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디스크리트 반도체(6133)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	용인	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	그들	기술	파워 - 파워	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	전류 - 유지(Ih)(최대)	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	대책악	전압 - 꺼짐 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	전압 - 온상태(Vtm)(최대)	현재 - 충전상태(It(AV))(최대)	현재 - 일시적 상태(최대)	SCR 유형	모델 지수	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	전압 - 제너(Nom)(Vz)	최대(최대)(Zzt)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
BZB984-C4V3,115	0.0400	보상요청	36	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZB984					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	4,000
PBSS4420D,115	-	보상요청	4950	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PBSS4					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000
BZX84-B22,215	0.0200	보상요청	154	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZX84					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	3,000
PHK12NQ03LT,518	-	보상요청	3662	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PHK12					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500
BZX84J-C2V4115	0.0300	보상요청	19	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드					EAR99	8541.10.0050	11,823
A5G35H055NT4	22.5600	보상요청	7758	NXP USA Inc.	*	테이프 및 릴리(TR)	활동적인											-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	500
PSMN1R9-40PL127	1.6700	보상요청	2	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PSMN1R9					다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	194
NZX33A,133	0.0200	보상요청	60	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						NZX3					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	10,000
BAL99/DG/B2215	0.0200	보상요청	345	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인				표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			기준		SOT-23-3	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.10.0070	3,000		빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오)																												80V	1.25V @ 150mA	4ns	70V에서 1μA	150°C(최대)	250mA	1.5pF @ 0V, 1MHz
PZU24B3A,115	0.0300	보상요청	49	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±2%		-55°C ~ 150°C	표면 실장	SC-76, SOD-323				320mW	SOD-323	다운로드					EAR99	8541.10.0050	11,010																															1.1V @ 100mA		19V에서 50nA								24V	30옴
BUK969R0-60E,118	-	보상요청	8852	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™	대부분	활동적인			-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET(금속)		D2PAK	다운로드					EAR99	8541.29.0095	1			N채널						60V	75A(Tc)	5V	8m옴 @ 20A, 10V	2.1V @ 1mA	29.8nC @ 5V	±10V	4350pF @ 25V	-	137W(Tc)
MMRF1007HSR5	679.4412	보상요청	8500	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		110V			NI-1230-4S	MMRF1007	1.03GHz	LDMOS		NI-1230-4S	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935320316178	EAR99	8541.29.0075	50	2개			-		150mA	1000W	20dB																					-										50V
MRF8S19140HR3	-	보상요청	2512	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		65V		방역	SOT-957A	MRF8	1.96GHz	LDMOS		NI-780H-2L	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935321462128	EAR99	8541.29.0075	250				-		1.1A	34W	19.1dB																					-										28V
BT258S-800LT,118	-	보상요청	1030	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			-40°C ~ 150°C	표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63					DPAK	다운로드					EAR99	8541.30.0080	135					6mA															800V	8A	1.5V	75A, 82A	50μA	1.6V	5A	2.5mA	프로세서 카드
BZX79-C9V1,113	0.0200	보상요청	180	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZX79					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0050	10,000
PBRP113ZT,215	0.0400	보상요청	21	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인				표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PBRP113			250mW	SOT-23	다운로드					EAR99	8541.21.0095	8,362																																					40V	600mA		500nA			PNP - 사전 바이어스됨	750mV @ 6mA, 600mA	230 @ 300mA, 5V	1kΩ	10kΩ
PUMH15,115	-	보상요청	2531	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PUMH15					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000
BT131-600/DG,116	0.1000	보상요청	10	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			125°C (TJ)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록					TO-92-3	다운로드					EAR99	8541.30.0080	3,037	하나의				5mA														논리 - 기억카드	600V	1A	1.5V	12.5A, 13.8A	3mA
PEMH1,115	-	보상요청	2295	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						PEMH1					다운로드	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	4,000
BZT52H-B5V1/DLT115	1.0000	보상요청	7470	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BZT52					다운로드						0000.00.0000	1
BTA310X-600D,127	0.4100	보상요청	4	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			125°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 분리형 탭					TO-220F	다운로드					EAR99	8541.30.0080	628	하나의				10mA														논리 - 기억카드	600V	10A	1.5V	85A, 93A	5mA
ACTT4X-800C,127	0.3000	보상요청	2	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인			125°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩, 분리형 탭					TO-220F	다운로드					EAR99	8541.30.0080	995	하나의				35mA														기준	800V	4A	1V	35A, 39A	35mA
BC847W,115	-	보상요청	3403	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						BC84					-	ROHS3 준수		REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000
BUK662R7-55C	-	보상요청	6957	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											-						0000.00.0000	1
NX602NBKS115	-	보상요청	5279	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											-	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.21.0075	1
PZU15BL,315	1.0000	보상요청	7780	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	±5%		-55°C ~ 150°C	표면 실장	SOD-882				250mW	DFN1006-2	다운로드					EAR99	8541.10.0050	1																															1.1V @ 100mA		50nA @ 11V								15V	15옴
BZV90-C6V2135	0.1600	보상요청	15	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인											다운로드					EAR99	8541.10.0050	1
BZX84-C4V7/LF1R	-	보상요청	5265	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	±5%		-65°C ~ 150°C	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84-C4V7			250mW	SOT-23(TO-236AB)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	934069495215	EAR99	8541.10.0050	3,000																															900mV @ 10mA		3μA @ 2V								4.7V	80옴
MRF8S21100HSR3,128	-	보상요청	6770	NXP USA Inc.	*	대부분	활동적인						MRF8S21100		-			다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우				1																	-
J2A020YXS/T0BY425,	-	보상요청	5955	NXP USA Inc.	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			-	-	-	J2A0				-	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	935295719118	더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	12,500			-													-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 반도체(6133)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²