SIC
close

불연속 불연속 제품 (6133)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 -rds (on) 전류 전류 (ID) - 최대
BUK7K6R2-40E/CX NXP USA Inc. BUK7K6R2-40E/CX -
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 buk7k6 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,500 -
MHT1004NR3 NXP USA Inc. MHT1004NR3 -
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 OM-780-2 MHT10 2.45GHz LDMOS OM-780-2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935316281528 귀 99 8541.29.0075 250 10µA 100 MA 280W 15.2db - 32 v
MRF7S24250N-3STG NXP USA Inc. MRF7S24250N-3STG -
RFQ
 ECAD 2591 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 MRF7S24250 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 935345449598 0000.00.0000 1
AFT23H201-24SR6 NXP USA Inc. AFT23H201-24SR6 -
RFQ
 ECAD 4541 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 ACP-1230S-4L2L AFT23 2.3GHz ~ 2.4GHz LDMOS ACP-1230S-4L2L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935320889128 귀 99 8541.29.0075 150 10µA 500 MA 210W 15.6dB - 28 v
PMN25UN,115 NXP USA Inc. PMN25UN, 115 -
RFQ
 ECAD 7744 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN2 MOSFET (금속 (() SC-74 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6A (TA) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 470 pf @ 10 v - 530MW (TA), 6.25W (TC)
MRF8S9102NR3 NXP USA Inc. MRF8S9102NR3 -
RFQ
 ECAD 2105 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 70 v 표면 표면 OM-780-2 MRF8 920MHz LDMOS OM-780-2 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 750 MA 28W 23.1dB - 28 v
MRF8P20165WHSR3 NXP USA Inc. MRF8P20165WHSR3 -
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 NI-780S-4L MRF8 1.98GHz ~ 2.01GHz LDMOS NI-780S-4L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935314475128 귀 99 8541.29.0075 250 이중 - 550 MA 37W 14.8dB - 28 v
BUK9E15-60E,127 NXP USA Inc. buk9e15-60e, 127 -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA buk9 MOSFET (금속 (() i2pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 54A (TC) 5V, 10V 13mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 20.5 nc @ 5 v ± 10V 2651 pf @ 25 v - 96W (TC)
BSN254,126 NXP USA Inc. BSN254,126 -
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BSN2 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 310MA (TA) 2.4V, 10V 5ohm @ 300ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 120 pf @ 25 v - 1W (TA)
BSN304,126 NXP USA Inc. BSN304,126 -
RFQ
 ECAD 9918 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BSN3 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 300 v 300MA (TA) 2.4V, 10V 6ohm @ 250ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 120 pf @ 25 v - 1W (TA)
BSR56,215 NXP USA Inc. BSR56,215 -
RFQ
 ECAD 6255 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSR5 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v - 40 v 50 ma @ 15 v 4 V @ 0.5 NA 25 옴 20 MA
J112,126 NXP USA Inc. J112,126 -
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J112 400MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 40 v 6pf @ 10v (VGS) 40 v 5 ma @ 15 v 1 V @ 1 µA 50 옴
BUK7624-55,118 NXP USA Inc. BUK7624-55,118 -
RFQ
 ECAD 2846 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 45A (TC) 10V 24mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 16V 1500 pf @ 25 v - 103W (TC)
BZX284-B10,115 NXP USA Inc. BZX284-B10,115 -
RFQ
 ECAD 6892 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 200 na @ 7 v 10 v 10 옴
BZX284-B33,115 NXP USA Inc. BZX284-B33,115 -
RFQ
 ECAD 7633 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 40
BZX284-B4V3,115 NXP USA Inc. BZX284-B4V3,115 -
RFQ
 ECAD 5695 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
BZX284-C75,115 NXP USA Inc. BZX284-C75,115 -
RFQ
 ECAD 5614 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 52.5 v 75 v 175 옴
PMN28UN,165 NXP USA Inc. PMN28UN, 165 -
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN2 MOSFET (금속 (() SC-74 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 12 v 5.7A (TC) 1.8V, 4.5V 34mohm @ 2a, 4.5v 700mv @ 1ma (유형) 10.1 NC @ 4.5 v ± 8V 740 pf @ 10 v - 1.75W (TC)
PHD110NQ03LT,118 NXP USA Inc. phd110nq03lt, 118 -
RFQ
 ECAD 3628 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 phd11 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 75A (TC) 5V, 10V 4.6mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 26.7 NC @ 5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 115W (TC)
PHD23NQ10T,118 NXP USA Inc. phd23nq10t, 118 -
RFQ
 ECAD 1385 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PhD23 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 23A (TC) 10V 70mohm @ 13a, 10V 4V @ 1MA 22 nc @ 10 v ± 20V 1187 pf @ 25 v - 100W (TC)
PHD78NQ03LT,118 NXP USA Inc. phd78nq03lt, 118 -
RFQ
 ECAD 2348 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PhD78 MOSFET (금속 (() DPAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 75A (TC) 5V, 10V 9mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 970 pf @ 12 v - 107W (TC)
PHK4NQ10T,518 NXP USA Inc. phk4nq10t, 518 -
RFQ
 ECAD 4658 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) phk4n MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v - 4.5V, 10V 70mohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 22 nc @ 10 v ± 20V 880 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
PHP174NQ04LT,127 NXP USA Inc. PHP174NQ04LT, 127 -
RFQ
 ECAD 2807 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP17 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 64 NC @ 5 v ± 15V 5345 pf @ 25 v - 250W (TC)
PHX27NQ11T,127 NXP USA Inc. phx27nq11t, 127 -
RFQ
 ECAD 7638 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 phx27 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 110 v 20.8A (TC) 10V 50mohm @ 14a, 10V 4V @ 1MA 30 nc @ 10 v ± 20V 1240 pf @ 25 v - 50W (TC)
PMBFJ111,215 NXP USA Inc. PMBFJ111,215 -
RFQ
 ECAD 8652 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmbfj1 300MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 6pf @ 10v (VGS) 40 v 20 ma @ 15 v 10 V @ 1 µa 30 옴
PMBFJ112,215 NXP USA Inc. PMBFJ112,215 -
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmbfj1 300MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 6pf @ 10v (VGS) 40 v 5 ma @ 15 v 5 v @ 1 µa 50 옴
PMBFJ309,215 NXP USA Inc. PMBFJ309,215 -
RFQ
 ECAD 7304 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmbfj3 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25 v 5pf @ 10V 25 v 12 ma @ 10 v 1 V @ 1 µA 50 옴
PZM20NB,115 NXP USA Inc. PZM20NB, 115 -
RFQ
 ECAD 3865 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM20 300MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 70 na @ 15 v 20 v 20 옴
PZM24NB2,115 NXP USA Inc. PZM24NB2,115 -
RFQ
 ECAD 4347 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM24 300MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 70 na @ 19 v 24 v 30 옴
PZM4.3NB1,115 NXP USA Inc. PZM4.3NB1,115 -
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM4.3 300MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다