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불연속 불연속 제품 (6133)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BUK7905-40AIE,127 NXP USA Inc. BUK7905-40AIE, 127 -
RFQ
 ECAD 7293 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BUK79 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
PMEG1201AESF/S50YL NXP USA Inc. PMEG1201AESF/S50YL -
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 쓸모없는 PMEG1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
PMEM4020ND,115 NXP USA Inc. PMEM4020ND, 115 -
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 pmem4 600MW SC-74 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 950 MA 100NA NPN + 다이오드 (분리) 400mv @ 200ma, 2a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
BYQ28E-200,127 NXP USA Inc. BYQ28E-200,127 0.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 byq28 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000
MRF5S21100HSR3 NXP USA Inc. MRF5S21100HSR3 -
RFQ
 ECAD 5820 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v NI-780S MRF5 2.16GHz ~ 2.17GHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.05 a 23W 13.5dB - 28 v
BC859CW/ZL115 NXP USA Inc. BC859CW/ZL115 0.0200
RFQ
 ECAD 280 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
MRF8S26120HR3 NXP USA Inc. MRF8S26120HR3 -
RFQ
 ECAD 4807 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF8 2.69GHz LDMOS NI-780H-2L - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935324359128 귀 99 8541.29.0075 250 - 900 MA 28W 15.6dB - 28 v
PMN23UN,165 NXP USA Inc. PMN23UN, 165 -
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 ECAD 1948 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN2 MOSFET (금속 (() SC-74 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 6.3A (TC) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 2a, 4.5v 700mv @ 1ma (유형) 10.6 NC @ 4.5 v ± 8V 740 pf @ 10 v - 1.75W (TC)
PSMN3R7-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN3R7-25YLC, 115 -
RFQ
 ECAD 7551 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn3 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 97A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 1.95v @ 1ma 21.6 NC @ 10 v ± 20V 1585 pf @ 12 v - 64W (TC)
PHP14NQ20T,127 NXP USA Inc. PHP14NQ20T, 127 -
RFQ
 ECAD 8953 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 14A (TC) 10V 230mohm @ 7a, 10V 4V @ 1MA 38 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 25 v - 125W (TC)
PZM24NB,115 NXP USA Inc. PZM24NB, 115 -
RFQ
 ECAD 7292 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM24 300MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 70 na @ 19 v 24 v 30 옴
BUK661R8-30C,118 NXP USA Inc. BUK661R8-30C, 118 1.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 168 NC @ 10 v ± 16V 10918 pf @ 25 v - 263W (TC)
PMBT2222AYS115 NXP USA Inc. PMBT2222AYS115 0.0300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PMBT2222 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1
PDTC114YS,126 NXP USA Inc. PDTC114YS, 126 -
RFQ
 ECAD 1319 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PDTC114 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 10 KOHMS 47 Kohms
PDTD113EQA147 NXP USA Inc. PDTD113EQA147 -
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 5,000
BZV85-C7V5,113 NXP USA Inc. BZV85-C7V5,113 0.0400
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BZV85 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000
PMDPB30XN/S711115 NXP USA Inc. PMDPB30XN/S711115 -
RFQ
 ECAD 5269 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
PMV45EN,215 NXP USA Inc. PMV45EN, 215 -
RFQ
 ECAD 3766 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv4 MOSFET (금속 (() SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 5.4A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 2a, 10V 2V @ 1mA 9.4 NC @ 10 v ± 20V 350 pf @ 30 v - 280MW (TJ)
PZM13NB1,115 NXP USA Inc. PZM13NB1,115 -
RFQ
 ECAD 2578 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM13 300MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 100 na @ 10 v 13 v 10 옴
NZX24B,133 NXP USA Inc. NZX24B, 133 0.0200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 NZX2 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000
BC639,116 NXP USA Inc. BC639,116 -
RFQ
 ECAD 3889 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC63 830 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
PZU7.5B1A115 NXP USA Inc. PZU7.5B1A115 -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BFG67/X,215 NXP USA Inc. BFG67/X, 215 -
RFQ
 ECAD 9908 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFG67 380MW SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 10V 50ma NPN 60 @ 15ma, 5V 8GHz 1GHz 1.3dB
BF1211,215 NXP USA Inc. BF1211,215 -
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 6 v 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BF121 400MHz MOSFET SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 게이트 게이트 듀얼 30ma 15 MA - 29db 0.9dB 5 v
MRF5S9150HSR3 NXP USA Inc. MRF5S9150HSR3 -
RFQ
 ECAD 4217 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 섀시 섀시 SOT-957A MRF5 880MHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 1.5 a 33W 19.7dB - 28 v
BZX284-C9V1,115 NXP USA Inc. BZX284-C9V1,115 -
RFQ
 ECAD 1608 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 10 옴
PDTB114EU135 NXP USA Inc. PDTB114EU135 -
RFQ
 ECAD 2077 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1
BUK6E2R0-30C127 NXP USA Inc. BUK6E2R0-30C127 0.9100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 120A (TC) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 229 NC @ 10 v ± 16V 14964 pf @ 25 v - 306W (TC)
PDTA113ZM315 NXP USA Inc. PDTA113ZM315 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.21.0095 15,000
J175,116 NXP USA Inc. J175,116 -
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J175 400MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 8pf @ 10V (VGS) 30 v 7 ma @ 15 v 3 V @ 10 NA 125 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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