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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 전류 - 유지(Ih)(최대) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 대책악 전압 - 꺼진 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 모델 지수 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 현재 - 역방향 위치 @ Vr 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
MMRF1017NR3 NXP USA Inc. MMRF1017NR3 -
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ECAD 2184 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 OM-780-2 MMRF1 960MHz LDMOS OM-780-2 - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935312011528 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.4A 80W 20dB - 28V
BT1306-400D,412 NXP USA Inc. BT1306-400D,412 -
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ECAD 8931 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 BT130 TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 1,000 하나의 10mA 논리 - 기억카드 400V 600mA 2V 8A, 8.8A 5mA
MRF5S19060MR1 NXP USA Inc. MRF5S19060MR1 -
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ECAD 8626 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 TO-270AB MRF5 1.93GHz ~ 1.99GHz LDMOS TO-270 WB-4 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 500 - 750mA 12W 14dB - 28V
BC847C/DG/B2215 NXP USA Inc. BC847C/DG/B2215 0.0200
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ECAD 63 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000
PDTA114TK,115 NXP USA Inc. PDTA114TK,115 -
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ECAD 8396 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA114 250mW SMT3; MPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 1μA PNP - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 10mA 200@1mA, 5V 10kΩ
NZH3V6B,115 NXP USA Inc. NZH3V6B,115 0.0300
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ECAD 61 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 NZH3 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 3,000
PVR100AD-B3V0,115 NXP USA Inc. PVR100AD-B3V0,115 -
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ECAD 3955 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 PVR10 300mW SC-74 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 100mA 100nA(ICBO) NPN + 제너 - 160 @ 100mA, 1V -
MRF8S9202GNR3,528 NXP USA Inc. MRF8S9202GNR3,528 123.4300
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.29.0075 1
BUK7Y08-40B/C,115 NXP USA Inc. BUK7Y08-40B/C,115 -
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ECAD 4690 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 BUK7Y08 MOSFET(금속) LFPAK56, 전원-SO8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934064767115 EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 40V 75A(Tc) 10V 8m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 36.3nC @ 10V ±20V 2040pF @ 25V - 105W(Tc)
PDZ5.1B/ZL115 NXP USA Inc. PDZ5.1B/ZL115 0.0200
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ECAD 8644 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0050 6,000
BZV55-B4V7,135 NXP USA Inc. BZV55-B4V7,135 0.0200
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ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 3μA @ 2V 4.7V 80옴
BUK9245-55A/C1118 NXP USA Inc. BUK9245-55A/C1118 0.2400
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ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 2,500
PBRN113ES,126 NXP USA Inc. PBRN113ES,126 -
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ECAD 3291 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 PBRN113 700mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 40V 800mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 1.15V @ 8mA, 800mA 180 @ 300mA, 5V 1kΩ 1kΩ
PHP21N06LT,127 NXP USA Inc. PHP21N06LT,127 -
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ECAD 7273 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 PHP21 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 55V 19A(TC) 5V, 10V 70m옴 @ 10A, 10V 2V @ 1mA 9.4nC @ 5V ±15V 25V에서 650pF - 56W(Tc)
BUK661R6-30C118 NXP USA Inc. BUK661R6-30C118 0.8800
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ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 30V 120A(Tc) 10V 1.6m옴 @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 229nC @ 10V ±16V 25V에서 14964pF - 306W(Tc)
BUK9675-55A118 NXP USA Inc. BUK9675-55A118 0.4800
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.29.0095 683
BC369,112 NXP USA Inc. BC369,112 -
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ECAD 4027 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 36년 830mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 20V 1A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 100mA, 1A 85 @ 500mA, 1V 140MHz
BZX84-A8V2/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-A8V2/DG/B3215 0.1200
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ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0050 3,000
PZU12B2A115 NXP USA Inc. PZU12B2A115 -
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ECAD 7938 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1
BZV55-C11,135 NXP USA Inc. BZV55-C11,135 0.0200
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ECAD 160 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 100nA @ 8V 11V 20옴
PBRN113ZK,115 NXP USA Inc. PBRN113ZK,115 -
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ECAD 8188 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRN113 250mW SMT3; MPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 40V 600mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 1.15V @ 8mA, 800mA 500 @ 300mA, 5V 1kΩ 10kΩ
BZV55-C8V2,135 NXP USA Inc. BZV55-C8V2,135 0.0200
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ECAD 430 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±5% -65°C ~ 200°C 표면 실장 DO-213AC, 미니-MELF, SOD-80 500mW LLDS; 미니멜프 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 700nA @ 5V 8.2V 15옴
MRF9030LR5 NXP USA Inc. MRF9030LR5 -
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ECAD 5419 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 방역 NI-360 MRF90 945MHz LDMOS NI-360 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 50 - 250mA 30W 19dB - 26V
BC337-40,412 NXP USA Inc. BC337-40,412 -
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ECAD 4887 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 33년 625mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 45V 500mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
BZX84-B15/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-B15/LF1VL -
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ECAD 9433 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-B15 250mW SOT-23(TO-236AB) - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934069392235 EAR99 8541.10.0050 3,000 900mV @ 10mA 10.5V에서 50nA 15V 30옴
AFT26P100-4WSR3 NXP USA Inc. AFT26P100-4WSR3 -
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ECAD 1657년 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 NI-780S-4L AFT26 2.69GHz LDMOS NI-780S-4L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935320111128 5A991G 8541.29.0040 250 2개 - 200mA 22W 15.1dB - 28V
MRF19030LR3 NXP USA Inc. MRF19030LR3 -
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ECAD 1983년 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 NI-400 MRF19 1.96GHz LDMOS NI-400 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 5A991G 8542.31.0001 250 - 300mA 30W 13dB - 26V
BCM847DS/DG/B2115 NXP USA Inc. BCM847DS/DG/B2115 0.0600
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ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BCM847 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000
BT136-600E/02,127 NXP USA Inc. BT136-600E/02,127 -
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ECAD 7512 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BT136 TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934019080127 EAR99 8541.30.0080 5,000 하나의 15mA 논리 - 기억카드 600V 4A 1.5V 25A, 27A 10mA
PMCM6501VNE023 NXP USA Inc. PMCM6501VNE023 -
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ECAD 3378 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고