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불연속 불연속 제품 (6133)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
MRF7S21170HSR3 NXP USA Inc. MRF7S21170HSR3 -
RFQ
 ECAD 5937 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 NI-880S MRF7 2.17GHz LDMOS NI-880S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 250 - 1.4 a 50W 16db - 28 v
MRF8P26080HR3 NXP USA Inc. MRF8P26080HR3 -
RFQ
 ECAD 9528 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-780-4 MRF8 2.62GHz LDMOS NI-780-4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935310536128 귀 99 8541.29.0075 250 이중 - 300 MA 14W 15db - 28 v
BY229X-600,127 NXP USA Inc. BY229X-600,127 -
RFQ
 ECAD 7874 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 by22 기준 TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.85 V @ 20 a 135 ns 400 µa @ 500 v 150 ° C (°) 8a -
MRFE6VP6300HSR3 NXP USA Inc. MRFE6VP6300HSR3 -
RFQ
 ECAD 1338 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 130 v 표면 표면 NI-780S-4L mrfe6 230MHz LDMOS NI-780S-4L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 이중 - 100 MA 300W 26.5dB - 50 v
MRF9180R6 NXP USA Inc. MRF9180R6 -
RFQ
 ECAD 7582 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-1230 MRF91 880MHz LDMOS NI-1230 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 150 - 1.4 a 170W 17.5dB - 26 v
BAT17235 NXP USA Inc. BAT17235 0.0600
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 ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.10.0070 1
MRF5S4125NR1 NXP USA Inc. MRF5S4125NR1 -
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 ECAD 8925 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 TO-270AB MRF5 465MHz LDMOS TO-270 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 1.1 a 25W 23db - 28 v
BUK7507-55B,127 NXP USA Inc. BUK7507-55B, 127 -
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 ECAD 8730 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 230 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7.1mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 53 NC @ 10 v ± 20V 3760 pf @ 25 v - 203W (TC)
BF1210,115 NXP USA Inc. BF1210,115 -
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 ECAD 5859 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 6 v 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BF121 400MHz MOSFET 6-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 게이트 게이트 듀얼 30ma 19 MA - 31db 0.9dB 5 v
BYV34G-600127 NXP USA Inc. BYV34G-600127 0.6000
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 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 byv34 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 407
PMEG2005EL,315 NXP USA Inc. PMEG2005EL, 315 0.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 pmeg2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000
AFM906NT1 NXP USA Inc. AFM906NT1 2.9400
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 30 v 표면 표면 16-vdfn d 패드 AFM906 136MHz ~ 941MHz LDMOS 16-DFN (4x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 1,000 2µA 100 MA 6.8W - - 10.8 v
BC817-25/DG/B2235 NXP USA Inc. BC817-25/DG/B2235 -
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BC817 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 10,000
PMEG2010EV,115 NXP USA Inc. PMEG2010EV, 115 0.0500
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 pmeg2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000
1N4744A,113 NXP USA Inc. 1N4744A, 113 -
RFQ
 ECAD 2069 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 1N47 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000
PDTC143EK,115 NXP USA Inc. PDTC143EK, 115 -
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC143 250 MW smt3; mpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 1µA npn-사전- 150mv @ 500µa, 10ma 30 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 4.7 Kohms
PZM2.7NB1,115 NXP USA Inc. PZM2.7NB1,115 -
RFQ
 ECAD 2331 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PZM2.7 300MW smt3; mpak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
MRF1550FNT1 NXP USA Inc. MRF1550FNT1 -
RFQ
 ECAD 3796 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 40 v 섀시 섀시 TO-272BA MRF15 175MHz LDMOS TO-272-6 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935313626528 귀 99 8541.21.0075 500 12a 500 MA 50W 14.5dB - 12.5 v
NZX4V3B,133 NXP USA Inc. NZX4V3B, 133 0.0200
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 NZX4 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000
PSMN013-30LL,115 NXP USA Inc. PSMN013-30LL, 115 -
RFQ
 ECAD 4757 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 PSMN0 MOSFET (금속 (() 8-DFN3333 (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,400 n 채널 30 v 21A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 5a, 10V 2.15v @ 1ma 12.2 NC @ 10 v ± 20V 768 pf @ 15 v - 41W (TC)
BZX84-A16215 NXP USA Inc. BZX84-A16215 -
RFQ
 ECAD 5895 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BAT54S/DG/B4215 NXP USA Inc. BAT54S/DG/B4215 0.0300
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 Bat54 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 3,000
BZX284-C3V3,115 NXP USA Inc. BZX284-C3V3,115 -
RFQ
 ECAD 6938 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-110 BZX284 400MW SOD-110 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
PBSS4330X,135 NXP USA Inc. PBSS4330X, 135 0.0700
RFQ
 ECAD 8619 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 1.6 w SOT-89 다운로드 귀 99 8541.29.0075 2,800 30 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 300ma, 3a 270 @ 1a, 2v 100MHz
BLA6H1011-600,112 NXP USA Inc. BLA6H1011-600,112 634.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * 튜브 활동적인 bla6 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 60
1N4729A,133 NXP USA Inc. 1N4729A, 133 0.0300
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 3.6 v 10 옴
BUK7905-40AI127 NXP USA Inc. BUK7905-40AI127 -
RFQ
 ECAD 5932 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MOSFET (금속 (() TO-220-5 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 5mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 127 NC @ 10 v ± 20V 5000 pf @ 25 v 현재 현재 272W (TC)
MRF1550NT1 NXP USA Inc. MRF1550nt1 -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 40 v 섀시 섀시 TO-272AA MRF15 175MHz LDMOS TO-272-6 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 12a 500 MA 50W 14.5dB - 12.5 v
MRFX600GSR5 NXP USA Inc. MRFX600GSR5 141.6900
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 179 v 섀시 섀시 NI-780GS-4L MRFX600 1.8MHz ~ 400MHz LDMOS NI-780GS-4L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 이중 10µA 100 MA 600W 26.4dB - 65 v
BZV49-C3V9115 NXP USA Inc. BZV49-C3V9115 0.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-243AA 1 W. SOT-89 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0050 1,000 1 V @ 50 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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