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디스크리트 반도체(6133)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	현재 - 최대	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	모델 지수	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	다이오드	전압 - 역방향(최대)	전압 - 출력(V(BR)GSS)	- 스타트업(Idss) @ Vds(Vgs=0)	전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	저항 - RDS(켜짐)	저항 @ If, F	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	냄비에	냄비를 조건으로	Q@VR, F
BF1108,215	-	보상요청	1418	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		3V		표면 실장	TO-253-4, TO-253AA	BF110	-	MOSFET		SOT-143B	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	3,000	N채널			10mA			-	-											-
BTA204X-600D,127	-	보상요청	8686	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BTA20					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	1,000
J177,126	-	보상요청	3147	NXP USA Inc.	-	테이프 및 박스(TB)	더 이상 사용하지 않는 경우			150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	J177			400mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	2,000			P채널						30V							8pF @ 10V(VGS)																30V	1.5mA @ 15V	800mV @ 10nA				300옴
BUJ103A,127	0.3200	보상요청	76	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BUJ1					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000
PDTC115EMB	1.0000	보상요청	5375	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드						0000.00.0000	1
1N4732A,133	0.0400	보상요청	33	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±5%		-65°C ~ 200°C	스루홀	DO-204AL, DO-41, 축방향				1W	DO-41	다운로드					EAR99	8541.10.0050	7,969																					1.2V @ 200mA		10μA @ 1V													4.7V	8옴
PDTA144TE,115	-	보상요청	1239	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우				표면 실장	SC-75, SOT-416	PDTA144			150mW	SC-75	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000																											50V	100mA							1μA					PNP - 사전 바이어스됨	500μA에서 150mV, 10mA	100 @ 1mA, 5V		47kΩ
BYV29FD-600,118	1.0000	보상요청	2023년	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인				표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			기준		DPAK	다운로드					EAR99	8541.10.0080	1		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																		600V	1.9V @ 8A	35ns	600V에서 50μA	150°C(최대)	9A	-
PSMN5R5-60YS115	-	보상요청	9941	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드					EAR99	8541.29.0095	1
2PA1774R,115	-	보상요청	2474	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			150°C (TJ)	표면 실장	SC-75, SOT-416	2PA17			150mW	SC-75	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																											50V	150mA							100nA(ICBO)					PNP	200mV @ 5mA, 50mA	180@1mA, 6V	100MHz
BA277,115	-	보상요청	6034	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-65°C ~ 150°C (TJ)		SC-79, SOD-523	BA27				SOD-523	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	3,000					100mA													715mW								1.2pF @ 6V, 1MHz				대처 - 인디	35V								-
PHM21NQ15T,518	-	보상요청	8989	NXP USA Inc.	트렌치모스™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-VDFN 옆 패드	PHM21		MOSFET(금속)		8-HVSON(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500			N채널						150V	22.2A(Tc)	5V, 10V	55m옴 @ 15A, 10V	4V @ 1mA	36.2nC @ 10V	±20V	2080pF @ 25V	-	62.5W(Tc)
PHE13003A,412	-	보상요청	7567	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				2.1W	TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.29.0095	950																											400V	1A							1mA					NPN	1.5V @ 250mA, 750mA	10 @ 400mA, 5V	-
BC859CW,115	0.0200	보상요청	4687	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			150°C (TJ)	표면 실장	SC-70, SOT-323				200mW	SOT-323	다운로드					EAR99	8541.21.0075	1																											30V	100mA							15nA(ICBO)					PNP	650mV @ 5mA, 100mA	420 @ 2mA, 5V	100MHz
PMT29EN,135	-	보상요청	6350	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA	PMT2		MOSFET(금속)		SC-73	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	4,000			N채널						30V	6A(타)	4.5V, 10V	29m옴 @ 6A, 10V	2.5V @ 250μA	11nC @ 10V	±20V	15V에서 492pF	-	820mW(Ta), 8.33W(Tc)
BB187,315	-	보상요청	3029	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	SC-79, SOD-523	BB18				SOD-523	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934055720315	EAR99	8541.10.0070	8,000																										2.92pF @ 25V, 1MHz				하나의	32V														11	C2/C25	-
PHK4NQ20T,518	-	보상요청	9699	NXP USA Inc.	트렌치모스™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)	PHK4N		MOSFET(금속)		8-SO	다운로드	ROHS3 준수	2(1년)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	10,000			N채널						200V	4A(TC)	5V, 10V	130m옴 @ 4A, 10V	4V @ 1mA	26nC @ 10V	±20V	25V에서 1230pF	-	6.25W(Tc)
J3E145GXS/S0BGCA5J	-	보상요청	7070	NXP USA Inc.	*	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우						J3E1					-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	2,500
MRF9045NBR1	-	보상요청	1111	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		65V			TO-272-2	MRF90	945MHz	LDMOS		TO-272-2	다운로드	RoHS 비준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	500				-		350mA	45W	19dB											-										28V
MRFE6S9130HR3	-	보상요청	7270	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		66V		방역	SOT-957A	MRFE6	880MHz	LDMOS		NI-780H-2L	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	250				-		950mA	27W	19.2dB											-										28V
BC557,116	-	보상요청	2738	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			150°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록	BC55			500mW	TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	2,000																											45V	100mA							15nA(ICBO)					PNP	650mV @ 5mA, 100mA	125 @ 2mA, 5V	100MHz
BUK9E3R2-40E,127	-	보상요청	8556	NXP USA Inc.	트렌치모스™	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우			-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA	BUK9		MOSFET(금속)		I2PAK	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널						40V	100A(Tc)	5V, 10V	2.8m옴 @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	69.5nC @ 5V	±10V	9150pF @ 25V	-	234W(Tc)
BUK9K5R1-30EX	-	보상요청	2017년	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	SOT-1205, 8-LFPAK56	BUK9K5		MOSFET(금속)	68W	LFPAK56D	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1	2 N채널(듀얼)								30V	40A		5.3m옴 @ 10A, 5V	2.1V @ 1mA	26.7nC @ 5V		3065pF @ 25V	게임 레벨 레벨
PDTD123EU135	0.0300	보상요청	30	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	10,000
PDTA143XM,315	0.0300	보상요청	20	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PDTA14					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	10,000
MRF1518NT1	-	보상요청	2563	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		40V		표면 실장	PLD-1.5	MRF15	520MHz	LDMOS		PLD-1.5	다운로드	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	1,000				4A		150mA	8W	13dB											-										12.5V
J3D016YXU/T1AY599J	-	보상요청	3949	NXP USA Inc.	*	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우						J3D0					-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	2,500
PSMN012-80PS,127	-	보상요청	6968	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PSMN0					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000
BUK762R4-60E,118	-	보상요청	8011	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1			N채널						60V	120A(Tc)	10V	2.4m옴 @ 25A, 10V	4V @ 1mA	158nC @ 10V	±20V	25V에서 11180pF	-	357W(Tc)
PMV20XNE215	1.0000	보상요청	8069	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0095	3,000

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²