| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 대책악 | 전압 - 꺼진 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PHE13003C,412 | 0.0700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PHE13 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123EMB | 1.0000 | ![]() | 5216 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTC123 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS316/ZLF | - | ![]() | 5798 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | BAS31 | 기준 | SOD-323 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 100V | 1.25V @ 150mA | 4ns | 500nA @ 80V | 150°C(최대) | 215mA | 1.5pF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS305ND,115 | - | ![]() | 1731년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBSS3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857B/DG/B3215 | 0.0200 | ![]() | 69 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 250mW | TO-236AB | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S19100NR1 | - | ![]() | 1651년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | TO-270AB | MRF7 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | LDMOS | TO-270 WB-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935322766528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 1A | 29W | 17.5dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB784-C4V3,115 | 0.0300 | ![]() | 113 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZB784 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-25QAZ | 0.0300 | ![]() | 505 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XDFN옆패드 | 900mW | DFN1010D-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 9,306 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 40 @ 500mA, 1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA420X-800BT,127 | - | ![]() | 1135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TO-220F | 다운로드 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 하나의 | 60mA | 기준 | 800V | 20A | 1.5V | 200A, 220A | 50mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF888AS,112 | 224.6300 | ![]() | 113 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | BLF88 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9107-55ATE,118 | 1.0000 | ![]() | 2160 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-5, D²Pak(4 리드 + 탭), TO-263BB | MOSFET(금속) | SOT-426 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 6.2m옴 @ 50A, 10V | 2V @ 1mA | 108nC @ 5V | ±15V | 5836pF @ 25V | 온도 감지 다이오드 | 272W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX30C133 | 0.0200 | ![]() | 55 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123YS,126 | - | ![]() | 4129 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PDTC123 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 35 @ 5mA, 5V | 2.2kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144EM,315 | 0.0300 | ![]() | 78 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTA14 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP3450HR6 | - | ![]() | 3489 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 110V | 방역 | NI-1230 | MRF6 | 860MHz | LDMOS | NI-1230 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 1.4A | 90W | 22.5dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK664R6-40C,118 | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK66 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP21KHR6 | - | ![]() | 4661 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 110V | 방역 | NI-1230 | MRF6 | 225MHz | LDMOS | NI-1230 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 150mA | 1000W | 24dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123YMB315 | 0.0200 | ![]() | 97 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PIMD2,115 | - | ![]() | 4348 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PIMD2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S9220HR5 | - | ![]() | 3418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 70V | 방역 | SOT-957A | MRF8 | 960MHz | LDMOS | NI-780H-2L | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.6A | 65W | 19.4dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-C3V6,115 | - | ![]() | 3280 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-110 | BZX284 | 400mW | SOD-110 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 1V에서 5μA | 3.6V | 90옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSN20,215 | - | ![]() | 3849 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BSN2 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B27,235 | 0.0200 | ![]() | 80 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX84 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU3.3B,115 | 0.0300 | ![]() | 827 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PZU3.3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM16NB2,115 | - | ![]() | 4089 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM16 | 300mW | SMT3; MPAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 70nA @ 12V | 16V | 20옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C39,215 | 0.0200 | ![]() | 4096 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 27.3V | 39V | 130옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114TEF,115 | - | ![]() | 1331 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-89, SOT-490 | PDTC114 | 150mW | SC-89 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 200@1mA, 5V | 10kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4738A,113 | 0.0400 | ![]() | 370 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 1N47 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2015EA115 | - | ![]() | 1730년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | 쇼트키 | SOD-323 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 20V | 660mV @ 1.5A | 15V에서 50μA | -65°C ~ 125°C | 1.5A | 25pF @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF281SR1 | - | ![]() | 9559 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-200S | MRF28 | 1.93GHz | LDMOS | NI-200S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 25mA | 4W | 12.5dB | - | 26V |

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