SIC
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이산친구(471)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 현재의 전압 전압 - 절연 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 전압 - 출력(V(BR)GSS) 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 소스 소스(Id) - 최대
CSD17318Q2T Texas Instruments CSD17318Q2T 1.1000
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 CSD17318 MOSFET(금속) 6-WSON(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 25A(TC) 2.5V, 8V 15.1m옴 @ 8A, 8V 1.2V @ 250μA 6nC @ 4.5V ±10V 15V에서 879pF - 16W(Tc)
CSD87501LT Texas Instruments CSD87501LT 1.2000
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 10-XFLGA CSD87501 MOSFET(금속) 2.5W 10-피코스타(3.37x1.47) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 2 N채널(이중) 시작 - - - 2.3V @ 250μA 40nC @ 10V - 게임 레벨 레벨
CSD18514Q5AT Texas Instruments CSD18514Q5AT 1.0100
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 ECAD 890 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18514 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 40V 89A (Tc) 4.5V, 10V 7.9m옴 @ 15A, 10V 2.4V @ 250μA 40nC @ 10V ±20V 20V에서 2683pF - 74W(Tc)
TPIC2202KC Texas Instruments TPIC2202KC 1.3400
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 ECAD 5 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1
CSD17552Q5A Texas Instruments CSD17552Q5A 1.0900
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17552 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 17A(Ta), 60A(Tc) 4.5V, 10V 6.2m옴 @ 15A, 10V 250μA에서 1.9V 12nC @ 4.5V ±20V 2050pF @ 15V - 3W(타)
JFE2140DR Texas Instruments JFE2140DR 4.4800
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 ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) JFE2140 8-SOIC 다운로드 해당 없음 2(1년) EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 40V 13pF @ 5V 40V 1.5V @ 0.1μA 50mA
CSD87352Q5D Texas Instruments CSD87352Q5D 1.8500
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 ECAD 15 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN CSD87352Q5 MOSFET(금속) 8.5W 8-LSON(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(듀얼) 30V 25A - 250μA에서 1.15V 12.5nC @ 4.5V 15V에서 1800pF 게임 레벨 레벨
CSD25480F3 Texas Instruments CSD25480F3 0.4600
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 ECAD 11 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD25480 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 1.7A(타) 1.8V, 8V 132m옴 @ 400mA, 8V 1.2V @ 250μA 0.91nC @ 4.5V -12V 155pF @ 10V - 500mW(타)
SN75468DE4 Texas Instruments SN75468DE4 -
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 ECAD 4930 0.00000000 인버터 인스트루먼트 자동차, AEC-Q100 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 75468 - 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 40 100V 500mA - 7 NPN 달링턴 1.6V @ 500μA, 350mA - -
SN83969N Texas Instruments SN83969N -
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 ECAD 3941 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
UC3611J Texas Instruments UC3611J 19.3200
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 ECAD 520 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0080 16
CSD17308Q3T Texas Instruments CSD17308Q3T 1.0100
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 ECAD 830 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17308 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 14A(Ta), 44A(Tc) 3V, 8V 10.3m옴 @ 10A, 8V 250μA에서 1.8V 5.1nC @ 4.5V +10V, -8V 15V에서 700pF - 2.7W(Ta), 28W(Tc)
TUSB8040RKMR Texas Instruments TUSB8040RKMR 7.8800
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2156-TUSB8040RKMR-296 1
SN71713N Texas Instruments SN71713N 0.4100
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 ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1
CSD17322Q5A Texas Instruments CSD17322Q5A 0.4616
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 ECAD 12 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17322 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 87A (Tc) 4.5V, 8V 8.8m옴 @ 14A, 8V 2V @ 250μA 4.3nC @ 4.5V ±10V 695pF @ 15V - 3W(타)
CSD87330Q3D Texas Instruments CSD87330Q3D 1.5600
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 ECAD 33 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN CSD87330 MOSFET(금속) 6W 8-LSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N 채널(하프 다리) 30V 20A - 2.1V @ 250μA 5.8nC @ 4.5V 900pF @ 15V 게임 레벨 레벨
CSD17313Q2 Texas Instruments CSD17313Q2 0.6600
