전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CSD87351Q5D | 2.2200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerldfn | CSD87351 | MOSFET (금속 (() | 12W | 8-LSON (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 32A | 7.6mohm @ 20a, 8v | 2.1V @ 250µA | 7.7nc @ 4.5v | 1255pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||
![]() | CSD25404Q3 | 1.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | CSD25404 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (3x3.15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 104A (TC) | 1.8V, 4.5V | 6.5mohm @ 10a, 4.5v | 1.15V @ 250µA | 14.1 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2120 pf @ 10 v | - | 2.8W (TA), 96W (TC) | |||
![]() | CSD75211W1723 | - | ![]() | 2799 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 12-UFBGA, DSBGA | CSD75211 | MOSFET (금속 (() | 1.5W | 12-DSBGA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4.5A | 40mohm @ 2a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 5.9NC @ 4.5V | 600pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||
![]() | CSD88584Q5DCT | 4.5200 | ![]() | 6077 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 22-powertfdfn | CSD88584Q5 | MOSFET (금속 (() | 12W | 22-VSON-CLIP (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n 채널 (채널 교량) | 40V | - | 0.95mohm @ 30a, 10V | 2.3V @ 250µA | 88NC @ 4.5V | 12400pf @ 20V | - | |||||
![]() | CSD25484F4 | 0.3800 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD25484 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.5A (TA) | 1.8V, 8V | 94mohm @ 500ma, 8v | 1.2V @ 250µA | 1.42 NC @ 4.5 v | -12V | 230 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||
![]() | CSD17313Q2Q1T | 0.8664 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | CSD173 | MOSFET (금속 (() | 6- 웨슨 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 30 v | 5A (TA) | 3V, 8V | 30mohm @ 4a, 8v | 1.8V @ 250µA | 2.7 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 340 pf @ 15 v | - | 2.4W (TA), 17W (TC) | |||
![]() | CSD23382F4T | 0.8800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD23382 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 250 | p 채널 | 12 v | 3.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 76mohm @ 500ma, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 1.35 nc @ 4.5 v | ± 8V | 235 pf @ 6 v | - | 500MW (TA) | |||
![]() | CSD87313DMST | 2.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | CSD87313 | MOSFET (금속 (() | 2.7W | 8-wson (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 30V | - | - | 1.2V @ 250µA | 28NC @ 4.5V | 4290pf @ 15V | - | |||||
![]() | CSD17382F4T | 0.8800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD17382 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 250 | n 채널 | 30 v | 2.3A (TA) | 1.8V, 8V | 64mohm @ 500ma, 8v | 1.2V @ 250µA | 2.7 NC @ 4.5 v | 10V | 347 pf @ 15 v | - | 500MW (TA) | |||
![]() | CSD18535KTTT | 3.9100 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA | CSD18535 | MOSFET (금속 (() | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 200A (TA), 279A (TC) | 4.5V, 10V | 2MOHM @ 100A, 10V | 2.4V @ 250µA | 81 NC @ 10 v | ± 20V | 6620 pf @ 30 v | - | 300W (TC) | |||
![]() | CSD18541F5 | 0.4500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | CSD18541 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.2A (TA) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 1a, 10V | 2.2V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 777 pf @ 30 v | - | 500MW (TA) | |||
![]() | CSD16325Q5 | 2.0700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD16325 | MOSFET (금속 (() | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 33A (TA), 100A (TC) | 3V, 8V | 2MOHM @ 30A, 8V | 1.4V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | +10V, -8V | 4000 pf @ 12.5 v | - | 3.1W (TA) | |||
![]() | CSD17310Q5A | 0.9500 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD17310 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 21A (TA), 100A (TC) | 3V, 8V | 5.1MOHM @ 20A, 8V | 1.8V @ 250µA | 11.6 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 1560 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | |||
![]() | CSD16322Q5C | 1.4500 | ![]() | 149 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD1632 | MOSFET (금속 (() | 8 아들 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 21A (TA), 97A (TC) | 3V, 8V | 5MOHM @ 20A, 8V | 1.4V @ 250µA | 9.7 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 1365 pf @ 12.5 v | - | 3.1W (TA) | |||
![]() | CSD25483F4T | 0.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD25483 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 250 | p 채널 | 20 v | 1.6A (TA) | 1.8V, 4.5V | 205mohm @ 500ma, 8v | 1.2V @ 250µA | 0.96 nc @ 4.5 v | -12V | 198 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||
