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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 전류 - 유지(Ih)(최대) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 대책악 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 모델 지수 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
BZX84J-C62115 NXP USA Inc. BZX84J-C62115 -
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ECAD 9742 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1
BZX84J-C6V2,115 NXP USA Inc. BZX84J-C6V2,115 0.0300
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ECAD 1255 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SC-90, SOD-323F 550mW SOD-323F 다운로드 EAR99 8541.10.0050 4,515 1.1V @ 100mA 4V에서 3μA 6.2V 10옴
BLF7G22L-130112 NXP USA Inc. BLF7G22L-130112 80.9000
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ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 5A991G 8541.29.0075 1
BUK98150-55A,135 NXP USA Inc. BUK98150-55A,135 -
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ECAD 8411 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BUK98 MOSFET(금속) SC-73 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 55V 5.5A(Tc) 4.5V, 10V 137m옴 @ 5A, 10V 2V @ 1mA 5.3nC @ 5V ±15V 320pF @ 25V - 8W(Tc)
BUK9Y12-55B,115 NXP USA Inc. BUK9Y12-55B,115 -
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ECAD 8017 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 MOSFET(금속) LFPAK56, 전원-SO8 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1 N채널 55V 61.8A(Tc) 5V, 10V 11m옴 @ 20A, 10V 2.15V @ 1mA 32nC @ 5V ±15V 25V에서 2880pF - 106W(Tc)
BCX52,115 NXP USA Inc. BCX52,115 0.0700
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ECAD 17 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BCX52 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000
PSMN050-80PS,127 NXP USA Inc. PSMN050-80PS,127 -
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ECAD 2962 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 PSMN0 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 22A(TC) 10V 51m옴 @ 10A, 10V 4V @ 1mA 11nC @ 10V ±20V 12V에서 633pF - 56W(Tc)
BZX84-C11/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C11/LF1VL -
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ECAD 9893 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C11 250mW SOT-23(TO-236AB) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934069417235 EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 11V 20옴
BUK9535-55,127 NXP USA Inc. BUK9535-55,127 -
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ECAD 8418 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BUK95 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934050420127 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 55V 34A(티씨) 5V 35m옴 @ 17A, 5V 2V @ 1mA ±10V 25V에서 1400pF - 85W(Tc)
MRF7S38010HR3 NXP USA Inc. MRF7S38010HR3 -
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ECAD 1700 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 NI-400-240 MRF7 3.4GHz ~ 3.6GHz LDMOS NI-400-240 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 250 - 160mA 2W 15dB - 30V
BZX79-B3V3,133 NXP USA Inc. BZX79-B3V3,133 0.0200
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ECAD 70 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 1V에서 5μA 3.3V 95옴
PSMN2R8-25MLC115 NXP USA Inc. PSMN2R8-25MLC115 -
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ECAD 5178 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1
BUK7Y98-80E,115 NXP USA Inc. BUK7Y98-80E,115 -
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ECAD 2693 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
1PS301/ZLX NXP USA Inc. 1PS301/ZLX -
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ECAD 4847 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-70, SOT-323 1PS301 기준 SC-70 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍씩 시작됩니다 80V 250mA(DC) 1.2V @ 100mA 4ns 80V에서 500nA 150°C(최대)
PMBS3906,235 NXP USA Inc. PMBS3906,235 0.0200
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ECAD 38 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 40V 100mA 50nA(ICBO) PNP 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 150MHz
PMMT491A,215 NXP USA Inc. PMMT491A,215 0.0400
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ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PMMT4 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000
BZX84-C16/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C16/LF1R -
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ECAD 2176 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C16 250mW SOT-23(TO-236AB) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934069444215 EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 11.2V에서 50nA 16V 40옴
BT138-800/DG,127 NXP USA Inc. BT138-800/DG,127 0.4700
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ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 TO-220AB 다운로드 EAR99 8541.30.0080 642 하나의 30mA 기준 800V 12A 1.5V 95A, 105A 35mA
PHK12NQ10T,518 NXP USA Inc. PHK12NQ10T,518 -
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ECAD 3680 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) PHK12 MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 11.6A(Tc) 10V 28m옴 @ 6A, 10V 4V @ 1mA 35nC @ 10V ±20V 1965pF @ 25V - 8.9W(Tc)
BZX79-C20,143 NXP USA Inc. BZX79-C20,143 0.0200
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ECAD 189 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 스루홀 DO-204AH, DO-35, 축방향 400mW ALF2 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 14V에서 50nA 20V 55옴
BZX284-C30,115 NXP USA Inc. BZX284-C30,115 -
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ECAD 3462 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-110 BZX284 400mW SOD-110 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V @ 100mA 50nA @ 21V 30V 40옴
PMZB290UN/FYL NXP USA Inc. PMZB290UN/FYL -
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ECAD 3171 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 PMZB29 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1
PDTC143XK,115 NXP USA Inc. PDTC143XK,115 -
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ECAD 7787 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC143 250mW SMT3; MPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 1μA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 100mV, 10mA 50 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 10kΩ
MRF8S23120HSR5 NXP USA Inc. MRF8S23120HSR5 -
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ECAD 7190 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 NI-780S MRF8 2.3GHz LDMOS NI-780S - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 50 - 800mA 28W 16dB - 28V
BZX84-B3V3,215 NXP USA Inc. BZX84-B3V3,215 -
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ECAD 3419 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX84 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000
MRF6V3090NR1 NXP USA Inc. MRF6V3090NR1 -
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ECAD 4392 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 110V 표면 실장 TO-270AB MRF6 860MHz LDMOS TO-270 WB-4 - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 500 - 350mA 18W 22dB - 50V
1N4743A,113 NXP USA Inc. 1N4743A,113 0.0400
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ECAD 408 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 1N47 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 5,000
MRFE6VP61K25NR6 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25NR6 182.7500
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 133V 표면 실장 OM-1230-4L MRFE6 230MHz LDMOS OM-1230-4L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 150 2개 - 100mA 1250W 23dB - 50V
MRF5S9150HSR3 NXP USA Inc. MRF5S9150HSR3 -
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ECAD 4217 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 방역 SOT-957A MRF5 880MHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 250 - 1.5A 33W 19.7dB - 28V
BLF8G22L-160BV,112 NXP USA Inc. BLF8G22L-160BV,112 -
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ECAD 9961 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 활동적인 방역 SOT-1120B BLF8G22 - - CDFM6 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 20 - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고