| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMPB40SNA115 | 0.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UDFN 옆패드 | MOSFET(금속) | DFN2020MD-6 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 60V | 12.9A(Tc) | 4.5V, 10V | 43m옴 @ 4.8A, 10V | 3V @ 250μA | 24nC @ 10V | ±20V | 30V에서 612pF | - | 1.7W(Ta), 12.5W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T27S007NT1 | - | ![]() | 7529 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 28V | 표면 실장 | 16-VDFN 보조형 패드 | A2T27 | 728MHz ~ 3.6GHz | LDMOS | 16-DFN(4x6) | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 28.8dBm | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU18B2A,115 | 0.0300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PZU18 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C47,315 | 0.0300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX884 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYD37M,115 | - | ![]() | 7130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SOD-87 | BYD37 | 눈사태 | 멜프 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1000V | 1.3V @ 1A | 300ns | 1000V에서 1μA | -65°C ~ 175°C | 600mA | 20pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP70AM/A115 | 0.2200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS2003D,115 | - | ![]() | 7127 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBLS20 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B3V9,315 | - | ![]() | 7950 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 900mV @ 10mA | 3μA @ 1V | 3.9V | 90옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6607-55C,118 | 0.8500 | ![]() | 400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 55V | 100A(Tc) | 10V | 6.5m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 82nC @ 10V | ±16V | 5160pF @ 25V | - | 158W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PQMD12Z | 0.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | 6-XFDFN 옆형 패드 | PQMD12 | 350mW | DFN1010B-6 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) | 500μA에서 150mV, 10mA | 80 @ 5mA, 5V | 230MHz, 180MHz | 47k옴 | 47k옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK663R5-30C,118 | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK66 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7226-75A/C1,118 | - | ![]() | 6908 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | BUK7226 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934061629118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 75V | 45A(Tc) | 10V | 26m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 48nC @ 10V | ±20V | 2385pF @ 25V | - | 158W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMZB200UNE315 | 0.0600 | ![]() | 156 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16/DG/B4215 | 0.0200 | ![]() | 5090 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BAS16 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA113ZM315 | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8542.21.0095 | 15,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C22,115 | - | ![]() | 1582 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZV90 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7275-100A,118 | - | ![]() | 4049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK72 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT23H160-25SR3 | - | ![]() | 6164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-880X-4L4S-8 | AFT23 | 2.3GHz | LDMOS | NI-880X-4L4S-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935320681128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 2개 | - | 450mA | 32W | 16.7dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C51115 | - | ![]() | 7283 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847QASX | - | ![]() | 4250 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-XFDFN 옆형 패드 | BC847 | 230mW | DFN1010B-6 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934068722115 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN, PNP 상보형 | 500μA에서 100mV, 10mA | 200 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S21130HR5 | - | ![]() | 7804 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-957A | MRF5 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | LDMOS | NI-880H-2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.2A | 28W | 13.5dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHD23NQ10T,118 | - | ![]() | 1385 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | PHD23 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 23A(TC) | 10V | 70m옴 @ 13A, 10V | 4V @ 1mA | 22nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1187pF | - | 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA124EM,315 | 0.0300 | ![]() | 130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTA124 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2I25H060NR1 | - | ![]() | 3321 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | TO-270-17 변형, 편평형 | A2I25 | 2.59GHz | LDMOS | TO-270WB-17 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935322312528 | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | 2개 | - | 26mA | 10.5W | 26.1dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BY459X-1500S,127 | - | ![]() | 2238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-220-2 풀팩 | BY45 | 기준 | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934052990127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1500V | 1.35V @ 6.5A | 220ns | 1300V에서 250μA | 150°C(최대) | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF420,112 | - | ![]() | 8505 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | BF420 | 830mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 300V | 50mA | 10nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 30mA | 50 @ 25mA, 20V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143XM315 | 0.0200 | ![]() | 103 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS305PZ,135 | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBSS3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B3V6,215 | - | ![]() | 4151 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZB84 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT2222AYS115 | 0.0300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMBT2222 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 |

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