![]() | CSD25402Q3A | 0.9200 | ![]() | 53 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | CSD25402Q3 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (3x3.15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 76A (TC) | 1.8V, 4.5V | 8.9mohm @ 10a, 4.5v | 1.15V @ 250µA | 9.7 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1790 pf @ 10 v | - | 2.8W (TA), 69W (TC) | |||
![]() | CSD25213W10 | 0.4700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-UFBGA, DSBGA | CSD25213 | MOSFET (금속 (() | 4-DSBGA (1x1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 47mohm @ 1a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 2.9 NC @ 4.5 v | -6V | 478 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | |||
CSD18533KC | 1.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | CSD18533 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 72A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 75a, 10V | 2.3V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 3025 pf @ 30 v | - | 192W (TC) | ||||
![]() | CSD17318Q2 | 0.5400 | ![]() | 268 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | CSD17318 | MOSFET (금속 (() | 6- 웨슨 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 25A (TC) | 2.5V, 8V | 15.1mohm @ 8a, 8v | 1.2V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 10V | 879 pf @ 15 v | - | 16W (TC) | |||
![]() | CSD17559Q5T | 3.1800 | ![]() | 396 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD17559 | MOSFET (금속 (() | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 30 v | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 1.15mohm @ 40a, 10V | 1.7V @ 250µA | 51 NC @ 4.5 v | ± 20V | 9200 pf @ 15 v | - | 3.2W (TA), 96W (TC) | |||
![]() | CSD25304W1015 | 0.5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA, DSBGA | CSD25304 | MOSFET (금속 (() | 6-DSBGA (1x1.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 32.5mohm @ 1.5a, 4.5v | 1.15V @ 250µA | 4.4 NC @ 4.5 v | ± 8V | 595 pf @ 10 v | - | 750MW (TA) | |||
![]() | CSD87384MT | 2.1400 | ![]() | 822 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 5-LGA | CSD87384 | MOSFET (금속 (() | 8W | 5-PTAB (5x3.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 30A | 7.7mohm @ 25a, 8v | 1.9V @ 250µA | 9.2NC @ 4.5V | 1150pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||
![]() | CSD13202Q2 | 0.5800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | CSD13202 | MOSFET (금속 (() | 6- 웨슨 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 12 v | 22A (TA) | 2.5V, 4.5V | 9.3mohm @ 5a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 6.6 NC @ 4.5 v | ± 8V | 997 pf @ 6 v | - | 2.7W (TA) | |||
![]() | CSD18534Q5AT | 1.2900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD18534 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 60 v | 50A (TA) | 4.5V, 10V | 9.8mohm @ 14a, 10V | 2.3V @ 250µA | 11.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1770 pf @ 30 v | - | 3.1W (TA), 77W (TC) | |||
![]() | CSD75208W1015 | 0.5600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-UFBGA, DSBGA | CSD75208 | MOSFET (금속 (() | 750MW | 6-DSBGA (1x1.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널 채널) 공통 소스 | 20V | 1.6a | 68mohm @ 1a, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 2.5NC @ 4.5V | 410pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||
CSD87588N | 1.3900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 5-XFLGA | CSD87588 | MOSFET (금속 (() | 6W | 5-PTAB (3x2.5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널 교량) | 30V | 25A | 9.6mohm @ 15a, 10V | 1.9V @ 250µA | 4.1NC @ 4.5V | 736pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||
![]() | CSD18536KTTT | 5.8200 | ![]() | 7727 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA | CSD18536 | MOSFET (금속 (() | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 200A (TA), 349A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6MOHM @ 100A, 10V | 2.2V @ 250µA | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 11430 pf @ 30 v | - | 375W (TC) | |||
![]() | CSD85301Q2 | 0.6700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | CSD85301 | MOSFET (금속 (() | 2.3W | 6- 웨슨 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 5a | 27mohm @ 5a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 5.4NC @ 4.5V | 469pf @ 10V | 로직 로직 게이트, 5V 드라이브 | |||||
![]() | CSD88539nd | 0.9100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | CSD88539 | MOSFET (금속 (() | 2.1W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 15a | 28mohm @ 5a, 10V | 3.6V @ 250µA | 9.4NC @ 10V | 741pf @ 30v | - | |||||
![]() | CSD23280F3T | 0.9400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | CSD23280 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 250 | p 채널 | 12 v | 1.8A (TA) | 1.5V, 4.5V | 116mohm @ 400ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 1.23 NC @ 4.5 v | -6V | 234 pf @ 6 v | - | 500MW (TA) |
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