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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
A3T21H456W23SR6 NXP USA Inc. A3T21H456W23SR6 93.4511
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ECAD 9541 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 활동적인 A3T21 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 150
PBRN113EK,115 NXP USA Inc. PBRN113EK, 115 -
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ECAD 8611 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRN113 250 MW smt3; mpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA 500NA npn-사전- 1.15v @ 8ma, 800ma 180 @ 300ma, 5V 1 KOHMS 1 KOHMS
BC52-10PAS115 NXP USA Inc. BC52-10PAS115 -
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ECAD 6430 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
BT137X-600F,127 NXP USA Inc. BT137X-600F, 127 -
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ECAD 3293 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 하나의 20 MA 기준 600 v 8 a 1.5 v 65a, 71a 25 MA
BT138Y-800E,127 NXP USA Inc. BT138Y-800E, 127 -
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ECAD 9012 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 TO-220AB 다운로드 귀 99 8541.30.0080 1 하나의 30 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 12 a 1.5 v 95a, 105a 10 MA
PUMH13/ZL115 NXP USA Inc. PUMH13/ZL115 0.0500
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ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
BZX284-C6V8,115 NXP USA Inc. BZX284-C6V8,115 -
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ECAD 3934 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
AFT05MS031GNR1 NXP USA Inc. AFT05MS031GNR1 14.5100
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ECAD 3996 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 v 표면 표면 TO-270BA AFT05 520MHz LDMOS TO-270-2 -2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 - 10 MA 31W 17.7dB - 13.6 v
MRFE6VP61K25GSR5 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25GSR5 227.0268
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ECAD 3977 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 133 v 섀시 섀시 NI-1230S-4 GW mrfe6 230MHz LDMOS NI-1230S-4 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 935311183178 5A991G 8541.29.0095 50 - 100 MA 1250W 24dB - 50 v
BFU910F NXP USA Inc. bfu910f -
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ECAD 5055 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 3,000
BAV23/DG/B2215 NXP USA Inc. BAV23/DG/B2215 0.0500
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ECAD 123 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 3,000
PMMT591A,235 NXP USA Inc. PMT591A, 235 -
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ECAD 8661 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PMMT5 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000
BZX84-C13235 NXP USA Inc. BZX84-C13235 1.0000
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ECAD 8878 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 10,000
BZX84-C33/LF1R NXP USA Inc. BZX84-C33/LF1R -
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ECAD 5548 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-C33 250 MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934069463215 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 23.1 v 33 v 80 옴
BC817-25/DG215 NXP USA Inc. BC817-25/DG215 1.0000
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ECAD 6128 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC817 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
BAT754S,215 NXP USA Inc. BAT754S, 215 0.0600
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ECAD 11 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT754 Schottky SOT-23 다운로드 귀 99 8541.10.0070 5,352 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200MA (DC) 600 mv @ 100 ma 2 µa @ 25 v 125 ° C (°)
BFU530R NXP USA Inc. BFU530R 0.4000
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ECAD 339 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFU530 450MW SOT-143B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 21.5dB 12V 40ma NPN 60 @ 10ma, 8v 11GHz 0.6dB @ 900MHz
BC846B/DG/B4215 NXP USA Inc. BC846B/DG/B4215 0.0300
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ECAD 9078 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
PHB66NQ03LT NXP USA Inc. phb66nq03lt 0.4000
RFQ
ECAD 800 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 800
BZX79-B62,143 NXP USA Inc. BZX79-B62,143 0.0200
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ECAD 35 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 400MW ALF2 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 50 NA @ 43.4 v 62 v 215 옴
PDZ5.6B/ZL115 NXP USA Inc. PDZ5.6B/ZL115 -
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ECAD 8482 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0050 3,000
BC807-25QAZ NXP USA Inc. BC807-25QAZ 0.0300
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ECAD 505 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn d 패드 900 MW DFN1010D-3 다운로드 귀 99 8541.21.0095 9,306 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 40 @ 500ma, 1V 80MHz
PMEG045V050EPD139 NXP USA Inc. PMEG045V050EPD139 -
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ECAD 1619 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 5,000
PMEG4010EGW118 NXP USA Inc. PMEG4010EGW118 -
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ECAD 1352 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 10,000
PMEG045T150EPD146 NXP USA Inc. PMEG045T150EPD146 0.3600
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ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 1,500
BAW156235 NXP USA Inc. BAW156235 0.0300
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ECAD 1724 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BAW156 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 7,000
BT137-600/DG/L01127 NXP USA Inc. BT137-600/DG/L01127 0.2800
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.30.0080 1,065
BTA410-600ET,127 NXP USA Inc. BTA410-600ET, 127 0.4900
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ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220AB 다운로드 귀 99 8541.30.0080 614 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 10 a 1.5 v 100A, 110A 10 MA
PHM25NQ10T,518 NXP USA Inc. PHM25NQ10T, 518 -
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ECAD 1684 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 PHM25 MOSFET (금속 (() 8-HVSON (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 30.7A (TC) 10V 30mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 26.6 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 20 v - 62.5W (TC)
PRLL5817,115 NXP USA Inc. PRLL5817,115 -
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ECAD 3310 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-87 prll58 Schottky 멜프 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 1 ma @ 20 v 125 ° C (°) 1A 70pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고