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불연속 불연속 제품 (6133)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 현재 현재 (amp) 현재 - 최대 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 노이즈 노이즈 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
MRF6S23100HSR3 NXP USA Inc. MRF6S23100HSR3 -
RFQ
 ECAD 8454 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 섀시 섀시 NI-780S MRF6 2.4GHz LDMOS NI-780S 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 250 - 1 a 20W 15.4dB - 28 v
BZB984-C8V2115 NXP USA Inc. BZB984-C8V2115 -
RFQ
 ECAD 8086 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
PBLS2003D,115 NXP USA Inc. PBLS2003D, 115 -
RFQ
 ECAD 7127 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBLS20 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
PBSM5240PF,115 NXP USA Inc. PBSM5240pf, 115 -
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBSM5 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
BUK7K134-100EX NXP USA Inc. BUK7K134-100EX -
RFQ
 ECAD 1443 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK7K134 MOSFET (금속 (() 32W LFPAK56D 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 100V 9.8A 121mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 10.5nc @ 10v 564pf @ 25v -
BC69PASX NXP USA Inc. BC69PASX 0.0700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 420 MW DFN2020D-3 다운로드 귀 99 8541.29.0075 1 20 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 200ma, 2a 85 @ 500ma, 1V 140MHz
BZX79-C56133 NXP USA Inc. BZX79-C56133 1.0000
RFQ
 ECAD 9093 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1
BZX284-B2V7,115 NXP USA Inc. BZX284-B2V7,115 -
RFQ
 ECAD 2394 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
BZX79-C27,143 NXP USA Inc. BZX79-C27,143 0.0200
RFQ
 ECAD 194 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX79 - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000
MRFE6S9200HR3 NXP USA Inc. MRFE6S9200HR3 -
RFQ
 ECAD 9474 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 66 v 섀시 섀시 SOT-957A mrfe6 880MHz LDMOS NI-880H-2L 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 1.4 a 58W 21db - 28 v
BB187,135 NXP USA Inc. BB187,135 -
RFQ
 ECAD 5161 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BB18 SOD-523 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934055720135 귀 99 8541.10.0070 10,000 2.92pf @ 25V, 1MHz 하나의 32 v 11 C2/C25 -
AFT21S140W02GSR3 NXP USA Inc. AFT21S140W02GSR3 -
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 NI-780GS-2L AFT21 2.14GHz LDMOS NI-780GS-2L - ROHS3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935324832128 5A991G 8541.29.0075 250 - 800 MA 32W 19.3db - 28 v
J3E081CA4/S1ACH49J NXP USA Inc. J3E081CA4/S1ACH49J -
RFQ
 ECAD 4633 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J3E0 - ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
PBLS2021D,115 NXP USA Inc. PBLS2021D, 115 -
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBLS20 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
BAP70-04W,115 NXP USA Inc. BAP70-04W, 115 -
RFQ
 ECAD 1785 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 BAP70 SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 100 MA 260 MW 0.3pf @ 20V, 1MHz 핀 -1 쌍 1 연결 50V 1.9ohm @ 100ma, 100MHz
MRF6VP11KGSR5 NXP USA Inc. MRF6VP11KGSR5 -
RFQ
 ECAD 9749 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 110 v 섀시 섀시 NI-1230S-4 GW MRF6 130MHz LDMOS NI-1230S-4 갈매기 다운로드 ROHS3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935314866178 5A991G 8541.29.0095 50 이중 - 150 MA 1000W 26db - 50 v
BC847BQAZ NXP USA Inc. BC847BQAZ -
RFQ
 ECAD 9543 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 280 MW DFN1010D-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BCP69-16/S500115 NXP USA Inc. BCP69-16/S500115 0.0600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0075 4,683
NZX8V2B,133 NXP USA Inc. NZX8V2B, 133 0.0200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 NZX8 - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000
BLP8G10S-45PJ NXP USA Inc. blp8g10s-45pj -
RFQ
 ECAD 7922 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v 표면 표면 SOT-1223-1 blp8 952.5MHz ~ 957.5MHz LDMOS 4-HSOPF 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 934067371118 귀 99 8541.29.0095 100 이중 - 224 MA 2.5W 20.8dB - 28 v
MRF7S21210HSR3 NXP USA Inc. MRF7S21210HSR3 -
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-780S MRF7 2.17GHz LDMOS NI-780S 다운로드 ROHS3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 1.4 a 63W 18.5dB - 28 v
BZB84-B8V2,215 NXP USA Inc. BZB84-B8V2,215 -
RFQ
 ECAD 6976 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZB84 - ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
BT151X-650C,127 NXP USA Inc. BT151X-650C, 127 -
RFQ
 ECAD 4447 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TO-220F - ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 20 MA 650 v 12 a 1.5 v 100A, 110A 15 MA 1.75 v 7.5 a 500 µA 표준 표준
BAP70-02,115 NXP USA Inc. BAP70-02,115 0.3500
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 BAP70 SOD-523 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 100 MA 415 MW 0.25pf @ 20V, 1MHz 핀 - 단일 50V 1.9ohm @ 100ma, 100MHz
BAP63-05W,115 NXP USA Inc. BAP63-05W, 115 -
RFQ
 ECAD 2670 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 BAP63 SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 100 MA 240 MW 0.35pf @ 20V, 1MHz 핀 -1 쌍의 1 캐소드 50V 1.5ohm @ 100ma, 100MHz
BZX585-B5V1,135 NXP USA Inc. BZX585-B5V1,135 1.0000
RFQ
 ECAD 4600 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BTA212B-600F,118 NXP USA Inc. BTA212B-600F, 118 -
RFQ
 ECAD 7375 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB D2PAK 다운로드 귀 99 8541.30.0080 134 하나의 30 MA 기준 600 v 12 a 1.5 v 95a, 105a 25 MA
BZX384-C2V4/ZLX NXP USA Inc. BZX384-C2V4/ZLX -
RFQ
 ECAD 4794 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068671115 쓸모없는 0000.00.0000 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 700 mV 2.4 v 100 옴
BT136-600/DG,127 NXP USA Inc. BT136-600/dg, 127 1.0000
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220AB 다운로드 귀 99 8541.30.0080 1 하나의 15 MA 기준 600 v 4 a 1.5 v 25a, 27a 35 MA
1N4746A,113 NXP USA Inc. 1N4746A, 113 0.0400
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 1N47 다운로드 ROHS3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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