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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 최대 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
PHE13003A,412 NXP USA Inc. PHE13003A,412 -
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ECAD 7567 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2.1W TO-92-3 다운로드 EAR99 8541.29.0095 950 400V 1A 1mA NPN 1.5V @ 250mA, 750mA 10 @ 400mA, 5V -
BC859CW,115 NXP USA Inc. BC859CW,115 0.0200
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ECAD 4687 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 200mW SOT-323 다운로드 EAR99 8541.21.0075 1 30V 100mA 15nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 100MHz
PMT29EN,135 NXP USA Inc. PMT29EN,135 -
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ECAD 6350 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA PMT2 MOSFET(금속) SC-73 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 30V 6A(타) 4.5V, 10V 29m옴 @ 6A, 10V 2.5V @ 250μA 11nC @ 10V ±20V 15V에서 492pF - 820mW(Ta), 8.33W(Tc)
BB187,315 NXP USA Inc. BB187,315 -
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ECAD 3029 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 125°C (TJ) 표면 실장 SC-79, SOD-523 BB18 SOD-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934055720315 EAR99 8541.10.0070 8,000 2.92pF @ 25V, 1MHz 하나의 32V 11 C2/C25 -
PHK4NQ20T,518 NXP USA Inc. PHK4NQ20T,518 -
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ECAD 9699 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) PHK4N MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 200V 4A(TC) 5V, 10V 130m옴 @ 4A, 10V 4V @ 1mA 26nC @ 10V ±20V 25V에서 1230pF - 6.25W(Tc)
J3E145GXS/S0BGCA5J NXP USA Inc. J3E145GXS/S0BGCA5J -
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ECAD 7070 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 J3E1 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 2,500
MRFE6S9130HR3 NXP USA Inc. MRFE6S9130HR3 -
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ECAD 7270 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 66V 방역 SOT-957A MRFE6 880MHz LDMOS NI-780H-2L 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 250 - 950mA 27W 19.2dB - 28V
BUK9E3R2-40E,127 NXP USA Inc. BUK9E3R2-40E,127 -
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ECAD 8556 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA BUK9 MOSFET(금속) I2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 100A(Tc) 5V, 10V 2.8m옴 @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 69.5nC @ 5V ±10V 9150pF @ 25V - 234W(Tc)
BUK9K5R1-30EX NXP USA Inc. BUK9K5R1-30EX -
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ECAD 2017년 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SOT-1205, 8-LFPAK56 BUK9K5 MOSFET(금속) 68W LFPAK56D 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 2 N채널(듀얼) 30V 40A 5.3m옴 @ 10A, 5V 2.1V @ 1mA 26.7nC @ 5V 3065pF @ 25V 게임 레벨 레벨
PDTD123EU135 NXP USA Inc. PDTD123EU135 0.0300
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ECAD 30 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 10,000
PDTA143XM,315 NXP USA Inc. PDTA143XM,315 0.0300
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ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTA14 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000
MRF1518NT1 NXP USA Inc. MRF1518NT1 -
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ECAD 2563 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 40V 표면 실장 PLD-1.5 MRF15 520MHz LDMOS PLD-1.5 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 1,000 4A 150mA 8W 13dB - 12.5V
J3D016YXU/T1AY599J NXP USA Inc. J3D016YXU/T1AY599J -
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ECAD 3949 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 J3D0 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 2,500
PSMN012-80PS,127 NXP USA Inc. PSMN012-80PS,127 -
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ECAD 6968 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN0 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000
BUK762R4-60E,118 NXP USA Inc. BUK762R4-60E,118 -
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ECAD 8011 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 120A(Tc) 10V 2.4m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 158nC @ 10V ±20V 25V에서 11180pF - 357W(Tc)
PMV20XNE215 NXP USA Inc. PMV20XNE215 1.0000
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ECAD 8069 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0095 3,000
MRF5S9100NR1 NXP USA Inc. MRF5S9100NR1 -
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ECAD 9156 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 표면 실장 TO-270AB MRF5 880MHz LDMOS TO-270 WB-4 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 500 - 950mA 20W 19.5dB - 26V
MRF5S9101MR1 NXP USA Inc. MRF5S9101MR1 -
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ECAD 9286 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 68V 표면 실장 TO-270AB MRF5 960MHz LDMOS TO-270 WB-4 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 500 - 700mA 100W 17.5dB - 26V
PMF87EN,115 NXP USA Inc. PMF87EN,115 -
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ECAD 4369 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 PMF87 MOSFET(금속) SC-70 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 1.7A(타) 4.5V, 10V 80m옴 @ 1.7A, 10V 2.5V @ 250μA 4.7nC @ 10V ±20V 15V에서 135pF - 275mW(타)
BLL6H0514LS-130112 NXP USA Inc. BLL6H0514LS-130112 -
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ECAD 5119 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 1
BAP65-03,115 NXP USA Inc. BAP65-03,115 0.3500
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ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) SC-76, SOD-323 BAP65 SOD-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 100mA 500mW 0.375pF @ 20V, 1MHz 핀 - 인디 30V 350m옴 @ 100mA, 100MHz
BAS45AL,115 NXP USA Inc. BAS45AL,115 0.0700
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ECAD 318 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BAS45 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 2,500
A2T18H100-25SR3 NXP USA Inc. A2T18H100-25SR3 141.2360
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ECAD 6878 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 65V 방역 NI-780-4S4 A2T18 1.81GHz LDMOS NI-780-4S4 - ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 935312027128 EAR99 8541.29.0075 250 2개 - 230mA 18W 18.1dB - 28V
BZX84-B3V3/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-B3V3/DG/B3215 0.0200
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ECAD 45 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0050 3,000
PDTC123JU/ZLX NXP USA Inc. PDTC123JU/ZLX -
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ECAD 1920년 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 PDTC123 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934069178115 EAR99 8541.21.0075 3,000
BUK9523-75A,127 NXP USA Inc. BUK9523-75A,127 -
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ECAD 5434 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 BUK95 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 75V 53A(Tc) 4.5V, 10V 22m옴 @ 25A, 10V 2V @ 1mA ±10V 3120pF @ 25V - 138W(Tc)
PHP176NQ04T,127 NXP USA Inc. PHP176NQ04T,127 -
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ECAD 8027 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 PHP17 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 75A(Tc) 10V 4.3m옴 @ 25A, 10V 4V @ 1mA 68.9nC @ 10V ±20V 3620pF @ 25V - 250W(Tc)
AFT27S010NT1 NXP USA Inc. AFT27S010NT1 15.6000
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ECAD 33 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 65V 표면 실장 PLD-1.5W AFT27 2.17GHz LDMOS PLD-1.5W - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 - 90mA 1.26W 21.7dB - 28V
PBRN123EK,115 NXP USA Inc. PBRN123EK,115 -
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ECAD 2731 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRN123 250mW SMT3; MPAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 40V 600mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 1.15V @ 8mA, 800mA 280 @ 300mA, 5V 2.2kΩ 2.2kΩ
BC847C,235 NXP USA Inc. BC847C,235 1.0000
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ECAD 2887 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250mW SOT-23 - EAR99 8541.21.0075 1 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN 400mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고