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이산친구(471)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	에	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	얻다	현재의	전압	전압 - 절연	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	모델 지수(dB 일반 @ f)
CSD18531Q5AT	2.0600	보상요청	250	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		CSD18531	MOSFET(금속)		8-VSONP(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	250		N채널					60V	100A(타)	4.5V, 10V	4.6m옴 @ 22A, 10V	2.3V @ 250μA	43nC @ 10V	±20V	3840pF @ 30V	-	3.1W(Ta), 156W(Tc)
CSD18536KTTT	5.8200	보상요청	7727	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA		CSD18536	MOSFET(금속)		DDPAK/TO-263-3	다운로드	ROHS3 준수	2(1년)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널					60V	200A(Ta), 349A(Tc)	4.5V, 10V	1.6m옴 @ 100A, 10V	2.2V @ 250μA	140nC @ 10V	±20V	30V에서 11430pF	-	375W(Tc)
CSD17382F4T	0.8800	보상요청	14	인버터 인스트루먼트	FemtoFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	3-XFDFN		CSD17382	MOSFET(금속)		3-피코스타	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	250		N채널					30V	2.3A(타)	1.8V, 8V	64m옴 @ 500mA, 8V	1.2V @ 250μA	2.7nC @ 4.5V	10V	15V에서 347pF	-	500mW(타)
CSD13202Q2T	-	보상요청	7046	인버터 인스트루먼트	NexFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-WDFN옆패드		CSD13202	MOSFET(금속)		6-WSON(2x2)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		296-CSD13202Q2T	EAR99	8541.29.0095	1		N채널					12V	14.4A(타)	2.5V, 4.5V	9.3m옴 @ 5A, 4.5V	1.1V @ 250μA	6.6nC @ 4.5V	±8V	6V에서 997pF	-	2.7W(타)
CSD87384MT	2.1400	보상요청	822	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	5-LGA		CSD87384	MOSFET(금속)	8W	5-PTAB(5x3.5)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	250	2 N 채널(하프 다리)						30V	30A		7.7m옴 @ 25A, 8V	250μA에서 1.9V	9.2nC @ 4.5V		1150pF @ 15V	게임 레벨 레벨
CSD88539ND	0.9100	보상요청	7	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비)		CSD88539	MOSFET(금속)	2.1W	8-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	2 N채널(듀얼)						60V	15A		28m옴 @ 5A, 10V	3.6V @ 250μA	9.4nC @ 10V		30V에서 741pF	-
CSD17556Q5BT	3.0000	보상요청	442	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		CSD17556	MOSFET(금속)		8-VSON-클립(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	250		N채널					30V	100A(타)	4.5V, 10V	1.4m옴 @ 40A, 10V	250μA에서 1.65V	39nC @ 4.5V	±20V	7020pF @ 15V	-	3.1W(Ta), 191W(Tc)
CSD19536KCS	4.9800	보상요청	3	인버터 인스트루먼트	NexFET™	튜브	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		CSD19536	MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널					100V	150A(타)	6V, 10V	2.7m옴 @ 100A, 10V	250μA에서 3.2V	153nC @ 10V	±20V	50V에서 12000pF	-	375W(Tc)
CSD86330Q3D	2.1100	보상요청	23	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerLDFN		CSD86330Q3	MOSFET(금속)	6W	8-LSON(3.3x3.3)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	2 N 채널(하프 다리)						25V	20A		9.6m옴 @ 14A, 8V	2.1V @ 250μA	6.2nC @ 4.5V		920pF @ 12.5V	게임 레벨 레벨
CSD18533KCS	1.7000	보상요청	2	인버터 인스트루먼트	NexFET™	튜브	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3		CSD18533	MOSFET(금속)		TO-220-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널					60V	72A(Ta), 100A(Tc)	4.5V, 10V	6.3m옴 @ 75A, 10V	2.3V @ 250μA	34nC @ 10V	±20V	3025pF @ 30V	-	192W(Tc)
CSD17551Q3A	0.7600	보상요청	3	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN		CSD17551	MOSFET(금속)		8-SON(3.3x3.3)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널					30V	12A(TC)	4.5V, 10V	9m옴 @ 11A, 10V	2.1V @ 250μA	7.8nC @ 4.5V	±20V	1370pF @ 15V	-	2.6W(타)
CSD13306W	0.5400	보상요청	3	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-UFBGA, DSBGA		CSD13306	MOSFET(금속)		6-DSBGA(1x1.5)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널					12V	3.5A(타)	2.5V, 4.5V	10.2m옴 @ 1.5A, 4.5V	1.3V @ 250μA	11.2nC @ 4.5V	±10V	6V에서 1370pF	-	1.9W(타)
CSD16322Q5C	1.4500	보상요청	149	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		CSD1632	MOSFET(금속)		8-SON	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널					25V	21A(타), 97A(Tc)	3V, 8V	5m옴 @ 20A, 8V	250μA에서 1.4V	9.7nC @ 4.5V	+10V, -8V	12.5V에서 1365pF	-	3.1W(타)
CSD17551Q5A	1.0000	보상요청	13	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		CSD17551	MOSFET(금속)		8-VSONP(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널					30V	48A(TC)	4.5V, 10V	8.8m옴 @ 11A, 10V	2.2V @ 250μA	7.2nC @ 4.5V	±20V	15V에서 1272pF	-	3W(타)
CSD17510Q5A	1.2100	보상요청	4	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		CSD17510	MOSFET(금속)		8-VSONP(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널					30V	20A(Ta), 100A(Tc)	4.5V, 10V	5.2m옴 @ 20A, 10V	2.1V @ 250μA	8.3nC @ 4.5V	±20V	15V에서 1250pF	-	3W(타)
