| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 자연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 냄비에 | 냄비를 조건으로 | Q@VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | A2T18H160-24SR3 | - | ![]() | 1934년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-780S-4L2L | A2T18 | 1.81GHz | LDMOS | NI-780S-4L2L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 2개 | - | 400mA | 28W | 17.9dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF2005NR1 | - | ![]() | 3251 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | TO-270-16 변형, 편평형 | MMRF2 | 940MHz | LDMOS | TO-270 WBL-16 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935324908528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 106mA | 3.2W | 35.9dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143TK,115 | - | ![]() | 5976 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA143 | 250mW | SMT3; MPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 1μA | PNP - 사전 바이어스됨 | 250μA에서 150mV, 5mA | 200@1mA, 5V | 4.7kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSH111BK215 | - | ![]() | 2382 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHKD13N03LT,518 | - | ![]() | 9048 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | PHKD13 | MOSFET(금속) | 3.57W | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2(1년) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,500 | 2 N채널(듀얼) | 30V | 10.4A | 20m옴 @ 8A, 10V | 2V @ 250μA | 10.7nC @ 5V | 752pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S18100NBR1 | - | ![]() | 7298 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 68V | 방역 | TO-272BB | MRF6 | 1.99GHz | LDMOS | TO-272 WB-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 900mA | 100W | 14.5dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PH1955L,115 | - | ![]() | 7442 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | PH19 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 55V | 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 17.3m옴 @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | 18nC @ 5V | ±15V | 1992pF @ 25V | - | 75W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ12BGW115 | 0.0200 | ![]() | 8884 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R5-30BLE118 | 1.0000 | ![]() | 8581 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9528-55A,127 | - | ![]() | 2482 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUK95 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 28m옴 @ 20A, 5V | 2V @ 1mA | ±10V | 25V에서 1700pF | - | 99W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM15NB2A,115 | - | ![]() | 2017년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2% | - | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PZM15 | 220mW | SMT3; MPAK | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 70nA @ 11V | 15V | 15옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6218-40C,118 | - | ![]() | 8859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | DPAK | - | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 40V | 42A(Tc) | 10V | 16m옴 @ 10A, 10V | 2.8V @ 1mA | 22nC @ 10V | ±16V | 25V에서 1170pF | - | 60W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR220,118 | - | ![]() | 5547 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRFR2 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 200V | 4.8A(Tc) | 10V | 800m옴 @ 2.9A, 10V | 4V @ 250μA | 14nC @ 10V | ±20V | 280pF @ 25V | - | 42W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS35,215 | 0.0400 | ![]() | 78 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BAS35 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT21S220W02SR3 | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-780S | AFT21 | 2.14GHz | LDMOS | NI-780S | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935311938128 | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2A | 50W | 19.1dB | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9907-55ATE,127 | - | ![]() | 5008 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-5 | BUK99 | MOSFET(금속) | TO-220-5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 4.5V, 10V | 6.2m옴 @ 50A, 10V | 2V @ 1mA | 108nC @ 5V | ±15V | 5836pF @ 25V | 온도 감지 다이오드 | 272W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A5G23H065NT4 | 22.0869 | ![]() | 5859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 125V | 표면 실장 | 6-LDFN 옆형 패드 | 2.3GHz ~ 2.4GHz | - | 6-PDFN(7x6.5) | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,500 | - | - | 30mA | 8.8W | 15.5dB | - | 48V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDPB80XP,115 | 1.0000 | ![]() | 5676 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-UFDFN 옆형 패드 | PMDPB80 | MOSFET(금속) | 485mW | 6-휴슨(2x2) | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 2.7A | 102m옴 @ 2.7A, 4.5V | 1V @ 250μA | 8.6nC @ 4.5V | 550pF @ 10V | 레벨 레벨 컨트롤러, 1.8V 드라이브 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB208-03,115 | - | ![]() | 1537 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 125°C (TJ) | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | BB20 | SOD-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 5.4pF @ 7.5V, 1MHz | 하나의 | 10V | 5.2 | C1/C7.5 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PC4617R,135 | - | ![]() | 6811 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | 2PC46 | 150mW | SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50V | 150mA | 100nA(ICBO) | NPN | 200mV @ 5mA, 50mA | 180@1mA, 6V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54/DG,215 | 0.0200 | ![]() | 52 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BAT54 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PVR100AD-B3V3,115 | - | ![]() | 1589 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | PVR10 | 300mW | SC-74 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN + 제너 | - | 160 @ 100mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN70XP115 | 0.0600 | ![]() | 523 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-06/ZLVL | - | ![]() | 6516 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | 쇼트키 | SOT-23(TO-236AB) | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍 구역 | 40V | 120mA(DC) | 1V @ 40mA | 40V에서 10μA | 150°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BW/DG/B3115 | 0.0200 | ![]() | 186 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BST15,115 | - | ![]() | 5330 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | BST1 | 1.3W | SOT-89-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 200V | 200mA | 100nA(ICBO) | PNP | 750mV @ 5mA, 50mA | 30 @ 50mA, 10V | 15MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV49-C33115 | 0.1600 | ![]() | 6783 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,760 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C36,115 | 0.1700 | ![]() | 73 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BZV90 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1PS59SB16,115 | - | ![]() | 3213 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 1PS59 | 쇼트키 | SMT3; MPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍 구역 | 30V | 200mA(DC) | 800mV @ 100mA | 5ns | 25V에서 2μA | 125°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99W/DG/B3135 | 1.0000 | ![]() | 4333 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BAV99 | 기준 | SOT-323 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍 직렬 연결 | 100V | 150mA(DC) | 1.25V @ 150mA | 4ns | 80V에서 500nA | 150°C(최대) |

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