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디스크리트 반도체(6133)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	전압 - 출력(V(BR)GSS)	- 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0)	전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)	모델 지수(dB 일반 @ f)	소스 소스(Id) - 최대
BC547,116	-	보상요청	7050	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	BC54			500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	2,000																										45V	100mA					15nA(ICBO)			NPN	400mV @ 5mA, 100mA	110 @ 2mA, 5V	100MHz
BF510	1.1800	보상요청	4406	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				250mW	TO-236AB	-	RoHS 비준수	해당사항 없음	공급자가 규정하지 않는 경우	2832-BF510TR	EAR99	8541.21.0075	214			N채널					20V							5pF @ 10V														20V	10V에서 3mA	10μA에서 800mV											30mA
J3A080YXS/T0BY4AG0	-	보상요청	9807	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-	-	-	J3A0				-	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935295485118	더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	12,500			-												-
BF1202,215	-	보상요청	8189	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		10V		표면 실장	TO-253-4, TO-253AA	BF120	400MHz	MOSFET		SOT-143B	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000	N채널 듀얼 모듈			30mA	12mA	-	30.5dB											0.9dB										5V
BAS21/MI215	-	보상요청	3283	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						바스21					다운로드						0000.00.0000	1
BZX585-C4V3,115	1.0000	보상요청	4422	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	SC-79, SOD-523				300mW	SOD-523	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1																						1.1V @ 100mA		3μA @ 1V									4.3V	90옴
BZX79-B47133	0.0200	보상요청	1718년	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드					EAR99	8541.10.0050	1
BZX79-B3V3,113	0.0200	보상요청	90	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±2%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AH, DO-35, 축방향				400mW	ALF2	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1																						900mV @ 10mA		1V에서 5μA									3.3V	95옴
BFS25A,115	-	보상요청	4004	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			175°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323	BFS25			32mW	SC-70	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000							-																			5V	6.5mA								NPN		50 @ 500μA, 1V	5GHz			1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
PBRN113ES,126	-	보상요청	3291	NXP USA Inc.	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우				스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	PBRN113			700mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	2,000																										40V	800mA					500nA			NPN - 사전 바이어스됨	1.15V @ 8mA, 800mA	180 @ 300mA, 5V		1kΩ	1kΩ
BUK661R6-30C118	0.8800	보상요청	2	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1			N채널					30V	120A(Tc)	10V	1.6m옴 @ 25A, 10V	2.8V @ 1mA	229nC @ 10V	±16V	25V에서 14964pF	-	306W(Tc)
BC807-25W,115	0.0200	보상요청	133	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BC80					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000
PDTC114YE,115	-	보상요청	7763	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				표면 실장	SC-75, SOT-416	PDTC114			150mW	SC-75	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000																										50V	100mA					1μA			NPN - 사전 바이어스됨	250μA에서 100mV, 5mA	100 @ 5mA, 5V		10kΩ	47kΩ
BZX84-B10/LF1R	-	보상요청	3021	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	±2%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-B10			250mW	SOT-23(TO-236AB)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934069514215	EAR99	8541.10.0050	3,000																						900mV @ 10mA		100nA @ 8V									10V	20옴
PSMN023-80LS,115	-	보상요청	7471	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-VDFN 옆 패드	PSMN0		MOSFET(금속)		8-DFN3333(3.3x3.3)	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,400			N채널					80V	34A(티씨)	10V	23m옴 @ 10A, 10V	4V @ 1mA	21nC @ 10V	±20V	40V에서 1295pF	-	65W(Tc)
PMEG050V150EPD139	0.3300	보상요청	129	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0080	5,000
BUK9520-55,127	-	보상요청	9391	NXP USA Inc.	트렌치모스™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3	BUK95		MOSFET(금속)		TO-220AB	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널					55V	52A(Tc)	5V	20m옴 @ 25A, 5V	2V @ 1mA		±10V	2400pF @ 25V	-	116W(Tc)
BZX84-B2V4,215	0.0200	보상요청	1546년	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZX84					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000
2PD601ASL,215	0.0200	보상요청	5699	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						2PD60					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000
BTA204-600B,127	0.2300	보상요청	5	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BTA20					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	1,000
BYV42G-200,127	-	보상요청	4544	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인				스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA	BYV42		기준		I2PAK(TO-262)	다운로드					EAR99	8541.10.0080	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																	1쌍씩 시작됩니다	200V	15A	850mV @ 15A	28ns	200V에서 100μA	150°C(최대)
MRF7S15100HR3	-	보상요청	8252	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		방역	SOT-957A	MRF7	1.51GHz	LDMOS		NI-780H-2L	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935319432128	EAR99	8541.29.0075	250				-	600mA	23W	19.5dB											-										28V
ON5421,127	-	보상요청	8402	NXP USA Inc.	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우				스루홀	TO-220-3	ON54	-	-		TO-220AB	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934060114127	EAR99	8541.29.0095	50	-			-		-	-											-
MRFE6VP6600NR3,528	-	보상요청	7796	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1
BZX79-C27,113	-	보상요청	8303	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZX79					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	10,000
BUK7Y18-55B,115	-	보상요청	6607	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	SC-100, SOT-669			MOSFET(금속)		LFPAK56, 전원-SO8	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1			N채널					55V	47.4A(Tc)	10V	18m옴 @ 20A, 10V	4V @ 1mA	21.9nC @ 10V	±20V	25V에서 1263pF	-	85W(Tc)
NZX3V0A,133	0.0200	보상요청	89	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						NZX3					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	10,000
PMN25EN,115	-	보상요청	8906	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SC-74, SOT-457	PMN2		MOSFET(금속)		SC-74	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000			N채널					30V	6.2A(타)	4.5V, 10V	23m옴 @ 6.2A, 10V	2.5V @ 250μA	11nC @ 10V	±20V	15V에서 492pF	-	540mW(Ta), 6.25W(Tc)
1PS76SB40/DG/B2115	-	보상요청	2013년	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0070	3,000
BZX84-C56,215	0.0200	보상요청	695	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZX84					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²