| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 적극적 활동 | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2PC4617QMB,315 | 0.0400 | ![]() | 96 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | 250mW | DFN1006B-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN | 200mV @ 5mA, 50mA | 120@1mA, 6V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3G20S250-01SR3 | 87.3364 | ![]() | 2843 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | A3G20 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3I25X050GNR1 | 40.8710 | ![]() | 7763 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 65V | 표면 실장 | OM-400G-8 | 2.3GHz ~ 2.7GHz | LDMOS(이중) | OM-400G-8 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 568-A3I25X050GNR1TR | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | 2 N채널 | 10μA | 130mA | 5.6W | 28.8dB @ 3.84GHz | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV170235 | 1.0000 | ![]() | 4641 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU910F | - | ![]() | 5055 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMR290XN,115 | - | ![]() | 1678년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | PMR2 | MOSFET(금속) | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 970mA(Tc) | 2.5V, 4.5V | 350m옴 @ 200mA, 4.5V | 250μA에서 1.5V | 0.72nC @ 4.5V | ±12V | 20V에서 34pF | - | 530mW(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP225NQ04T,127 | - | ![]() | 2195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | PHP22 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 75A(Tc) | 10V | 3.1m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 94nC @ 10V | ±20V | 5100pF @ 25V | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ5.6B145 | 0.0200 | ![]() | 5046 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,807 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLF1G0035S-100 | - | ![]() | 5708 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHN210,118 | - | ![]() | 1226 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -65°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | PHN210 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2 N채널(듀얼) | 30V | - | 100m옴 @ 2.2A, 10V | 2.8V @ 1mA | 6nC @ 10V | 250pF @ 20V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9832-55A,115 | - | ![]() | 7389 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | BUK98 | MOSFET(금속) | SC-73 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 55V | 12A(TC) | 4.5V, 10V | 29m옴 @ 8A, 10V | 2V @ 1mA | ±10V | 25V에서 1594pF | - | 8W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBRP113ZS,126 | - | ![]() | 3665 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PBRP113 | 500mW | TO-92-3 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 800mA | - | PNP - 사전 바이어스됨 | - | - | 1kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU11B3A115 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK794R1-40BT,127 | - | ![]() | 5785 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치플러스 | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-5 | BUK79 | MOSFET(금속) | TO-220-5 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 75A(Tc) | 10V | 4.1m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 1mA | 83nC @ 10V | ±20V | 25V에서 6808pF | 온도 감지 다이오드 | 272W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA204-600F,127 | - | ![]() | 5007 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 하나의 | 20mA | 기준 | 600V | 4A | 1.5V | 25A, 27A | 25mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA212-600B/DG,127 | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TO-220AB | 다운로드 | EAR99 | 8541.30.0080 | 756 | 하나의 | 60mA | 기준 | 600V | 12A | 1.5V | 95A, 105A | 50mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1306HR5 | 197.1090 | ![]() | 6339 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 133V | 방역 | SOT-979A | MMRF1306 | 230MHz | LDMOS | NI-1230-4H | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 2개 | - | 100mA | 1250W | 24dB | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123YM,315 | 0.0300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTC123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6VP5300NR1 | 66.1000 | ![]() | 4218 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 133V | 표면 실장 | TO-270AB | MRFE6 | 1.8MHz ~ 600MHz | LDMOS | TO-270 WB-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.29.0040 | 500 | 2개 | - | 100mA | 300W | 27dB | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NUR460/L02,112 | - | ![]() | 9169 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | DO-201AD, 축 | NUR460 | 기준 | DO-201AD | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 600V | 1.28V @ 4A | 65ns | 600V에서 50μA | 150°C(최대) | 4A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC327-40,112 | - | ![]() | 3118 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 32년 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3I35D025GNR1 | - | ![]() | 8947 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 28V | 표면 실장 | TO-270-17 변형, 갈매기 날개 | 3.2GHz ~ 4GHz | LDMOS | TO-270WBG-17 | - | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 500 | - | 3.4W | 27.8dB | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT610030PK115 | 1.0000 | ![]() | 9812 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN5R0-100ES,127 | - | ![]() | 4441 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 튜브 | 활동적인 | PSMN5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MW6S010GNR1 | 23.4700 | ![]() | 124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 68V | 표면 실장 | TO-270BA | MW6S010 | 960MHz | LDMOS | TO-270-2 갈매기 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 125mA | 10W | 18dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC115TS,126 | - | ![]() | 6049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 박스(TB) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | PDTC115 | 500mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 150mV, 5mA | 100 @ 1mA, 5V | 100kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF5S21130HSR3 | - | ![]() | 5008 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | NI-880S | MRF5 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | LDMOS | NI-880S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2A | 28W | 13.5dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU6.8B1A115 | 1.0000 | ![]() | 5633 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B13,115 | - | ![]() | 9604 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZX384 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV10EX-600P127 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 |

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