| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 용인 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 대책악 | 전압 - 꺼진 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 전압 - 제너(Nom)(Vz) | 최대(최대)(Zzt) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BCP56-16H,115 | - | ![]() | 5006 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C36143 | 0.0200 | ![]() | 55 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS1504V,115 | - | ![]() | 1164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SOT-563, SOT-666 | PBLS1504 | 300mW | SOT-666 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V, 15V | 100mA, 500mA | 1μA, 100nA | NPN 사전 바이어스 1개, PNP 1개 | 150mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA | 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V | 280MHz | 22kΩ | 22kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337,112 | - | ![]() | 5152 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | 33년 | 625mW | TO-92-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP2600HR6 | - | ![]() | 4651 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 110V | 방역 | NI-1230 | MRF6 | 225MHz | LDMOS | NI-1230 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 2.6A | 125W | 25dB | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6020AELR115 | - | ![]() | 1457 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PMEG6020 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P18265HR6 | - | ![]() | 7638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | SOT-1110A | MRF8 | 1.88GHz | LDMOS | NI1230-8 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935317268128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | 2개 | - | 800mA | 72W | 16dB | - | 30V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG97,115 | - | ![]() | 4153 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | BFG97 | 1W | SC-73 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 15V | 100mA | NPN | 25 @ 70mA, 10V | 5.5GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54AW,115 | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BAT54 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316-800C,127 | - | ![]() | 6719 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | TO-220AB | 다운로드 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 하나의 | 50mA | 기준 | 800V | 16A | 1.5V | 140A, 150A | 35mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9C3R8-80EJ | - | ![]() | 1398 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) | BUK9C3 | MOSFET(금속) | D2PAK-7 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934067486118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 80V | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG67/X,215 | - | ![]() | 9908 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-253-4, TO-253AA | BFG67 | 380mW | SOT-143B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | - | 10V | 50mA | NPN | 60 @ 15mA, 5V | 8GHz | 1.3dB @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN50UPE,115 | 1.0000 | ![]() | 3851 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-74, SOT-457 | MOSFET(금속) | 6-TSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 3.6A(타) | 1.8V, 4.5V | 66m옴 @ 3.6A, 4.5V | 250μA에서 900mV | 15.7nC @ 10V | ±8V | 10V에서 24pF | - | 510mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9K29-100E/CX | - | ![]() | 8972 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | BUK9K29 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6P9220HR5 | - | ![]() | 3500 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 68V | 방역 | NI-860C3 | MRF6 | 880MHz | LDMOS | NI-860C3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.6A | 47W | 20dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-B22,115 | - | ![]() | 7088 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SOD-110 | BZX284 | 400mW | SOD-110 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 15.4V에서 50nA | 22V | 25옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN021-100YLX | 1.0000 | ![]() | 2749 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | SC-100, SOT-669 | MOSFET(금속) | LFPAK56, 전원-SO8 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 100V | 49A(TC) | 5V, 10V | 21.5m옴 @ 15A, 10V | 2.1V @ 1mA | 65.6nC @ 10V | ±20V | 4640pF @ 25V | - | 147W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT86,113 | 0.0800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BAT86 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN4R3-100ES,127 | - | ![]() | 2460 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | I2PAK | - | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 100V | 120A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.3m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 1mA | 170nC @ 10V | ±20V | 50V에서 9900pF | - | 338W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C7V5/DG/B3215 | 0.0200 | ![]() | 1612 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0050 | 9,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B6V8/ZLX | - | ![]() | 6055 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ±2% | -65°C ~ 150°C | 표면 실장 | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300mW | SOD-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934068949115 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 3,000 | 1.1V @ 100mA | 2μA @ 4V | 6.8V | 15옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5275,135 | - | ![]() | 2230 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | ON5275 | - | - | SC-73 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934058851135 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144WMB,315 | 0.0300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | PDTC144 | 250mW | DFN1006B-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 1μA | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA에서 150mV, 10mA | 60 @ 5mA, 5V | 230MHz | 47kΩ | 22kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYD17D,115 | - | ![]() | 5802 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SOD-87 | BYD17 | 눈사태 | 멜프 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 200V | 1.05V @ 1A | 3μs | 200V에서 1μA | -65°C ~ 175°C | 1.5A | 21pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8VP13350GNR3 | 162.8896 | ![]() | 2939 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 100V | 표면 실장 | OM-780G-4L | MRF8VP13350 | 1.3GHz | LDMOS | OM-780G-4L | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935320727528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 2개 | - | 100mA | 350W | 19.2dB | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S18120HSR5 | - | ![]() | 2568 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 65V | 방역 | NI-780S | MRF8 | 1.81GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935310108178 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 800mA | 72W | 18.2dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1108/L,215 | - | ![]() | 7749 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 3V | 표면 실장 | TO-253-4, TO-253AA | BF110 | - | MOSFET | SOT-143B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 934061588215 | EAR99 | 8541.29.0075 | 3,000 | N채널 | 10mA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S15100HSR3 | - | ![]() | 5839 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 방역 | NI-780S | MRF7 | 1.51GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 935317045128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 600mA | 23W | 19.5dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC115TT,215 | - | ![]() | 2045년 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTC11 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFG35003ANR5 | - | ![]() | 8033 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 15V | 표면 실장 | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | pHEMT FET | PLD-1.5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 55mA | 3W | 10.8dB | - | 12V |

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