) 200mA 4pF @ 0V, 1MHz
MRF7S18170HR3 NXP USA Inc. MRF7S18170HR3 -
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ECAD 6537 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 SOT-957A MRF7 1.81GHz LDMOS NI-880H-2L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 250 - 1.4A 50W 17.5dB - 28V
BF1105WR,135 NXP USA Inc. BF1105WR,135 -
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ECAD 9482 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 7V 표면 실장 SC-82A, SOT-343 BF110 800MHz MOSFET CMPAK-4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934050320135 EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 듀얼 모듈 30mA - 20dB 1.7dB 5V
MRFE6S9205HSR5 NXP USA Inc. MRFE6S9205HSR5 -
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ECAD 6531 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 66V 표면 실장 NI-880S MRFE6 880MHz LDMOS NI-880S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 50 - 1.4A 58W 21.2dB - 28V
BZX884-C30,315 NXP USA Inc. BZX884-C30,315 0.0300
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ECAD 97 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX884 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 10,000
BUK9608-55,118 NXP USA Inc. BUK9608-55,118 -
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ECAD 2196 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB BUK96 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 55V 75A(Tc) 5V 8m옴 @ 25A, 5V 2V @ 1mA ±10V 6900pF @ 25V - 187W(Tc)
BZX84J-B2V4,115 NXP USA Inc. BZX84J-B2V4,115 -
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ECAD 5378 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX84 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000
2PB709AR,115 NXP USA Inc. 2PB709AR,115 -
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ECAD 6089 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2PB70 250mW SMT3; MPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 15,000 45V 100mA 10nA(ICBO) PNP 500mV @ 10mA, 100mA 210 @ 2mA, 10V 70MHz
EC103D1,116 NXP USA Inc. EC103D1,116 1.0000
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ECAD 3613 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 - 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.30.0080 1 5mA 400V 800mA 800mV 8A, 9A 12μA 1.35V 500mA 100μA 프로세서 카드보드
BZX84-B2V7,215 NXP USA Inc. BZX84-B2V7,215 0.0200
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ECAD 128 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX84 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000
PZU3.9B2,115 NXP USA Inc. PZU3.9B2,115 -
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ECAD 6048 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PZU3.9 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고