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불연속 불연속 제품 (6133)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 최대 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
PDTC114YU,115 NXP USA Inc. PDTC114YU, 115 0.0200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 PDTC114 200 MW SOT-323 다운로드 귀 99 8541.21.0075 17,125 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 230MHz 10 KOHMS 47 Kohms
PMST6429,115 NXP USA Inc. PMST6429,115 0.0200
RFQ
 ECAD 941 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1 45 v 100 MA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 500 @ 100µa, 5V 700MHz
PDTA114YM,315 NXP USA Inc. PDTA114YM, 315 -
RFQ
 ECAD 7076 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA11 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000
BZX79-B13,143 NXP USA Inc. BZX79-B13,143 0.0200
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 400MW ALF2 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
A3I25D080GNR1 NXP USA Inc. A3I25D080GNR1 30.4350
RFQ
 ECAD 8365 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v 표면 표면 to-270-17 0, 갈매기 날개 2.3GHz ~ 2.69GHz LDMOS TO-270WBG-17 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 568-A3I25D080GNR1TR 귀 99 8542.33.0001 500 이중 10µA 175 MA 8.3W 29.2db - 28 v
BUK9240-100A/C1,11 NXP USA Inc. BUK9240-100A/C1,11 -
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 ECAD 7675 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 buk92 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934061623118 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 33A (TC) 4.5V, 10V 38.6MOHM @ 25A, 10V 2V @ 1mA ± 10V 3072 pf @ 25 v - 114W (TC)
BZX84-C4V3/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C4V3/LF1VL -
RFQ
 ECAD 9688 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C4V3 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069494235 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
BZX884-C9V1,315 NXP USA Inc. BZX884-C9V1,315 0.0300
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX884 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000
BAP64-05,215 NXP USA Inc. BAP64-05,215 0.3600
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAP64 SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 100 MA 250 MW 0.35pf @ 20V, 1MHz 핀 -1 쌍의 1 캐소드 175v 1.35ohm @ 100ma, 100mhz
2PA1774QM,315 NXP USA Inc. 2PA1774QM, 315 -
RFQ
 ECAD 4407 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 2PA17 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000
BYC20X-600P127 NXP USA Inc. BYC20X-600P127 0.7600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 1
PDTC124ET,215 NXP USA Inc. PDTC124ET, 215 0.0200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTC12 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
BB182,315 NXP USA Inc. BB182,315 -
RFQ
 ECAD 6621 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BB18 SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934047500315 귀 99 8541.10.0070 8,000 2.89pf @ 28V, 1MHz 하나의 32 v 22 C1/C28 -
BTA2008W-600D NXP USA Inc. BTA2008W-600D -
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PZU3.6BA115 NXP USA Inc. PZU3.6BA115 1.0000
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BZX585-C36115 NXP USA Inc. BZX585-C36115 -
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BF909R,215 NXP USA Inc. BF909R, 215 -
RFQ
 ECAD 8338 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 7 v 표면 표면 SOT-143R BF909 800MHz MOSFET SOT-143R 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 게이트 게이트 듀얼 40ma 15 MA - - 2db 5 v
PMEG045V150EPD139 NXP USA Inc. PMEG045V150EPD139 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 1
PDTA123YT,215 NXP USA Inc. PDTA123YT, 215 0.0200
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA12 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
BZX84-A12215 NXP USA Inc. BZX84-A12215 -
RFQ
 ECAD 7332 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BC856BT,115 NXP USA Inc. BC856BT, 115 -
RFQ
 ECAD 6833 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-75, SOT-416 BC856 150 MW SC-75 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 100ma 220 @ 2MA, 5V 100MHz
MRF6VP41KHR6 NXP USA Inc. MRF6VP41KHR6 -
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 ECAD 5850 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 110 v 섀시 섀시 NI-1230 MRF6 450MHz LDMOS NI-1230 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 150 이중 - 150 MA 1000W 20dB - 50 v
PMEG6020AELR115 NXP USA Inc. PMEG6020ALR115 -
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PMEG6020 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 3,000
BF1208D,115 NXP USA Inc. BF1208D, 115 -
RFQ
 ECAD 7972 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 6 v 표면 표면 SOT-563, SOT-666 BF120 400MHz MOSFET SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 게이트 게이트 듀얼 30ma 19 MA - 32db 0.9dB 5 v
PDTC143EQA147 NXP USA Inc. PDTC143EQA147 -
RFQ
 ECAD 4512 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1
BZX84-B13/LF1R NXP USA Inc. BZX84-B13/LF1R -
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B13 250 MW SOT-23 (TO-236AB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069389215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
BSP126,115 NXP USA Inc. BSP126,115 -
RFQ
 ECAD 7230 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BSP1 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
MRF8S9202GNR3 NXP USA Inc. MRF8S9202GNR3 -
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 70 v 표면 표면 OM-780-2 MRF8 920MHz MOSFET OM-780-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935319678528 귀 99 8541.29.0095 250 n 채널 - 1.3 a 58W 19db - 28 v
BA277,135 NXP USA Inc. BA277,135 -
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 BA27 SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934054935135 귀 99 8541.10.0070 10,000 100 MA 715 MW 1.2pf @ 6V, 1MHz 표준 - 단일 35V -
A2V09H400-04NR3 NXP USA Inc. A2V09H400-04NR3 96.6966
RFQ
 ECAD 3828 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 105 v 표면 표면 OM-780-4L A2V09 720MHz ~ 960MHz LDMOS OM-780-4L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 10µA 688 MA 107W 17.9dB - 48 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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