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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 용인 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 테스트 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 전압 - 제너(Nom)(Vz) 최대(최대)(Zzt) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
NZX2V4A,133 NXP USA Inc. NZX2V4A,133 0.0200
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ECAD 28 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 NZX2 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 10,000
NZX7V5A,133 NXP USA Inc. NZX7V5A,133 0.0200
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ECAD 50 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 NZX7 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0050 10,000
PDTC143ES,126 NXP USA Inc. PDTC143ES,126 -
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ECAD 5268 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 박스(TB) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 PDTC143 500mW TO-92-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 100mA 1μA NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 150mV, 10mA 30 @ 10mA, 5V 4.7kΩ 4.7kΩ
BZX884-B4V7315 NXP USA Inc. BZX884-B4V7315 1.0000
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ECAD 9536 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±2% -65°C ~ 150°C 표면 실장 SOD-882 250mW DFN1006-2 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0050 1 900mV @ 10mA 3μA @ 2V 4.7V 80옴
BAW56,215 NXP USA Inc. BAW56,215 1.0000
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ECAD 3215 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW56 기준 SOT-23 다운로드 0000.00.0000 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍 구역 90V 215mA(DC) 1.25V @ 150mA 4ns 80V에서 500nA 150°C(최대)
PHPT60415NY115 NXP USA Inc. PHPT60415NY115 0.2300
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ECAD 3981 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 1,500
BZX84-A4V7/DG/B4215 NXP USA Inc. BZX84-A4V7/DG/B4215 0.0700
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ECAD 7540 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0050 2,900
MW7IC2425NBR1 NXP USA Inc. MW7IC2425NBR1 -
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ECAD 8019 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 TO-272-16 변형, 편평형 MW7IC 2.45GHz LDMOS TO-272 WB-16 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.33.0001 500 - 55mA 25W 27.7dB - 28V
PMEG2015EA115 NXP USA Inc. PMEG2015EA115 -
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ECAD 1730년 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 표면 실장 SC-76, SOD-323 쇼트키 SOD-323 다운로드 EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 20V 660mV @ 1.5A 15V에서 50μA -65°C ~ 125°C 1.5A 25pF @ 5V, 1MHz
MRF8S19260HSR6 NXP USA Inc. MRF8S19260HSR6 -
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ECAD 5639 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 SOT-1110B MRF8 1.99GHz LDMOS NI1230S-8 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935310356128 EAR99 8541.29.0075 150 2개 - 1.6A 74W 18.2dB - 30V
BB181,115 NXP USA Inc. BB181,115 0.3700
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ECAD 965 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-79, SOD-523 BB181 SOD-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 1.055pF @ 28V, 1MHz 하나의 30V 16 C0.5/C28 -
PSMN023-40YLCX NXP USA Inc. PSMN023-40YLCX -
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ECAD 5066 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 SC-100, SOT-669 PSMN0 MOSFET(금속) LFPAK56, 전원-SO8 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 40V 24A(TC) 4.5V, 10V 23m옴 @ 5A, 10V 1.95V @ 1mA 8.4nC @ 10V ±20V 520pF @ 20V - 25W(Tc)
MRF7S16150HSR3 NXP USA Inc. MRF7S16150HSR3 -
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ECAD 5157 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 NI-780S MRF7 1.6GHz ~ 1.66GHz LDMOS NI-780S 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 250 - 1.5A 32W 19.7dB - 28V
BAS316/ZLF NXP USA Inc. BAS316/ZLF -
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ECAD 5798 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-76, SOD-323 BAS31 기준 SOD-323 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 10,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 100V 1.25V @ 150mA 4ns 80V에서 500nA 150°C(최대) 215mA 1.5pF @ 0V, 1MHz
