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불연속 불연속 제품 (471)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	전류 전류 (ID) - 최대
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CSD16415Q5	2.4900	RFQ	2	텍사스 텍사스	Nexfet ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	CSD16415	MOSFET (금속 (()		8-vson-clip (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	25 v	100A (TC)	4.5V, 10V	1.15mohm @ 40a, 10V	1.9V @ 250µA	29 NC @ 4.5 v	+16V, -12V	4100 pf @ 12.5 v	-	3.2W (TA)
CSD17553Q5A	1.5300	RFQ	9	텍사스 텍사스	Nexfet ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	CSD17553	MOSFET (금속 (()		8-vsonp (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	23.5A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 20a, 10V	1.9V @ 250µA	21.5 nc @ 4.5 v	± 20V	3252 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
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CSD17579Q3A	0.6000	RFQ	42	텍사스 텍사스	Nexfet ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	CSD17579	MOSFET (금속 (()		8-VSONP (3x3.3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	30 v	20A (TA)	4.5V, 10V	10.2mohm @ 8a, 10V	1.9V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 20V	998 pf @ 15 v	-	3.2W (TA), 29W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (471)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²