| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 소스 소스(Id) - 최대 | 냄비에 | 냄비를 조건으로 | Q@VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BB171X | - | ![]() | 3226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | BB17 | SOD-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 2.89pF @ 28V, 1MHz | 하나의 | 32V | 22 | C1/C28 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C75143 | 0.0200 | ![]() | 4739 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C11,135 | - | ![]() | 2201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | 300mW | SOD-523 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V @ 100mA | 8V에서 100μA | 11V | 10옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B56,215 | 0.0200 | ![]() | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | SOT-23 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 39.2V | 56V | 200옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C11,235 | 0.0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | SOT-23 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 8V | 11V | 20옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B30,115 | - | ![]() | 7758 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX585 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC56-16PAS115 | 1.0000 | ![]() | 2080 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J2A012YXS/T1AY403, | - | ![]() | 5258 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | - | - | J2A0 | - | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935296266118 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 12,500 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-C4V3,115 | - | ![]() | 2607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-110 | BZX284 | 400mW | SOD-110 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 3μA @ 1V | 4.3V | 90옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHK5NQ15T518 | - | ![]() | 1420 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 150V | 5A(Tc) | 5V, 10V | 75m옴 @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 29nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1150pF | - | 6.25W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54SW,115 | - | ![]() | 7472 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BAT54 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBS3906,215 | - | ![]() | 2870 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMBS3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU7.5B1A115 | - | ![]() | 4304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP69-16/S500115 | 0.0600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 4,683 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J3E081CA4/S1ACH49J | - | ![]() | 4633 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | J3E0 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU5.1BA115 | 1.0000 | ![]() | 3750 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC124EMB | - | ![]() | 2024년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6228-55C,118 | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1,268 | N채널 | 55V | 31A(Tc) | 10V | 29m옴 @ 10A, 10V | 2.8V @ 1mA | 20.2nC @ 10V | ±16V | 25V에서 1340pF | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C6V2,215 | 0.0200 | ![]() | 363 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX84 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC69PASX | 0.0700 | ![]() | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-UDFN 옆패드 | 420mW | DFN2020D-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 20V | 2A | 100nA(ICBO) | PNP | 600mV @ 200mA, 2A | 85 @ 500mA, 1V | 140MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB135,115 | 0.4500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | BB135 | SOD-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 2.1pF @ 28V, 1MHz | 하나의 | 30V | 12 | C0.5/C28 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C2V7/DG/B2215 | 1.0000 | ![]() | 7362 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9506-40B,127 | 0.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | BUK95 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C4V3315 | - | ![]() | 6967 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99/LF1215 | - | ![]() | 3706 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV99 | 기준 | TO-236AB | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍 직렬 연결 | 100V | 215mA(DC) | 1.25V @ 150mA | 4ns | 80V에서 500nA | 150°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR31,215 | - | ![]() | 3834 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFR31 | 250mW | SOT-23(TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 25V | 4pF @ 10V | 1mA @ 10V | 2.5V @ 0.5nA | 10mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMPB13XNE,115 | 0.1100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-XFDFN 옆형 패드 | PMPB13 | MOSFET(금속) | DFN1010B-6 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,876 | N채널 | 30V | 8A(타) | 1.8V, 4.5V | 16m옴 @ 8A, 4.5V | 250μA에서 900mV | 36nC @ 4.5V | ±12V | 2195pF @ 15V | - | 1.7W(Ta), 12.5W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1006HSR5 | - | ![]() | 3075 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 120V | NI-1230S-4 | MMRF1006 | 450MHz | LDMOS | NI-1230S-4 | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935311705178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 150mA | 1000W | 20dB | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC10X-600,127 | - | ![]() | 3283 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 풀팩 | 기준 | TO-220F | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 350 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 500V | 2.9V @ 10A | 55ns | 600V에서 200μA | 150°C(최대) | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG4005EPK,315 | 0.0500 | ![]() | 440 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | 2-XDFN | 쇼트키 | DFN1608D-2 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0070 | 6,086 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 40V | 590mV @ 500mA | 2ns | 10V에서 2μA | 150°C(최대) | 500mA | 30pF @ 1V, 1MHz |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고