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이산친구(471)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고
CSD23202W10T Texas Instruments CSD23202W10T 1.0000
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 ECAD 15 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-UFBGA, DSBGA CSD23202 MOSFET(금속) 4-DSBGA(1x1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 P채널 12V 2.2A(타) 1.5V, 4.5V 53m옴 @ 500mA, 4.5V 250μA에서 900mV 3.8nC @ 4.5V -6V 6V에서 512pF - 1W(타)
UC3611N Texas Instruments UC3611N 6.9300
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 ECAD 294 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 튜브 활동적인 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) UC3611 쇼트키 8-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 4면 50V 3A(DC) 1.2V @ 1A 20ns 40V에서 100μA -0°C ~ 70°C
CSD17577Q5A Texas Instruments CSD17577Q5A 0.8200
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 ECAD 8 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17577 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 60A(타) 4.5V, 10V 4.2m옴 @ 18A, 10V 250μA에서 1.8V 35nC @ 10V ±20V 15V에서 2310pF - 3W(Ta), 53W(Tc)
TPIC2202KC Texas Instruments TPIC2202KC 1.3400
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 ECAD 5 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1
CSD17507Q5A Texas Instruments CSD17507Q5A 0.9100
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 ECAD 6 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17507 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 13A(Ta), 65A(Tc) 4.5V, 10V 10.8m옴 @ 11A, 10V 2.1V @ 250μA 3.6nC @ 4.5V ±20V 15V에서 530pF - 3W(타)
CSD19538Q2 Texas Instruments CSD19538Q2 0.5600
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 ECAD 3329 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 CSD19538 MOSFET(금속) 6-WSON(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 14.4A(타) 6V, 10V 59m옴 @ 5A, 10V 3.8V @ 250μA 5.6nC @ 10V ±20V 50V에서 454pF - 2.5W(Ta), 20.2W(Tc)
TIL3012 Texas Instruments TIL3012 0.3000
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 ECAD 26 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.49.8000 1
CSD18563Q5A-P Texas Instruments CSD18563Q5A-P -
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 ECAD 1961년 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18563 MOSFET(금속) 8-VSON(5x6) - ROHS3 준수 1(무제한) 296-CSD18563Q5A-PTR EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 15A(타), 93A(Tc) 4.5V, 10V 6.8m옴 @ 18A, 10V 2.4V @ 250μA 20nC @ 10V ±20V 30V에서 1500pF - 3.2W(Ta), 116W(Tc)
CSD16570Q5B Texas Instruments CSD16570Q5B 2.2200
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 ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16570 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 100A(타) 4.5V, 10V 0.59m옴 @ 50A, 10V 250μA에서 1.9V 250nC @ 10V ±20V 14000pF @ 12V - 3.2W(Ta), 195W(Tc)
CSD18509Q5B Texas Instruments CSD18509Q5B 2.4900
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18509 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 100A(타) 4.5V, 10V 1.2m옴 @ 32A, 10V 2.2V @ 250μA 195nC @ 10V ±20V 13900pF @ 20V - 3.1W(Ta), 195W(Tc)
CSD16325Q5 Texas Instruments CSD16325Q5 2.0700
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 ECAD 10 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16325 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 33A(Ta), 100A(Tc) 3V, 8V 2m옴 @ 30A, 8V 250μA에서 1.4V 25nC @ 4.5V +10V, -8V 12.5V에서 4000pF - 3.1W(타)
UC3838Q Texas Instruments UC3838Q 3.1200
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 ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 공급자가 규정하지 않는 경우 공급자가 규정하지 않는 경우 2156-UC3838Q-296 1
TIL3022 Texas Instruments TIL3022 0.2800
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 ECAD 43 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.49.8000 1
CSD87588N Texas Instruments CSD87588N 1.3900
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 ECAD 14 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 5-XFLGA CSD87588 MOSFET(금속) 6W 5-PTAB(3x2.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N 채널(하프 다리) 30V 25A 9.6m옴 @ 15A, 10V 250μA에서 1.9V 4.1nC @ 4.5V 736pF @ 15V 게임 레벨 레벨
CSD25481F4 Texas Instruments CSD25481F4 0.4500
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 ECAD 80 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD25481 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 2.5A(타) 1.8V, 4.5V 88m옴 @ 500mA, 8V 1.2V @ 250μA 0.913nC @ 4.5V -12V 10V에서 189pF - 500mW(타)
