| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD18502KCS | 2.6400 | ![]() | 159 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | CSD18502 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.9m옴 @ 100A, 10V | 2.1V @ 250μA | 62nC @ 10V | ±20V | 20V에서 4680pF | - | 259W(Tc) | ||||||||||||
![]() | CSD16407Q5 | 1.7700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16407 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 31A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.4m옴 @ 25A, 10V | 250μA에서 1.9V | 18nC @ 4.5V | +16V, -12V | 2660pF @ 12.5V | - | 3.1W(타) | |||||||||||
![]() | CSD13302W | 0.4900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 4-UFBGA, DSBGA | CSD13302 | MOSFET(금속) | 4-DSBGA(1x1) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 12V | 1.6A(타) | 2.5V, 4.5V | 17.1m옴 @ 1A, 4.5V | 1.3V @ 250μA | 7.8nC @ 4.5V | ±10V | 6V에서 862pF | - | 1.8W(타) | |||||||||||
![]() | CSD16404Q5A | 1.0900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16404 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 21A(타), 81A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.1m옴 @ 20A, 10V | 2.1V @ 250μA | 8.5nC @ 4.5V | +16V, -12V | 1220pF @ 12.5V | - | 3W(타) | |||||||||||
![]() | CSD18532NQ5BT | 2.9700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18532 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 60V | 100A(타) | 6V, 10V | 3.4m옴 @ 25A, 10V | 250μA에서 3.4V | 64nC @ 10V | ±20V | 30V에서 5340pF | - | 3.1W(Ta), 156W(Tc) | |||||||||||
![]() | CSD18513Q5A | 1.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18513 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 124A(Tc) | 4.5V, 10V | 5.3m옴 @ 19A, 10V | 2.4V @ 250μA | 61nC @ 10V | ±20V | 20V에서 4280pF | - | 96W(Tc) | |||||||||||
![]() | CSD17577Q5AT | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17577 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 30V | 60A(타) | 4.5V, 10V | 4.2m옴 @ 18A, 10V | 250μA에서 1.8V | 35nC @ 10V | ±20V | 15V에서 2310pF | - | 3W(Ta), 53W(Tc) | |||||||||||
![]() | SN74S1052NS | 1.4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | - | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SN75468DR | 0.8800 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | 75468 | - | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 100V | 500mA | - | 7 NPN 달링턴 | 1.6V @ 500μA, 350mA | - | - | ||||||||||||||||
![]() | SN75468N | 1.0100 | ![]() | 820 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | 자동차, AEC-Q100 | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | 75468 | - | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 100V | 500mA | - | 7 NPN 달링턴 | 1.6V @ 500μA, 350mA | - | - | |||||||||||||||
| SN75468D | 1.0600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | 자동차, AEC-Q100 | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | 75468 | - | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 100V | 500mA | - | 7 NPN 달링턴 | 1.6V @ 500μA, 350mA | - | - | ||||||||||||||||
![]() | CSD17304Q3 | 0.8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17304 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 15A(Ta), 56A(Tc) | 3V, 8V | 7.5m옴 @ 17A, 8V | 250μA에서 1.8V | 6.6nC @ 4.5V | +10V, -8V | 15V에서 955pF | - | 2.7W(타) | |||||||||||
![]() | CSD25202W15 | 0.6300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 9-UFBGA, DSBGA | CSD25202 | MOSFET(금속) | 9-DSBGA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 20V | 4A(타) | 1.8V, 4.5V | 26m옴 @ 2A, 4.5V | 250μA에서 1.05V | 7.5nC @ 4.5V | -6V | 1010pF @ 10V | - | 500mW(타) | |||||||||||
![]() | CSD18537NQ5A-P | - | ![]() | 6449 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18537 | MOSFET(금속) | 8-VSON(5x6) | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 296-CSD18537NQ5A-P | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 11A(Ta), 54A(Tc) | 6V, 10V | 13m옴 @ 12A, 10V | 3.5V @ 250μA | 18nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1480pF | - | 3.2W(Ta), 75W(Tc) | |||||||||||
![]() | TPS2013APWR | 0.5500 | ![]() | 630 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | TPS2013 | - | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 630 | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD87334Q3DT | 1.6600 | ![]() | 7151 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD87334Q3 | MOSFET(금속) | 6W | 8-VSON(3.3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N채널(이중) 배열 | 30V | - | 6m옴 @ 12A, 8V | 1.2V @ 250μA | 8.3nC @ 4.5V | 15V에서 1260pF | - | |||||||||||||
![]() | SN75468NSR | 1.8100 | ![]() | 3599 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.209", 5.30mm 폭) | 75468 | - | 16-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 100V | 500mA | - | 7 NPN 달링턴 | 1.6V @ 500μA, 350mA | - | - | |||||||||||||||
![]() | CSD16403Q5A | 1.6500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16403 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 28A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.8m옴 @ 20A, 10V | 250μA에서 1.9V | 18nC @ 4.5V | +16V, -12V | 2660pF @ 12.5V | - | 3.1W(타) | |||||||||||
![]() | CSD16413Q5A | 1.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16413 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 24A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.9m옴 @ 24A, 10V | 250μA에서 1.9V | 11.7nC @ 4.5V | +16V, -12V | 1780pF @ 12.5V | - | 3.1W(타) | |||||||||||
![]() | CSD16411Q3 | 0.8700 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | CSD16411 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(3x3.15) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 14A(Ta), 56A(Tc) | 4.5V, 10V | 10m옴 @ 10A, 10V | 2.3V @ 250μA | 3.8nC @ 4.5V | +16V, -12V | 12.5V에서 570pF | - | 2.7W(타) | |||||||||||
![]() | CSD16409Q3 | 0.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16409 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 15A(Ta), 60A(Tc) | 4.5V, 10V | 8.2m옴 @ 17A, 10V | 2.3V @ 250μA | 5.6nC @ 4.5V | +16V, -12V | 12.5V에서 800pF | - | 2.6W(타) |

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