| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK6510-75C,127 | - | ![]() | 4920 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 북65 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 75V | 77A (Tc) | 4.5V, 10V | 10.4m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 81nC @ 10V | ±16V | 5251pF @ 25V | - | 158W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLS2731-10,114 | - | ![]() | 9526 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 200°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-445C | BLS2 | 145W | CDFM2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 4 | 10dB | 75V | 1.5A | NPN | 40 @ 250mA, 5V | 3.1GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUJD203A,127 | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 80W | TO-220AB | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 875 | 425V | 4A | 100μA | NPN | 1V @ 600mA, 3A | 11 @ 2A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHD13005,127 | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PHD13 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C2V7,115 | - | ![]() | 9353 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZV55 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-B47,115 | - | ![]() | 9422 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-110 | BZX284 | 400mW | SOD-110 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 50nA @ 32.9V | 47V | 90옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7624-55,118 | - | ![]() | 2846 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK76 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 55V | 45A(Tc) | 10V | 24m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | ±16V | 25V에서 1500pF | - | 103W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B47115 | 1.0000 | ![]() | 6712 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD123EU115 | 0.0300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C4V3/LF1R | - | ![]() | 3119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-C4V3 | 250mW | SOT-23(TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934069494215 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 3μA @ 1V | 4.3V | 90옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC850BW,115 | - | ![]() | 3870 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BC85 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT05MP075N-54M | 514.8700 | ![]() | 5002 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 568-AFT05MP075N-54M | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B12,133 | - | ![]() | 2105 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX79 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMST5088,115 | 0.0200 | ![]() | 521 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30V | 100mA | 50nA(ICBO) | NPN | 500mV @ 1mA, 10mA | 300 @ 100μA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU15B,115 | 0.0300 | ![]() | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PZU15 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9Y53-100B,115 | - | ![]() | 9132 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK9 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS2515E,115 | - | ![]() | 5287 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | PBSS2 | 250mW | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN | 250mV @ 50mA, 500mA | 150 @ 100mA, 2V | 420MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB40SNA115 | 0.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UDFN 옆패드 | MOSFET(금속) | DFN2020MD-6 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 60V | 12.9A(Tc) | 4.5V, 10V | 43m옴 @ 4.8A, 10V | 3V @ 250μA | 24nC @ 10V | ±20V | 30V에서 612pF | - | 1.7W(Ta), 12.5W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T27S007NT1 | - | ![]() | 7529 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 28V | 표면 실장 | 16-VDFN 보조형 패드 | A2T27 | 728MHz ~ 3.6GHz | LDMOS | 16-DFN(4x6) | - | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 28.8dBm | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU18B2A,115 | 0.0300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PZU18 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C47,315 | 0.0300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX884 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYD37M,115 | - | ![]() | 7130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SOD-87 | BYD37 | 눈사태 | 멜프 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1000V | 1.3V @ 1A | 300ns | 1000V에서 1μA | -65°C ~ 175°C | 600mA | 20pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP70AM/A115 | 0.2200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS2003D,115 | - | ![]() | 7127 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBLS20 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B3V9,315 | - | ![]() | 7950 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 900mV @ 10mA | 3μA @ 1V | 3.9V | 90옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6607-55C,118 | 0.8500 | ![]() | 400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 55V | 100A(Tc) | 10V | 6.5m옴 @ 25A, 10V | 2.8V @ 1mA | 82nC @ 10V | ±16V | 5160pF @ 25V | - | 158W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PQMD12Z | 0.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | 6-XFDFN 옆형 패드 | PQMD12 | 350mW | DFN1010B-6 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) | 500μA에서 150mV, 10mA | 80 @ 5mA, 5V | 230MHz, 180MHz | 47k옴 | 47k옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK663R5-30C,118 | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK66 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7226-75A/C1,118 | - | ![]() | 6908 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | BUK7226 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934061629118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 75V | 45A(Tc) | 10V | 26m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 48nC @ 10V | ±20V | 2385pF @ 25V | - | 158W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMZB200UNE315 | 0.0600 | ![]() | 156 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 |

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