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이산친구(471)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
CSD87312Q3E	1.6400	보상요청	2	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	CSD87312Q3	MOSFET(금속)	2.5W	8-VSON(3.3x3.3)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	2 N채널(이중) 둘째 소스		30V	27A		33m옴 @ 7A, 8V	1.3V @ 250μA	8.2nC @ 4.5V		1250pF @ 15V	게임 레벨 레벨
SN74S1052DB	1.5900	보상요청	10	인버터 인스트루먼트	*	대부분	활동적인								-					EAR99	8542.39.0001	1
CSD25481F4	0.4500	보상요청	80	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	3-XFDFN	CSD25481	MOSFET(금속)		3-피코스타	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000		P채널	20V	2.5A(타)	1.8V, 4.5V	88m옴 @ 500mA, 8V	1.2V @ 250μA	0.913nC @ 4.5V	-12V	10V에서 189pF	-	500mW(타)
CSD87588N	1.3900	보상요청	14	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	5-XFLGA	CSD87588	MOSFET(금속)	6W	5-PTAB(3x2.5)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	2 N 채널(하프 다리)		30V	25A		9.6m옴 @ 15A, 10V	250μA에서 1.9V	4.1nC @ 4.5V		736pF @ 15V	게임 레벨 레벨
EFC4C002NLTDG	1.0000	보상요청	5976	인버터 인스트루먼트	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	8-XFBGA, WLCSP	EFC4C002	MOSFET(금속)	2.6W	8-WLCSP(6x2.5)	다운로드						0000.00.0000	1	2 N채널(이중) 시작		-	-		-	2.2V @ 1mA	45nC @ 4.5V		6200pF @ 15V	게임 레벨 레벨
CSD25304W1015T	1.1100	보상요청	982	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-UFBGA, DSBGA	CSD25304W1015	MOSFET(금속)		6-DSBGA(1x1.5)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	250		P채널	20V	3A(타)	1.8V, 4.5V	32.5m옴 @ 1.5A, 4.5V	250μA에서 1.15V	4.4nC @ 4.5V	±8V	10V에서 595pF	-	750mW(타)
TIL3022	0.2800	보상요청	43	인버터 인스트루먼트	*	대부분	활동적인								다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.49.8000	1
TPIC5223LD	1.0400	보상요청	1	인버터 인스트루먼트	*	대부분	활동적인								다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.21.0095	1
SN75468N-A	-	보상요청	2192	인버터 인스트루먼트	SN7546x	대부분	활동적인	0°C ~ 70°C (타)	스루홀	16-DIP(0.300", 7.62mm)	SN75468		-	16-PDIP	-	ROHS3 준수			296-SN75468N-A			1													100V	500mA	-	-	1.6V @ 500μA, 350mA	-	-
SN200352N	-	보상요청	4762	인버터 인스트루먼트	*	대부분	활동적인								-	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1
CSD25402Q3A	0.9200	보상요청	53	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-PowerVDFN	CSD25402Q3	MOSFET(금속)		8-VSONP(3x3.15)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		P채널	20V	76A(티씨)	1.8V, 4.5V	8.9m옴 @ 10A, 4.5V	250μA에서 1.15V	9.7nC @ 4.5V	±12V	1790pF @ 10V	-	2.8W(Ta), 69W(Tc)
LBS-ULN2003AN	-	보상요청	4763	인버터 인스트루먼트	*	대부분	활동적인				LBS-ULN2003				-	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1
SN75469D	1.0600	보상요청	1	인버터 인스트루먼트	자동차, AEC-Q100	튜브	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)	SN75469		-	16-SOIC	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	40													100V	500mA	-	7 NPN 달링턴	1.6V @ 500μA, 350mA	-	-
CSD18531Q5A	1.7000	보상요청	8878	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	CSD18531	MOSFET(금속)		8-VSONP(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	60V	19A(Ta), 100A(Tc)	4.5V, 10V	4.6m옴 @ 22A, 10V	2.3V @ 250μA	43nC @ 10V	±20V	3840pF @ 30V	-	3.1W(Ta), 156W(Tc)
CSD16323Q3C	-	보상요청	1183	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	CSD16323	MOSFET(금속)		8-SON-EP(3x3)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	25V	21A(타), 60A(Tc)	3V, 8V	4.5m옴 @ 24A, 8V	250μA에서 1.4V	8.4nC @ 4.5V	+10V, -8V	1300pF @ 12.5V	-	3W(타)
