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디스크리트 반도체(6133)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	전류 - 유지(Ih)(최대)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	대책악	전압 - 꺼진 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	모델 지수	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)	모델 지수(dB 일반 @ f)
BZV85-C6V2,113	0.0400	보상요청	64	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZV85					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	5,000
MMRF1015NR1	20.9500	보상요청	355	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	마지막 구매		68V		표면 실장	TO-270-2	MMRF1015	960MHz	LDMOS		TO-270-2	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	500				-		125mA	10W	18dB																	-										28V
AFT09MP055NR1	21.9432	보상요청	8536	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		40V		표면 실장	TO-270AB	AFT09	870MHz	LDMOS		TO-270 WB-4	-	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935315139528	EAR99	8541.29.0075	500				-		550mA	1W	15.7dB																	-										12.5V
BZB784-C2V7,115	0.0300	보상요청	168	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±5%		-	표면 실장	SC-70, SOT-323				180mW	SOT-323	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1	1쌍 구역																												900mV @ 10mA		20μA @ 1V						2.7V	100옴
BT136X-600F,127	0.2700	보상요청	2	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			125°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 분리형 탭					TO-220F	다운로드					EAR99	8541.30.0080	1,098	하나의				15mA														기준	600V	4A	1.5V	25A, 27A	25mA
BFG410W,135	-	보상요청	7089	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			150°C (TJ)	표면 실장	SC-82A, SOT-343	BFG41			54mW	CMPAK-4	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934047460135	EAR99	8541.21.0075	10,000								21dB																									4.5V	12mA					NPN		50 @ 10mA, 2V	22GHz			0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
PDTC123YMB315	0.0200	보상요청	2063년	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PDTC123					다운로드					EAR99	8541.21.0075	4,895
PHPT61002PYC115	-	보상요청	3504	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0075	1,500
BUK7C2R2-60EJ	-	보상요청	6677	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인			-	표면 실장	TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭)	BUK7C2		MOSFET(금속)		D2PAK-7	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934067492118	EAR99	8541.29.0095	800			N채널						60V	-		-	-				-	-
MRFE6S9201HSR5	-	보상요청	7713	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		66V		방역	NI-780S	MRFE6	880MHz	LDMOS		NI-780S	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	50				-		1.4A	40W	20.8dB																	-										28V
PMN35EN,115	-	보상요청	2233	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-74, SOT-457	PMN3		MOSFET(금속)		SC-74	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000			N채널						30V	5.1A(타)	4.5V, 10V	31m옴 @ 5.1A, 10V	2.5V @ 250μA	9.3nC @ 10V	±20V	15V에서 334pF	-	500mW(타)
PML260SN,118	0.3600	보상요청	6829	NXP USA Inc.	트렌치모스™	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-VDFN 옆 패드			MOSFET(금속)		DFN3333-8	다운로드					EAR99	8541.29.0095	636			N채널						200V	8.8A(Tc)	6V, 10V	294m옴 @ 2.6A, 10V	4V @ 1mA	13.3nC @ 10V	±20V	30V에서 657pF	-	50W(Tc)
AFT09H310-03SR6	-	보상요청	8970	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		70V		방역	NI-1230S	AFT09	920MHz	LDMOS		NI-1230S	-	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935324687128	EAR99	8541.29.0075	150				-		680mA	56W	17.9dB																	-										28V
PMEG4002ESFC315	0.0400	보상요청	135	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0070	9,000
MRF6V2010NR1	-	보상요청	9055	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		110V		표면 실장	TO-270AA	MRF6	220MHz	LDMOS		TO-270-2	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	500				-		30mA	10W	23.9dB																	-										50V
BAT85,113	0.0500	보상요청	26	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BAT85					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	10,000
PDZ5.6B/ZL115	-	보상요청	8482	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0050	3,000
PSMN017-80PS,127	-	보상요청	4106	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PSMN0					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	1,000
BYC5X-600PQ127	0.3500	보상요청	1	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0080	687
BC859C,215	-	보상요청	7427	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BC85					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000
PSMN035-150P	1.0000	보상요청	2084	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	1
BAW156/ZLVL	-	보상요청	3336	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAW156		기준		SOT-23(TO-236AB)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	10,000		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도																								1쌍 구역	75V	160mA(DC)	1.25V @ 150mA	3μs	75V에서 5nA	150°C(최대)
PMZB380XN,315	0.0900	보상요청	243	NXP USA Inc.	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-101, SOT-883			MOSFET(금속)		DFN1006B-3	다운로드	ROHS3 준수				EAR99	8541.21.0095	10,000			N채널						30V	930mA(타)	2.5V, 4.5V	460m옴 @ 200mA, 4.5V	250μA에서 1.5V	0.87nC @ 4.5V	±12V	25V에서 56pF	-	360mW(Ta), 2.7W(Tc)
PMEG4002AESF315	-	보상요청	4140	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0070	9,000
BFT92,215	-	보상요청	5042	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			175°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BFT92			300mW	SOT-23(TO-236AB)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000								-																									15V	25mA					PNP		20 @ 14mA, 10V	5GHz			2.5dB @ 500MHz
BZV55-B8V2,115	-	보상요청	3231	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZV55					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	2,500
MRFE6VP61K25HSR6	-	보상요청	3547	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.		133V		방역	NI-1230S	MRFE6	230MHz	LDMOS		NI-1230S	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	150	2개			-		100mA	1250W	24dB																	-										50V
BUK9516-75B,127	-	보상요청	4511	NXP USA Inc.	트렌치모스™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	BUK95		MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널						75V	67A (Tc)	4.5V, 10V	14m옴 @ 25A, 10V	2V @ 1mA	35nC @ 5V	±15V	25V에서 4034pF	-	157W(Tc)
PDTC123EK,115	-	보상요청	7375	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PDTC123			250mW	SMT3; MPAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000																																	50V	100mA		1μA			NPN - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 10mA	30 @ 20mA, 5V		2.2kΩ	2.2kΩ
펌프12,115	-	보상요청	1953년	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인				표면 실장	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMF12			300mW	6-TSSOP	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	3,000																																	50V, 40V	100mA		1μA			NPN 사전 바이어스 1개, PNP 1개	150mV @ 500μA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA	80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V	100MHz	22kΩ	47k옴

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²