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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
CSD18502KCS Texas Instruments CSD18502KCS 2.6400
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ECAD 159 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD18502 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.9m옴 @ 100A, 10V 2.1V @ 250μA 62nC @ 10V ±20V 20V에서 4680pF - 259W(Tc)
CSD16407Q5 Texas Instruments CSD16407Q5 1.7700
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ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16407 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 31A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.4m옴 @ 25A, 10V 250μA에서 1.9V 18nC @ 4.5V +16V, -12V 2660pF @ 12.5V - 3.1W(타)
CSD13302W Texas Instruments CSD13302W 0.4900
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ECAD 9 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-UFBGA, DSBGA CSD13302 MOSFET(금속) 4-DSBGA(1x1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 12V 1.6A(타) 2.5V, 4.5V 17.1m옴 @ 1A, 4.5V 1.3V @ 250μA 7.8nC @ 4.5V ±10V 6V에서 862pF - 1.8W(타)
CSD16404Q5A Texas Instruments CSD16404Q5A 1.0900
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ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16404 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 21A(타), 81A(Tc) 4.5V, 10V 5.1m옴 @ 20A, 10V 2.1V @ 250μA 8.5nC @ 4.5V +16V, -12V 1220pF @ 12.5V - 3W(타)
CSD18532NQ5BT Texas Instruments CSD18532NQ5BT 2.9700
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ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18532 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 60V 100A(타) 6V, 10V 3.4m옴 @ 25A, 10V 250μA에서 3.4V 64nC @ 10V ±20V 30V에서 5340pF - 3.1W(Ta), 156W(Tc)
CSD18513Q5A Texas Instruments CSD18513Q5A 1.2300
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ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18513 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 124A(Tc) 4.5V, 10V 5.3m옴 @ 19A, 10V 2.4V @ 250μA 61nC @ 10V ±20V 20V에서 4280pF - 96W(Tc)
CSD17577Q5AT Texas Instruments CSD17577Q5AT 1.4100
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ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17577 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 60A(타) 4.5V, 10V 4.2m옴 @ 18A, 10V 250μA에서 1.8V 35nC @ 10V ±20V 15V에서 2310pF - 3W(Ta), 53W(Tc)
SN74S1052NS Texas Instruments SN74S1052NS 1.4200
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ECAD 5 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 - EAR99 8542.39.0001 1
SN75468DR Texas Instruments SN75468DR 0.8800
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ECAD 22 0.00000000 인버터 인스트루먼트 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 75468 - 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 100V 500mA - 7 NPN 달링턴 1.6V @ 500μA, 350mA - -
SN75468N Texas Instruments SN75468N 1.0100
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ECAD 820 0.00000000 인버터 인스트루먼트 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) 75468 - 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 100V 500mA - 7 NPN 달링턴 1.6V @ 500μA, 350mA - -
SN75468D Texas Instruments SN75468D 1.0600
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ECAD 24 0.00000000 인버터 인스트루먼트 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 75468 - 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 40 100V 500mA - 7 NPN 달링턴 1.6V @ 500μA, 350mA - -
CSD17304Q3 Texas Instruments CSD17304Q3 0.8800
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ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17304 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 15A(Ta), 56A(Tc) 3V, 8V 7.5m옴 @ 17A, 8V 250μA에서 1.8V 6.6nC @ 4.5V +10V, -8V 15V에서 955pF - 2.7W(타)
CSD25202W15 Texas Instruments CSD25202W15 0.6300
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ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-UFBGA, DSBGA CSD25202 MOSFET(금속) 9-DSBGA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 4A(타) 1.8V, 4.5V 26m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 1.05V 7.5nC @ 4.5V -6V 1010pF @ 10V - 500mW(타)
CSD18537NQ5A-P Texas Instruments CSD18537NQ5A-P -
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ECAD 6449 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18537 MOSFET(금속) 8-VSON(5x6) - ROHS3 준수 1(무제한) 296-CSD18537NQ5A-P EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 11A(Ta), 54A(Tc) 6V, 10V 13m옴 @ 12A, 10V 3.5V @ 250μA 18nC @ 10V ±20V 30V에서 1480pF - 3.2W(Ta), 75W(Tc)
TPS2013APWR Texas Instruments TPS2013APWR 0.5500
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ECAD 630 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 TPS2013 - - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 630 -
CSD87334Q3DT Texas Instruments CSD87334Q3DT 1.6600
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ECAD 7151 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD87334Q3 MOSFET(금속) 6W 8-VSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 2 N채널(이중) 배열 30V - 6m옴 @ 12A, 8V 1.2V @ 250μA 8.3nC @ 4.5V 15V에서 1260pF -
SN75468NSR Texas Instruments SN75468NSR 1.8100
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ECAD 3599 0.00000000 인버터 인스트루먼트 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.209", 5.30mm 폭) 75468 - 16-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 100V 500mA - 7 NPN 달링턴 1.6V @ 500μA, 350mA - -
CSD16403Q5A Texas Instruments CSD16403Q5A 1.6500
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ECAD 16 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16403 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 28A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.8m옴 @ 20A, 10V 250μA에서 1.9V 18nC @ 4.5V +16V, -12V 2660pF @ 12.5V - 3.1W(타)
CSD16413Q5A Texas Instruments CSD16413Q5A 1.4000
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ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16413 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 24A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 3.9m옴 @ 24A, 10V 250μA에서 1.9V 11.7nC @ 4.5V +16V, -12V 1780pF @ 12.5V - 3.1W(타)
CSD16411Q3 Texas Instruments CSD16411Q3 0.8700
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ECAD 22 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD16411 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.15) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 14A(Ta), 56A(Tc) 4.5V, 10V 10m옴 @ 10A, 10V 2.3V @ 250μA 3.8nC @ 4.5V +16V, -12V 12.5V에서 570pF - 2.7W(타)
CSD16409Q3 Texas Instruments CSD16409Q3 0.9700
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ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16409 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 15A(Ta), 60A(Tc) 4.5V, 10V 8.2m옴 @ 17A, 10V 2.3V @ 250μA 5.6nC @ 4.5V +16V, -12V 12.5V에서 800pF - 2.6W(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고