CSD23280F3T	0.9400	보상요청	15	인버터 인스트루먼트	FemtoFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	3-XFDFN		CSD23280	MOSFET(금속)		3-피코스타	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	250		P채널					12V	1.8A(타)	1.5V, 4.5V	116m옴 @ 400mA, 4.5V	250μA에서 950mV	1.23nC @ 4.5V	-6V	6V에서 234pF	-	500mW(타)
CSD16401Q5T	2.9600	보상요청	793	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		CSD16401	MOSFET(금속)		8-VSON-클립(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	250		N채널					25V	100A(타)	4.5V, 10V	1.6m옴 @ 40A, 10V	250μA에서 1.9V	29nC @ 4.5V	+16V, -12V	12.5V에서 4100pF	-	3.1W(타)
CSD25213W10	0.4700	보상요청	13	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	4-UFBGA, DSBGA		CSD25213	MOSFET(금속)		4-DSBGA(1x1)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		P채널					20V	1.6A(타)	2.5V, 4.5V	47m옴 @ 1A, 4.5V	1.1V @ 250μA	2.9nC @ 4.5V	-6V	10V에서 478pF	-	1W(타)
LP395Z/NOPB	1.8000	보상요청	4	인버터 인스트루먼트	-	대부분	활동적인	0°C ~ 125°C(타)	스루홀	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		LP395			TO-92-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,800																	36V		-	NPN	-	-	-
LM3046MX/NOPB	-	보상요청	6651	인버터 인스트루먼트	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)		LM3046		750mW	14-SOIC	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	2,500			-														15V	50mA		5 NPN		40 @ 1mA, 3V	-	3.25dB @ 1kHz
ULN2803AN	-	보상요청	6590	인버터 인스트루먼트	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	스루홀	18-DIP(0.300", 7.62mm)		ULN2803		-	18-PDIP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	20																	50V	500mA	-	8 NPN 달링턴	1.6V @ 500μA, 350mA	-	-
LM3046M/NOPB	-	보상요청	6076	인버터 인스트루먼트	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 85°C(타)	표면 실장	14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)		LM3046		750mW	14-SOIC	-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		더 이상 사용하지 않는 경우	0000.00.0000	55			-														15V	50mA		5 NPN		40 @ 1mA, 3V	-	3.25dB @ 1kHz
LMG3526R030RQSR	27.6800	보상요청	9577	인버터 인스트루먼트	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		표면 실장, 일부	52-VQFN 보조형 패드	MOSFET					-	ROHS3 준수	3(168시간)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8542.39.0001	2,000	머리 다리 컨트롤러			55A	650V	-
CSD18535KTTT	3.9100	보상요청	26	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA		CSD18535	MOSFET(금속)		DDPAK/TO-263-3	다운로드	ROHS3 준수	2(1년)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50		N채널					60V	200A(타), 279A(Tc)	4.5V, 10V	2m옴 @ 100A, 10V	2.4V @ 250μA	81nC @ 10V	±20V	30V에서 6620pF	-	300W(Tc)
CSD17577Q3A	0.6500	보상요청	32	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN		CSD17577	MOSFET(금속)		8-VSONP(3x3.3)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널					30V	35A(타)	4.5V, 10V	4.8m옴 @ 16A, 10V	250μA에서 1.8V	35nC @ 10V	±20V	15V에서 2310pF	-	2.8W(Ta), 53W(Tc)
CSD17505Q5A	1.7400	보상요청	1	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		CSD17505	MOSFET(금속)		8-VSONP(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널					30V	24A(Ta), 100A(Tc)	4.5V, 10V	3.5m옴 @ 20A, 10V	250μA에서 1.8V	13nC @ 4.5V	±20V	1980pF @ 15V	-	3.2W(타)
CSD16411Q3T	-	보상요청	1656년	인버터 인스트루먼트	NexFET™	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		CSD16411	MOSFET(금속)		8-VSON-클립(3.3x3.3)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)		296-CSD16411Q3T	EAR99	8541.29.0095	1		N채널					25V	50A(Tc)	4.5V, 10V	10m옴 @ 10A, 10V	2.3V @ 250μA	3.8nC @ 4.5V	+16V, -12V	12.5V에서 570pF	-	35W(Tc)
CSD25483F4T	0.9400	보상요청	2	인버터 인스트루먼트	FemtoFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	3-XFDFN		CSD25483	MOSFET(금속)		3-피코스타	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	250		P채널					20V	1.6A(타)	1.8V, 4.5V	205m옴 @ 500mA, 8V	1.2V @ 250μA	0.96nC @ 4.5V	-12V	10V에서 198pF	-	500mW(타)
NTK3134NT1H	0.0800	보상요청	191	인버터 인스트루먼트	-	대부분	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	SOT-723		NTK3134	-		SOT-723	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	4,000		-						890mA(타)	1.5V, 4.5V	-	-		±6V		-	-
CSD16414Q5	2.0900	보상요청	2	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN		CSD16414	MOSFET(금속)		8-VSON-클립(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널					25V	34A(Ta), 100A(Tc)	4.5V, 10V	1.9m옴 @ 30A, 10V	2V @ 250μA	21nC @ 4.5V	+16V, -12V	12.5V에서 3650pF	-	3.2W(타)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

이산친구(471)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²