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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
BUK6510-75C,127 NXP USA Inc. BUK6510-75C,127 -
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ECAD 4920 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 북65 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 75V 77A (Tc) 4.5V, 10V 10.4m옴 @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 81nC @ 10V ±16V 5251pF @ 25V - 158W(Tc)
BLS2731-10,114 NXP USA Inc. BLS2731-10,114 -
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ECAD 9526 0.00000000 NXP USA Inc. - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 200°C (TJ) 표면 실장 SOT-445C BLS2 145W CDFM2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 4 10dB 75V 1.5A NPN 40 @ 250mA, 5V 3.1GHz -
BUJD203A,127 NXP USA Inc. BUJD203A,127 0.3000
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 80W TO-220AB 다운로드 EAR99 8541.29.0095 875 425V 4A 100μA NPN 1V @ 600mA, 3A 11 @ 2A, 5V -
PHD13005,127 NXP USA Inc. PHD13005,127 0.1900
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ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PHD13 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000
BZV55-C2V7,115 NXP USA Inc. BZV55-C2V7,115 -
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ECAD 9353 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZV55 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 2,500
BZX284-B47,115 NXP USA Inc. BZX284-B47,115 -
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ECAD 9422 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-110 BZX284 400mW SOD-110 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000 1.1V @ 100mA 50nA @ 32.9V 47V 90옴
BUK7624-55,118 NXP USA Inc. BUK7624-55,118 -
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ECAD 2846 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB BUK76 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 55V 45A(Tc) 10V 24m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA ±16V 25V에서 1500pF - 103W(Tc)
BZV55-B47115 NXP USA Inc. BZV55-B47115 1.0000
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ECAD 6712 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1
PDTD123EU115 NXP USA Inc. PDTD123EU115 0.0300
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ECAD 24 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000
BZX84-C4V3/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C4V3/LF1R -
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ECAD 3119 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±5% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C4V3 250mW SOT-23(TO-236AB) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934069494215 EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 3μA @ 1V 4.3V 90옴
BC850BW,115 NXP USA Inc. BC850BW,115 -
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ECAD 3870 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC85 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000
AFT05MP075N-54M NXP USA Inc. AFT05MP075N-54M 514.8700
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ECAD 5002 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 568-AFT05MP075N-54M 1
BZX79-B12,133 NXP USA Inc. BZX79-B12,133 -
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ECAD 2105 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX79 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 10,000
PMST5088,115 NXP USA Inc. PMST5088,115 0.0200
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ECAD 521 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 200mW SOT-323 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 30V 100mA 50nA(ICBO) NPN 500mV @ 1mA, 10mA 300 @ 100μA, 5V 100MHz
PZU15B,115 NXP USA Inc. PZU15B,115 0.0300
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ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PZU15 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000
BUK9Y53-100B,115 NXP USA Inc. BUK9Y53-100B,115 -
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ECAD 9132 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BUK9 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500
PBSS2515E,115 NXP USA Inc. PBSS2515E,115 -
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ECAD 5287 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-75, SOT-416 PBSS2 250mW SC-75 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 15V 500mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 50mA, 500mA 150 @ 100mA, 2V 420MHz
PMPB40SNA115 NXP USA Inc. PMPB40SNA115 0.3200
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 MOSFET(금속) DFN2020MD-6 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 60V 12.9A(Tc) 4.5V, 10V 43m옴 @ 4.8A, 10V 3V @ 250μA 24nC @ 10V ±20V 30V에서 612pF - 1.7W(Ta), 12.5W(Tc)
A2T27S007NT1 NXP USA Inc. A2T27S007NT1 -
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ECAD 7529 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 28V 표면 실장 16-VDFN 보조형 패드 A2T27 728MHz ~ 3.6GHz LDMOS 16-DFN(4x6) - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 - 28.8dBm - -
PZU18B2A,115 NXP USA Inc. PZU18B2A,115 0.0300
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ECAD 33 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PZU18 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000
BZX884-C47,315 NXP USA Inc. BZX884-C47,315 0.0300
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ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZX884 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 10,000
BYD37M,115 NXP USA Inc. BYD37M,115 -
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ECAD 7130 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOD-87 BYD37 눈사태 멜프 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1000V 1.3V @ 1A 300ns 1000V에서 1μA -65°C ~ 175°C 600mA 20pF @ 0V, 1MHz
BAP70AM/A115 NXP USA Inc. BAP70AM/A115 0.2200
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ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0070 3,000
PBLS2003D,115 NXP USA Inc. PBLS2003D,115 -
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ECAD 7127 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PBLS20 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000
BZX884-B3V9,315 NXP USA Inc. BZX884-B3V9,315 -
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ECAD 7950 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 0000.00.0000 1 900mV @ 10mA 3μA @ 1V 3.9V 90옴
BUK6607-55C,118 NXP USA Inc. BUK6607-55C,118 0.8500
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ECAD 400 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 400 N채널 55V 100A(Tc) 10V 6.5m옴 @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 82nC @ 10V ±16V 5160pF ​​​​@ 25V - 158W(Tc)
PQMD12Z NXP USA Inc. PQMD12Z 0.0400
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 실장 6-XFDFN 옆형 패드 PQMD12 350mW DFN1010B-6 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 500μA에서 150mV, 10mA 80 @ 5mA, 5V 230MHz, 180MHz 47k옴 47k옴
BUK663R5-30C,118 NXP USA Inc. BUK663R5-30C,118 0.4300
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ECAD 8 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BUK66 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 800
BUK7226-75A/C1,118 NXP USA Inc. BUK7226-75A/C1,118 -
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ECAD 6908 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 BUK7226 MOSFET(금속) DPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934061629118 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 75V 45A(Tc) 10V 26m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 48nC @ 10V ±20V 2385pF @ 25V - 158W(Tc)
PMZB200UNE315 NXP USA Inc. PMZB200UNE315 0.0600
보상요청
ECAD 156 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 10,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고