CSD25484F4T	0.9100	보상요청	16	인버터 인스트루먼트	FemtoFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	3-XFDFN	CSD25484	MOSFET(금속)		3-피코스타	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	250		P채널	20V	2.5A(타)	1.8V, 8V	94m옴 @ 500mA, 8V	1.2V @ 250μA	1.42nC @ 4.5V	-12V	10V에서 230pF	-	500mW(타)
CSD16410Q5A	0.9600	보상요청	8	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	CSD16410	MOSFET(금속)		8-VSONP(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	25V	16A(타), 59A(Tc)	4.5V, 10V	8.5m옴 @ 17A, 10V	2.3V @ 250μA	5nC @ 4.5V	+16V, -12V	12.5V에서 740pF	-	3W(타)
CPH3448-TL-W	-	보상요청	4744	인버터 인스트루먼트	-	대부분	활동적인	150°C (TJ)	표면 실장	SC-96		MOSFET(금속)		3-CPH	다운로드						0000.00.0000	1		N채널	30V	4A(타)	1.8V, 4.5V	50m옴 @ 2A, 4.5V	-	4.7nC @ 4.5V	±12V	10V에서 430pF	-	1W(타)
CSD17507Q5AT	0.6216	보상요청	5366	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	CSD17507	MOSFET(금속)		8-VSONP(5x6)	-	해당 없음	1(무제한)		296-CSD17507Q5ATTR	EAR99	8541.29.0095	250		N채널	30V	13A(Ta), 65A(Tc)	4.5V, 10V	10.8m옴 @ 11A, 10V	2.1V @ 250μA	3.6nC @ 4.5V	±20V	15V에서 530pF	-	3W(타)
CSD87313DMS	0.8236	보상요청	9807	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-파워WDFN	CSD87313	MOSFET(금속)		8-WSON(3.3x3.3)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500	2 N채널(이중) 시작		30V	-		-	250μA에서 1.25V	28nC @ 4.5V		4290pF @ 15V	-
CSD85301Q2T	1.1300	보상요청	6130	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-WDFN옆패드	CSD85301	MOSFET(금속)	2.3W	6-WSON(2x2)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	250	2 N채널(듀얼)		20V	5A		27m옴 @ 5A, 4.5V	1.2V @ 250μA	5.4nC @ 4.5V		469pF @ 10V	레벨 레벨 컨트롤러, 5V 드라이브
TIL3020	0.6900	보상요청	2	인버터 인스트루먼트	*	대부분	활동적인								다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.49.8000	1
CSD83325LT	1.2300	보상요청	2	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	6-XFBGA	CSD83325	MOSFET(금속)	2.3W	6-피코스타	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	250	2 N채널(이중) 시작		12V	-		-	250μA에서 1.25V	10.9nC @ 4.5V		-	-
CSD18537NQ5AT	1.1000	보상요청	4	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	CSD18537	MOSFET(금속)		8-VSONP(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	250		N채널	60V	50A(Tc)	6V, 10V	13m옴 @ 12A, 10V	3.5V @ 250μA	18nC @ 10V	±20V	30V에서 1480pF	-	3.2W(Ta), 75W(Tc)
CSD13201W10	0.5000	보상요청	49	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	4-UFBGA, DSBGA	CSD13201	MOSFET(금속)		4-DSBGA(1x1)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	12V	1.6A(타)	1.8V, 4.5V	34m옴 @ 1A, 4.5V	1.1V @ 250μA	2.9nC @ 4.5V	±8V	6V에서 462pF	-	1.2W(타)
CSD17310Q5A	0.9500	보상요청	30	인버터 인스트루먼트	NexFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	CSD17310	MOSFET(금속)		8-VSONP(5x6)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	30V	21A(Ta), 100A(Tc)	3V, 8V	5.1m옴 @ 20A, 8V	250μA에서 1.8V	11.6nC @ 4.5V	+10V, -8V	1560pF @ 15V	-	3.1W(타)
SN700887N	0.6000	보상요청	7	인버터 인스트루먼트	*	대부분	활동적인								-	해당 없음	3(168시간)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8542.39.0001	1
UC3838Q	3.1200	보상요청	1	인버터 인스트루먼트	*	대부분	활동적인								다운로드		공급자가 규정하지 않는 경우	공급자가 규정하지 않는 경우	2156-UC3838Q-296			1
CSD23382F4	0.4700	보상요청	74	인버터 인스트루먼트	FemtoFET™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	3-XFDFN	CSD23382	MOSFET(금속)		3-피코스타	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000		P채널	12V	3.5A(타)	1.8V, 4.5V	76m옴 @ 500mA, 4.5V	1.1V @ 250μA	1.35nC @ 6V	±8V	6V에서 235pF	-	500mW(타)
TIL3010	0.3000	보상요청	7	인버터 인스트루먼트	*	대부분	활동적인								다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH의 영향을 받아들입니다.		EAR99	8541.49.8000	1

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

이산친구(471)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²