PHT4NQ10LT,135 NXP USA Inc. PHT4NQ10LT,135 -
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ECAD 1796년 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA PHT4 MOSFET(금속) SC-73 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 100V 3.5A(Tc) 5V 250m옴 @ 1.75A, 5V 2V @ 1mA 12.2nC @ 5V ±16V 374pF @ 25V - 6.9W(Tc)
PDTC123EMB NXP USA Inc. PDTC123EMB 1.0000
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ECAD 5216 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTC123 다운로드 0000.00.0000 1
BCM847DS/DG/B2115 NXP USA Inc. BCM847DS/DG/B2115 0.0600
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ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BCM847 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.21.0075 3,000
A2T18S261W12NR3 NXP USA Inc. A2T18S261W12NR3 -
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ECAD 6553 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 OM-880X-2L2L A2T18 1.805GHz ~ 1.88GHz LDMOS OM-880X-2L2L 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935338749528 EAR99 8541.29.0075 250 10μA 1.5A 280W 18.2dB - 28V
MMRF1015NR1 NXP USA Inc. MMRF1015NR1 20.9500
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ECAD 355 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 68V 표면 실장 TO-270-2 MMRF1015 960MHz LDMOS TO-270-2 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 500 - 125mA 10W 18dB - 28V
AFT09MP055NR1 NXP USA Inc. AFT09MP055NR1 21.9432
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ECAD 8536 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 40V 표면 실장 TO-270AB AFT09 870MHz LDMOS TO-270 WB-4 - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 935315139528 EAR99 8541.29.0075 500 - 550mA 1W 15.7dB - 12.5V
BZB784-C2V7,115 NXP USA Inc. BZB784-C2V7,115 0.0300
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ECAD 168 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ±5% - 표면 실장 SC-70, SOT-323 180mW SOT-323 다운로드 EAR99 8541.10.0050 1 1쌍 구역 900mV @ 10mA 20μA @ 1V 2.7V 100옴
PDTC123YMB315 NXP USA Inc. PDTC123YMB315 0.0200
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ECAD 2063년 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PDTC123 다운로드 EAR99 8541.21.0075 4,895
BUK7C2R2-60EJ NXP USA Inc. BUK7C2R2-60EJ -
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ECAD 6677 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭) BUK7C2 MOSFET(금속) D2PAK-7 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 934067492118 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 60V - - - - -
PMN35EN,115 NXP USA Inc. PMN35EN,115 -
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ECAD 2233 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 PMN3 MOSFET(금속) SC-74 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 5.1A(타) 4.5V, 10V 31m옴 @ 5.1A, 10V 2.5V @ 250μA 9.3nC @ 10V ±20V 15V에서 334pF - 500mW(타)
PML260SN,118 NXP USA Inc. PML260SN,118 0.3600
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ECAD 6829 0.00000000 NXP USA Inc. 트렌치모스™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-VDFN 옆 패드 MOSFET(금속) DFN3333-8 다운로드 EAR99 8541.29.0095 636 N채널 200V 8.8A(Tc) 6V, 10V 294m옴 @ 2.6A, 10V 4V @ 1mA 13.3nC @ 10V ±20V 30V에서 657pF - 50W(Tc)
AFT09H310-03SR6 NXP USA Inc. AFT09H310-03SR6 -
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ECAD 8970 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 70V 방역 NI-1230S AFT09 920MHz LDMOS NI-1230S - ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. 935324687128 EAR99 8541.29.0075 150 - 680mA 56W 17.9dB - 28V
PMEG4002ESFC315 NXP USA Inc. PMEG4002ESFC315 0.0400
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ECAD 135 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0070 9,000
MRF6V2010NR1 NXP USA Inc. MRF6V2010NR1 -
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ECAD 9055 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 110V 표면 실장 TO-270AA MRF6 220MHz LDMOS TO-270-2 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 500 - 30mA 10W 23.9dB - 50V
BAT85,113 NXP USA Inc. BAT85,113 0.0500
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ECAD 26 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BAT85 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 10,000
PDZ5.6B/ZL115 NXP USA Inc. PDZ5.6B/ZL115 -
보상요청
ECAD 8482 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0050 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고