| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 대책악 | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4740A,113 | 0.0400 | ![]() | 306 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 1N47 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9524-55A,127 | - | ![]() | 7249 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | BUK95 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 46A(Tc) | 4.5V, 10V | 21.7m옴 @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | ±10V | 25V에서 1815pF | - | 105W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B16,113 | 0.0200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 200°C (TJ) | 스루홀 | DO-204AH, DO-35, 축방향 | 400mW | ALF2 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900mV @ 10mA | 11.2V에서 50nA | 16V | 40옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN8R5-100XSQ | - | ![]() | 4908 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | PSMN8 | MOSFET(금속) | TO-220F | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 49A(티제이) | 10V | 8.5m옴 @ 10A, 10V | 4V @ 1mA | 100nC @ 10V | ±20V | 5512pF @ 50V | - | 55W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB784-C5V6,115 | 1.0000 | ![]() | 2211 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | - | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 350mW | SOT-323 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 1쌍 구역 | 900mV @ 10mA | 1μA @ 2V | 5.6V | 40옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B6V8/LF1R | - | ![]() | 5497 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-B6V8 | 250mW | SOT-23(TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934069413215 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 2μA @ 4V | 6.8V | 15옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C8V2115 | - | ![]() | 8086 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD113EU115 | - | ![]() | 4055 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHD34NQ10T,118 | - | ![]() | 9369 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 트렌치모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | PHD34 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 35A(Tc) | 10V | 40m옴 @ 17A, 10V | 4V @ 1mA | 40nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1704pF | - | 136W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG4005EGW115 | 1.0000 | ![]() | 7167 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S21100HSR3,128 | - | ![]() | 6770 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | MRF8S21100 | - | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK98150-55135 | - | ![]() | 1071 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX602NBKS115 | - | ![]() | 5279 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R4-30MLD115 | - | ![]() | 9137 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACTT4X-800C,127 | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 | TO-220F | 다운로드 | EAR99 | 8541.30.0080 | 995 | 하나의 | 35mA | 기준 | 800V | 4A | 1V | 35A, 39A | 35mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZU15BL,315 | 1.0000 | ![]() | 7780 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | ±5% | -55°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-882 | 250mW | DFN1006-2 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1V @ 100mA | 50nA @ 11V | 15V | 15옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847W,115 | - | ![]() | 3403 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BC84 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1105,215 | - | ![]() | 6128 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 7V | 표면 실장 | TO-253-4, TO-253AA | BF110 | 800MHz | MOSFET | SOT-143B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 듀얼 모듈 | 30mA | - | 20dB | 1.7dB | 5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK662R7-55C | - | ![]() | 6957 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B4V3/LF1R | - | ![]() | 6285 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84-B4V3 | 250mW | SOT-23(TO-236AB) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934069407215 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900mV @ 10mA | 3μA @ 1V | 4.3V | 90옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5213,118 | - | ![]() | 4336 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-263-5, D²Pak(4 리드 + 탭), TO-263BB | ON52 | - | - | D2PAK | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934056669118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN014-80YLX | 1.0000 | ![]() | 6224 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 80V | 62A(Tc) | 5V, 10V | 14m옴 @ 15A, 10V | 2.1V @ 1mA | 28.9nC @ 5V | ±20V | 4640pF @ 25V | - | 147W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1108215 | - | ![]() | 6481 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 3V | 표면 실장 | TO-253-4, TO-253AA | - | MOSFET | SOT-143B | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N채널 | 10mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6VS25LR5 | 76.8700 | ![]() | 7077 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 133V | 방역 | NI-360 | MRFE6 | 512MHz | LDMOS | NI-360 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 10mA | 25W | 25.9dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3005EB115 | - | ![]() | 9127 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-79, SOD-523 | PMEG3005 | 쇼트키 | SOD-523 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 30V | 500mV @ 500mA | 30V에서 500μA | 150°C(최대) | 500mA | 30pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT3946YPN,125 | - | ![]() | 8939 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMBT3946 | 350mW | SOT-363 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40V | 200mA | 50nA(ICBO) | NPN, PNP | 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz, 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF909,215 | - | ![]() | 8738 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 7V | 표면 실장 | TO-253-4, TO-253AA | BF909 | 800MHz | MOSFET | SOT-143B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 듀얼 모듈 | 40mA | 15mA | - | - | 2dB | 5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2010EPAS115 | - | ![]() | 9770 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMB11,135 | 1.0000 | ![]() | 8128 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PUMB11 | 300mW | SOT-363 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100mA | 1μA | 2 PNP - 사전 바이어스됨(이중) | 500μA에서 150mV, 10mA | 30 @ 5mA, 5V | - | 10kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S27050HSR5 | - | ![]() | 8775 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 68V | 방역 | NI-780S | MRF6 | 2.62GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 500mA | 7W | 16dB | - | 28V |

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