| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 대책악 | 전압 - 꺼진 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 모델 지수 | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF7S38075HSR3 | - | ![]() | 8862 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-780S | MRF7 | 3.4GHz ~ 3.6GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 900mA | 12W | 14dB | - | 30V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9520-55,127 | - | ![]() | 9391 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUK95 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 52A(Tc) | 5V | 20m옴 @ 25A, 5V | 2V @ 1mA | ±10V | 2400pF @ 25V | - | 116W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5580PA,115 | - | ![]() | 2987 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PBSS5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-25W,115 | 0.0200 | ![]() | 133 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BC80 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 바스56,215 | 0.0400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BAS56 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXP3875Y,215 | - | ![]() | 7474 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114YE,115 | - | ![]() | 7763 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | PDTC114 | 150mW | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 100mV, 5mA | 100 @ 5mA, 5V | 10kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHE13003C,126 | 0.0800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 2.1W | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,963 | 400V | 1.5A | 100μA | NPN | 1.5V @ 500mA, 1.5A | 5 @ 1A, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM15NB2,115 | - | ![]() | 4553 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM15 | 300mW | SMT3; MPAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 70nA @ 11V | 15V | 15옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C6V2,133 | 0.0200 | ![]() | 210 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX79 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4160K,115 | - | ![]() | 4859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PBSS4 | 425mW | SMT3; MPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60V | 750mA | 100nA | NPN | 280mV @ 100mA, 1A | 200 @ 500mA, 5V | 220MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856BW/DG/B3115 | 1.0000 | ![]() | 9717 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BC856 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD123TS,126 | - | ![]() | 7549 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PDTD123 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 500mA | 500nA | NPN - 사전 바이어스됨 | 300mV @ 2.5mA, 50mA | 100 @ 50mA, 5V | 2.2kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ5.6B/ZL115 | - | ![]() | 8482 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU520WX | 0.4600 | ![]() | 461 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BFU520 | 450mW | SC-70 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 18.5dB | 12V | 30mA | NPN | 60 @ 5mA, 8V | 10GHz | 0.6dB @ 900MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114ET/DG/B2215 | 0.0200 | ![]() | 4438 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S19150HR5 | - | ![]() | 9074 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-957A | MRF5 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | LDMOS | NI-880H-2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.4A | 32W | 14dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF9045LR5 | - | ![]() | 2873 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | NI-360 | MRF90 | 945MHz | LDMOS | NI-360 짧은 리드 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 350mA | 45W | 18.8dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC54-16PAS115 | - | ![]() | 6087 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACT108-600E,126 | 0.1700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | TO-92-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,799 | 하나의 | 25mA | 논리 - 기억카드 | 600V | 800mA | 1V | 8A, 8.8A | 10mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y72-80EX | - | ![]() | 3237 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 80V | 16A(티씨) | 10V | 72m옴 @ 5A, 10V | 4V @ 1mA | 9.8nC @ 10V | ±20V | 25V에서 633pF | - | 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ24N,127 | - | ![]() | 5929 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRFZ2 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 17A(TC) | 10V | 70m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 19nC @ 10V | ±20V | 25V에서 500pF | - | 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B36,115 | - | ![]() | 8651 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX585 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHX23NQ10T,127 | - | ![]() | 1564년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | PHX23 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 13A(티씨) | 10V | 70m옴 @ 13A, 10V | 4V @ 1mA | 22nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1187pF | - | 27W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R0-40C,118 | 0.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BUK76 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP100,135 | 1.0000 | ![]() | 2686 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET(금속) | SOT-223 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 30V | 3.2A(타) | 4.5V, 10V | 100m옴 @ 2.2A, 10V | 2.8V @ 1mA | 6nC @ 10V | ±20V | 20V에서 250pF | - | 8.3W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C6V2,143 | 0.0200 | ![]() | 160 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 200°C | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 4V에서 3μA | 6.2V | 10옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF085HR3 | - | ![]() | 1580 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 133V | 방역 | NI-650H-4L | MRF08 | 1.8MHz ~ 1.215GHz | LDMOS | NI-650H-4L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935351494128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 2개 | 2μA | 100mA | 85W | 25.6dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1102R,115 | - | ![]() | 7124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 7V | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF110 | 800MHz | MOSFET | 6-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 듀얼 모듈 | 40mA | 15mA | - | - | 2dB | 5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S21050LR3 | - | ![]() | 7368 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 68V | 방역 | NI-400 | MRF6 | 2.16GHz | LDMOS | NI-400 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 450mA | 11.5W | 16dB | - | 28V |

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