| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 적극적 활동 | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRFG35003N6T1 | - | ![]() | 2223 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 8V | 표면 실장 | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | pHEMT FET | PLD-1.5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 180mA | 3W | 9dB | - | 6V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B36,115 | - | ![]() | 8651 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX585 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN050-80BS,118 | - | ![]() | 9168 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 800 | N채널 | 80V | 22A(TC) | 10V | 46m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 11nC @ 10V | ±20V | 12V에서 633pF | - | 56W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT05MS006NT1 | 4.9100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | 30V | 표면 실장 | PLD-1.5W | 후미05 | 520MHz | LDMOS | PLD-1.5W | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 100mA | 6W | 18.3dB | - | 7.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB784-C5V1,115 | 0.0300 | ![]() | 6710 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZB784 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF377HR5 | - | ![]() | 7124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-860C3 | MRF37 | 860MHz | LDMOS | NI-860C3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.21.0075 | 50 | - | 2A | 45W | 18.2dB | - | 32V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C33/LF1VL | - | ![]() | 4204 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±5% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-C33 | 250mW | SOT-23(TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934069463235 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 50nA @ 23.1V | 33V | 80옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFT25,215 | - | ![]() | 4589 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFT25 | 30mW | SOT-23(TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 5V | 6.5mA | NPN | 20 @ 1mA, 1V | 2.3GHz | 5.5dB @ 500MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUJ303B,127 | 0.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 100W | TO-220AB | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 825 | 400V | 5A | 100μA | NPN | 1.5V @ 1A, 3A | 23 @ 800mA, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS301NX,115 | 0.2000 | ![]() | 432 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | 2.1W | SOT-89 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,495 | 12V | 5.3A | 100nA(ICBO) | NPN | 200mV @ 265mA, 5.3A | 250 @ 2A, 2V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B3V3,115 | - | ![]() | 8629 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX585 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PA1774QMB315 | 0.0400 | ![]() | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | 250mW | DFN1006B-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP | 200mV @ 5mA, 50mA | 120@1mA, 6V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PB709ASL,215 | 0.0200 | ![]() | 503 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 2PB70 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB123TS,126 | - | ![]() | 7639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PDTB123 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 500mA | 500nA | PNP - 사전 바이어스됨 | 300mV @ 2.5mA, 50mA | 100 @ 50mA, 5V | 2.2kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144TE115 | 0.0400 | ![]() | 90 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTA144 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU5.1B,115 | 0.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PZU5.1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK761R8-30C,118 | - | ![]() | 1442 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK76 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 100A(Tc) | 10V | 1.8m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 150nC @ 10V | ±20V | 25V에서 10349pF | - | 333W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5260PAP,115 | 1.0000 | ![]() | 5054 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UFDFN 옆형 패드 | PBSS5260 | 510mW | 6-휴슨(2x2) | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 2A | 100nA(ICBO) | 2 PNP(이중) | 500mV @ 200mA, 2A | 110 @ 1A, 2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7E2R3-40C,127 | 0.9700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | BUK7 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B10,215 | 0.0300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300mW | SOT-23 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 200nA @ 7V | 10V | 20옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3T18H360W23SR6 | 83.7375 | ![]() | 1649년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 65V | 방역 | ACP-1230S-4L2S | A3T18 | 1.8GHz ~ 1.88GHz | LDMOS | ACP-1230S-4L2S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935346354128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 10μA | 700mA | 63W | 16.6dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856BS/DG/B3115 | 0.0300 | ![]() | 198 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BC856 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B11/S500315 | - | ![]() | 3794 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | BZX884 | 대부분 | 활동적인 | ±2% | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOD-882 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 100nA @ 8V | 11V | 10옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN23UN,135 | - | ![]() | 2077 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET(금속) | SC-74 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N채널 | 20V | 6.3A(Tc) | 1.8V, 4.5V | 28m옴 @ 2A, 4.5V | 700mV @ 1mA(표준) | 10.6nC @ 4.5V | ±8V | 10V에서 740pF | - | 1.75W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | OT410,115 | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | OT41 | SC-73 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934062729115 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 하나의 | 기준 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PS75SB45,115 | - | ![]() | 6005 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | 1PS75 | 쇼트키 | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍씩 시작됩니다 | 40V | 120mA(DC) | 1V @ 40mA | 40V에서 10μA | 150°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV25FD-600,118 | 0.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 기준 | DPAK | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 944 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 600V | 1.9V @ 5A | 35ns | 600V에서 50μA | 150°C(최대) | 5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S19260HSR5 | - | ![]() | 8525 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-1110B | MRF8 | 1.99GHz | LDMOS | NI1230S-8 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 2개 | - | 1.6A | 74W | 18.2dB | - | 30V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC8X-600,127 | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-2 풀팩 | 기준 | TO-220F | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 630 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 600V | 2.9V @ 8A | 52ns | 600V에서 150μA | 150°C(최대) | 8A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PH3075L,115 | - | ![]() | 6024 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | PH30 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 75V | 30A(Tc) | 4.5V, 10V | 28m옴 @ 15A, 10V | 2.3V @ 1mA | 19nC @ 5V | ±15V | 2070pF @ 25V | - | 75W(Tc) |

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