CSD15380F3 Texas Instruments CSD15380F3 0.4500
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 ECAD 64 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD15380 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 500mA(타) 2.8V, 8V 1190m옴 @ 100mA, 8V 2.5μA에서 1.35V 0.281nC @ 10V 10V 10.5pF @ 10V - 500mW(타)
CSD18501Q5A Texas Instruments CSD18501Q5A 1.8100
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 ECAD 15 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18501 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 22A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 3.2m옴 @ 25A, 10V 2.3V @ 250μA 50nC @ 10V ±20V 3840pF @ 20V - 3.1W(Ta), 150W(Tc)
CSD13381F4 Texas Instruments CSD13381F4 0.4400
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 ECAD 503 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD13381 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 12V 2.1A(타) 1.8V, 4.5V 180m옴 @ 500mA, 4.5V 1.1V @ 250μA 1.4nC @ 4.5V 8V 6V에서 200pF - 500mW(타)
CSD18511KTTT Texas Instruments CSD18511KTTT 2.0100
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 ECAD 657 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB CSD18511 MOSFET(금속) DDPAK/TO-263-3 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 110A(타), 194A(Tc) 4.5V, 10V 2.6m옴 @ 100A, 10V 2.4V @ 250μA 64nC @ 10V ±20V 5940pF @ 20V - 188W(타)
CSD17501Q5A Texas Instruments CSD17501Q5A 2.0500
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17501 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.9m옴 @ 25A, 10V 250μA에서 1.8V 17nC @ 4.5V ±20V 2630pF @ 15V - 3.2W(타)
CSD18536KCS Texas Instruments CSD18536KCS 4.7600
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 ECAD 478 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD18536 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 200A(타) 4.5V, 10V 1.6m옴 @ 100A, 10V 2.2V @ 250μA 108nC @ 10V ±20V 30V에서 11430pF - 375W(Tc)
CSD75208W1015 Texas Instruments CSD75208W1015 0.5600
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 ECAD 11 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, DSBGA CSD75208 MOSFET(금속) 750mW 6-DSBGA(1x1.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(이중) 둘째소스 20V 1.6A 68m옴 @ 1A, 4.5V 1.1V @ 250μA 2.5nC @ 4.5V 410pF @ 10V 게임 레벨 레벨
CSD87312Q3E Texas Instruments CSD87312Q3E 1.6400
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD87312Q3 MOSFET(금속) 2.5W 8-VSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(이중) 둘째 소스 30V 27A 33m옴 @ 7A, 8V 1.3V @ 250μA 8.2nC @ 4.5V 1250pF @ 15V 게임 레벨 레벨
CSD13306WT Texas Instruments CSD13306WT 1.0900
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 ECAD 930 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, DSBGA CSD13306 MOSFET(금속) 6-DSBGA(1x1.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 12V 3.5A(타) 2.5V, 4.5V 10.2m옴 @ 1.5A, 4.5V 1.3V @ 250μA 11.2nC @ 4.5V ±10V 6V에서 1370pF - 1.9W(타)
EFC4C002NLTDG Texas Instruments EFC4C002NLTDG 1.0000
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 ECAD 5976 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 8-XFBGA, WLCSP EFC4C002 MOSFET(금속) 2.6W 8-WLCSP(6x2.5) 다운로드 0000.00.0000 1 2 N채널(이중) 시작 - - - 2.2V @ 1mA 45nC @ 4.5V 6200pF @ 15V 게임 레벨 레벨
CSD25304W1015T Texas Instruments CSD25304W1015T 1.1100
보상요청
 ECAD 982 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, DSBGA CSD25304W1015 MOSFET(금속) 6-DSBGA(1x1.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 P채널 20V 3A(타) 1.8V, 4.5V 32.5m옴 @ 1.5A, 4.5V 250μA에서 1.15V 4.4nC @ 4.5V ±8V 10V에서 595pF - 750mW(타)
TPIC5302D Texas Instruments TPIC5302D 1.2000
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 ECAD 969 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1
CSD25304W1015 Texas Instruments CSD25304W1015 0.5000
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, DSBGA CSD25304 MOSFET(금속) 6-DSBGA(1x1.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 3A(타) 1.8V, 4.5V 32.5m옴 @ 1.5A, 4.5V 250μA에서 1.15V 4.4nC @ 4.5V ±8V 10V에서 595pF - 750mW(타)
TPIC5621LDW Texas Instruments TPIC5621LDW 2.0300
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 ECAD 290 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1
SN74S1052DB Texas Instruments SN74S1052DB 1.5900
보상요청
 ECAD 10 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 - EAR99 8542.39.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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