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디스크리트 반도체(6133)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	전류 - 유지(Ih)(최대)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	대책악	전압 - 꺼진 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	모델 지수	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	전압 - 출력(V(BR)GSS)	- 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0)	전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	저항 - RDS(켜짐)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)	모델 지수(dB 일반 @ f)
BUK652R7-30C,127	-	보상요청	2639	NXP USA Inc.	트렌치모스™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	북65		MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널						30V	100A(Tc)	4.5V, 10V	3.3m옴 @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	114nC @ 10V	±16V	25V에서 6960pF	-	204W(Tc)
J110,126	-	보상요청	4664	NXP USA Inc.	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우			150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	J110			400mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934003870126	EAR99	8541.21.0095	10,000			N채널						25V							30pF @ 0V																						25V	10mA @ 5V	4V @ 1μA				18옴
BC807-25/L215	0.0200	보상요청	8878	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	3,000
1PS226,115	-	보상요청	1712	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	1PS22		기준		SMT3; MPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	15,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																								1쌍 직렬 연결	80V	215mA(DC)	1.2V @ 100mA	4ns	500nA @ 80V	150°C(최대)
BLM7G22S-60PBG,118	-	보상요청	1128	NXP USA Inc.	*	테이프 및 릴리(TR)	활동적인						BLM7					-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934066083118	EAR99	8541.29.0075	100
PVR100AD-B2V5,115	-	보상요청	5545	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			150°C (TJ)	표면 실장	SC-74, SOT-457	PVR10			300mW	SC-74	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000																																			45V	100mA					100nA(ICBO)				NPN + 제너	-	160 @ 100mA, 1V	-
BFR93AW,115	-	보상요청	3976	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	BFR93			300mW	SC-70	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000								-																											12V	35mA									NPN		40 @ 30mA, 5V	5GHz			1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
AFV121KH-960MHZ	1.0000	보상요청	3060	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인		112V		방역	NI-1230-4S		960MHz ~ 1.215GHz	LDMOS(이중)		NI-1230-4S	-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.	568-AFV121KH-960MHZ	EAR99	8541.29.0095	1	2 N채널			10μA		100mA	1000W	19.6dB																	-												50V
PRLL5819,115	-	보상요청	7717	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				표면 실장	SOD-87	PRLL58		쇼트키		멜프	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	2,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																									40V		600mV @ 1A		40V에서 1mA	125°C(최대)	1A	50pF @ 4V, 1MHz
NX3008PBK/DG/B2215	0.0300	보상요청	37	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0095	3,000
BSH121,135	0.0900	보상요청	14	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BSH1					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	10,000
PBRP123YS,126	-	보상요청	2509	NXP USA Inc.	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우				스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	PBRP123			500mW	TO-92-3	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	2,000																																			50V	800mA					-				PNP - 사전 바이어스됨	-	-		2.2kΩ	10kΩ
MRFE6VP6600NR3,528	-	보상요청	7796	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1
BUK7Y18-55B,115	-	보상요청	6607	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	SC-100, SOT-669			MOSFET(금속)		LFPAK56, 전원-SO8	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1			N채널						55V	47.4A(Tc)	10V	18m옴 @ 20A, 10V	4V @ 1mA	21.9nC @ 10V	±20V	25V에서 1263pF	-	85W(Tc)
SI4800,518	-	보상요청	6206	NXP USA Inc.	트렌치모스™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	SI4		MOSFET(금속)		8-SO	-	ROHS3 준수	2(1년)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널						30V	9A(타)	4.5V, 10V	18.5m옴 @ 9A, 10V	250μA에서 800mV	11.8nC @ 5V	±20V		-	2.5W(타)
MRF7S15100HR3	-	보상요청	8252	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		방역	SOT-957A	MRF7	1.51GHz	LDMOS		NI-780H-2L	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935319432128	EAR99	8541.29.0075	250				-		600mA	23W	19.5dB																	-												28V
BZX79-B3V0113	0.0200	보상요청	120	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드					EAR99	8541.10.0050	1
1PS76SB40/DG/B2115	-	보상요청	2013년	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0070	3,000
BUK794R1-40BT,127	-	보상요청	5785	NXP USA Inc.	트렌치플러스	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-5	BUK79		MOSFET(금속)		TO-220-5	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널						40V	75A(Tc)	10V	4.1m옴 @ 50A, 10V	4V @ 1mA	83nC @ 10V	±20V	25V에서 6808pF	온도 감지 다이오드	272W(Tc)
BFS25A,115	-	보상요청	4004	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			175°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	BFS25			32mW	SC-70	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000								-																											5V	6.5mA									NPN		50 @ 500μA, 1V	5GHz			1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
BUK663R7-75C,118	-	보상요청	9920	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	0000.00.0000	1			N채널						75V	120A(Tc)	4.5V, 10V	4m옴 @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	234nC @ 10V	±16V	25V에서 15450pF	-	306W(Tc)
NZX5V6B,133	-	보상요청	9118	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±2%		-55°C ~ 175°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				500mW	ALF2	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1																													1.5V @ 200mA		1μA @ 2V											5.6V	40옴
MMRF1017NR3	-	보상요청	2184	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		표면 실장	OM-780-2	MMRF1	960MHz	LDMOS		OM-780-2	-	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935312011528	EAR99	8541.29.0075	250				-		1.4A	80W	20dB																	-												28V
BT1306-400D,412	-	보상요청	8931	NXP USA Inc.	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			-40°C ~ 125°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	BT130				TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	1,000	하나의				10mA														논리 - 기억카드	400V	600mA	2V	8A, 8.8A	5mA
MRF5S19060MR1	-	보상요청	8626	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		표면 실장	TO-270AB	MRF5	1.93GHz ~ 1.99GHz	LDMOS		TO-270 WB-4	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	500				-		750mA	12W	14dB																	-												28V
BC847C/DG/B2215	0.0200	보상요청	63	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	3,000
PDTA114TK,115	-	보상요청	8396	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA114			250mW	SMT3; MPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000																																			50V	100mA					1μA				PNP - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 10mA	200@1mA, 5V		10kΩ
NZH3V6B,115	0.0300	보상요청	61	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						NZH3					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000
PVR100AD-B3V0,115	-	보상요청	3955	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			150°C (TJ)	표면 실장	SC-74, SOT-457	PVR10			300mW	SC-74	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000																																			45V	100mA					100nA(ICBO)				NPN + 제너	-	160 @ 100mA, 1V	-
MRF8S9202GNR3,528	123.4300	보상요청	1	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드					EAR99	8541.29.0075	1

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²