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 CSD17313 MOSFET(금속) 6-WSON(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 5A(Tc) 3V, 8V 30m옴 @ 4A, 8V 250μA에서 1.8V 2.7nC @ 4.5V +10V, -8V 15V에서 340pF - 2.3W(타)
CSD17522Q5A Texas Instruments CSD17522Q5A 1.2100
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 ECAD 14 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17522 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 87A (Tc) 4.5V, 10V 8.1m옴 @ 14A, 10V 2V @ 250μA 4.3nC @ 4.5V ±20V 695pF @ 15V - 3W(타)
CSD17507Q5A Texas Instruments CSD17507Q5A 0.9100
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 ECAD 6 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17507 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 13A(Ta), 65A(Tc) 4.5V, 10V 10.8m옴 @ 11A, 10V 2.1V @ 250μA 3.6nC @ 4.5V ±20V 15V에서 530pF - 3W(타)
CSD17305Q5A Texas Instruments CSD17305Q5A 0.6663
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 ECAD 4357 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17305 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 29A(Ta), 100A(Tc) 3V, 8V 3.4m옴 @ 30A, 8V 250μA에서 1.6V 18.3nC @ 4.5V +10V, -8V 2600pF @ 15V - 3.1W(타)
CSD23381F4 Texas Instruments CSD23381F4 0.4500
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 ECAD 257 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD23381 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 12V 2.3A(타) 1.8V, 4.5V 175m옴 @ 500mA, 4.5V 1.2V @ 250μA 1.14nC @ 4.5V -8V 6V에서 236pF - 500mW(타)
LMG3526R030RQST Texas Instruments LMG3526R030RQST 31.6900
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 ECAD 8357 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장, 일부 52-VQFN 보조형 패드 MOSFET - ROHS3 준수 3(168시간) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8542.39.0001 250 머리 다리 컨트롤러 55A 650V -
CSD17578Q5AT Texas Instruments CSD17578Q5AT 1.3600
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 ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17578 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 25A(타) 4.5V, 10V 6.9m옴 @ 10A, 10V 250μA에서 1.9V 22.3nC @ 10V ±20V 1510pF @ 15V - 3.1W(Ta), 42W(Tc)
CSD75211W1723 Texas Instruments CSD75211W1723 -
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 ECAD 2799 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 12-UFBGA, DSBGA CSD75211 MOSFET(금속) 1.5W 12-DSBGA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 4.5A 40m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 1.1V 5.9nC @ 4.5V 600pF @ 10V 게임 레벨 레벨
CSD17311Q5 Texas Instruments CSD17311Q5 2.0900
보상요청
 ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17311 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 32A(Ta), 100A(Tc) 3V, 8V 2m옴 @ 30A, 8V 250μA에서 1.6V 31nC @ 4.5V +10V, -8V 4280pF @ 15V - 3.2W(타)
UC3611DW Texas Instruments UC3611DW 4.9932
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 ECAD 3814 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 튜브 활동적인 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) UC3611 쇼트키 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 40 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 4면 50V 3A(DC) 1.2V @ 1A 20ns 40V에서 100μA -0°C ~ 70°C
CSD17579Q5AT Texas Instruments CSD17579Q5AT 1.2900
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17579 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 25A(타) 4.5V, 10V 9.7m옴 @ 8A, 10V 2V @ 250μA 15.1nC @ 10V ±20V 15V에서 1030pF - 3.1W(Ta), 36W(Tc)
CSD17312Q5 Texas Instruments CSD17312Q5 2.3000
보상요청
 ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17312 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 38A(Ta), 100A(Tc) 3V, 8V 1.5m옴 @ 35A, 8V 250μA에서 1.5V 36nC @ 4.5V +10V, -8V 15V에서 5240pF - 3.2W(타)
CSD87381P Texas Instruments CSD87381P 0.9400
보상요청
 ECAD 16 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 5-LGA CSD87381 MOSFET(금속) 4W 5-PTAB(3x2.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N 채널(하프 다리) 30V 15A 16.3m옴 @ 8A, 8V 250μA에서 1.9V 5nC @ 4.5V 564pF @ 15V 게임 레벨 레벨
CSD87353Q5D Texas Instruments CSD87353Q5D 2.8800
보상요청
 ECAD 20 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN CSD87353Q5 MOSFET(금속) 12W 8-LSON(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N 채널(하프 다리) 30V 40A - 2.1V @ 250μA 19nC @ 4.5V 3190pF @ 15V 게임 레벨 레벨
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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