| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD19501KCS | 2.1100 | ![]() | 6762 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | CSD19501 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 80V | 100A(타) | 6V, 10V | 6.6m옴 @ 60A, 10V | 250μA에서 3.2V | 50nC @ 10V | ±20V | 40V에서 3980pF | - | 217W(Tc) | ||||||||||||
![]() | CSD19505KTTT | 4.1300 | ![]() | 79 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA | CSD19505 | MOSFET(금속) | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2(1년) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 80V | 200A(타) | 6V, 10V | 3.1m옴 @ 100A, 10V | 250μA에서 3.2V | 76nC @ 10V | ±20V | 40V에서 7920pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||
![]() | CSD16342Q5AT | - | ![]() | 8264 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16342 | MOSFET(금속) | 8-VSON(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 296-CSD16342Q5AT | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 25V | 21A(Ta), 100A(Tc) | 2.5V, 8V | 4.7m옴 @ 20A, 8V | 1.1V @ 250μA | 7.1nC @ 4.5V | +10V, -8V | 1350pF @ 12.5V | - | 3W(타) | |||||||||||
| TPS1100PWR | 0.7130 | ![]() | 4284 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) | TPS1100 | MOSFET(금속) | 8-TSSOP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | P채널 | 15V | 1.27A(타) | 2.7V, 10V | 180m옴 @ 1.5A, 10V | 250μA에서 1.5V | 5.45nC @ 10V | +2V, -15V | - | 504mW(타) | |||||||||||||
![]() | CSD18503Q5AT | 1.7100 | ![]() | 733 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18503 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 40V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.3m옴 @ 22A, 10V | 2.3V @ 250μA | 16nC @ 4.5V | ±20V | 2640pF @ 20V | - | 3.1W(Ta), 120W(Tc) | |||||||||||
![]() | CSD19502Q5B | 2.6500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD19502 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 80V | 100A(타) | 6V, 10V | 4.1m옴 @ 19A, 10V | 3.3V @ 250μA | 62nC @ 10V | ±20V | 4870pF @ 40V | - | 3.1W(Ta), 195W(Tc) | |||||||||||
![]() | CSD13302W | 0.4900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 4-UFBGA, DSBGA | CSD13302 | MOSFET(금속) | 4-DSBGA(1x1) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 12V | 1.6A(타) | 2.5V, 4.5V | 17.1m옴 @ 1A, 4.5V | 1.3V @ 250μA | 7.8nC @ 4.5V | ±10V | 6V에서 862pF | - | 1.8W(타) | |||||||||||
![]() | CSD16407Q5 | 1.7700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16407 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 25V | 31A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.4m옴 @ 25A, 10V | 250μA에서 1.9V | 18nC @ 4.5V | +16V, -12V | 2660pF @ 12.5V | - | 3.1W(타) | |||||||||||
| CSD18542KCS | 2.5100 | ![]() | 518 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | CSD18542 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 200A(타) | 4.5V, 10V | 44m옴 @ 100A, 10V | 2.2V @ 250μA | 57nC @ 10V | ±20V | 5070pF @ 30V | - | 200W(Tc) | ||||||||||||
![]() | TPIC5421LNE | 3.6200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD17585F5T | 0.9600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-SMD, 무연 | CSD17585 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | N채널 | 30V | 5.9A(타) | 4.5V, 10V | 27m옴 @ 900mA, 10V | 250μA에서 1.7V | 5.1nC @ 10V | 20V | 15V에서 380pF | - | 500mW(타) | |||||||||||
![]() | CSD88599Q5DC | 4.1700 | ![]() | 547 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 22-전력TFDFN | CSD88599Q5 | MOSFET(금속) | 12W | 22-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N 채널(하프 다리) | 60V | - | 2.1m옴 @ 30A, 10V | 2.5V @ 250μA | 27nC @ 4.5V | 4840pF @ 30V | - | |||||||||||||
![]() | CSD16570Q5BT | 2.8000 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16570 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 25V | 100A(타) | 4.5V, 10V | 0.59m옴 @ 50A, 10V | 250μA에서 1.9V | 250nC @ 10V | ±20V | 14000pF @ 12V | - | 3.2W(Ta), 195W(Tc) | |||||||||||
![]() | CSD22206WT | 1.3700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 9-UFBGA, DSBGA | CSD22206 | MOSFET(금속) | 9-DSBGA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | P채널 | 8V | 5A(타) | 2.5V, 4.5V | 5.7m옴 @ 2A, 4.5V | 250μA에서 1.05V | 14.6nC @ 4.5V | -6V | 2275pF @ 4V | - | 1.7W(타) | |||||||||||
| CSD18532KCS | 2.3900 | ![]() | 5784 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | CSD18532 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.2m옴 @ 100A, 10V | 2.2V @ 250μA | 53nC @ 10V | ±20V | 30V에서 4680pF | - | 250W(Tc) | ||||||||||||
![]() | CSD13380F3 | 0.4500 | ![]() | 79 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | CSD13380 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 12V | 3.6A(타) | 1.8V, 4.5V | 76m옴 @ 400mA, 4.5V | 1.3V @ 250μA | 1.2nC @ 4.5V | 8V | 6V에서 156pF | - | 500mW(타) | |||||||||||
![]() | CSD18511Q5A | 1.3900 | ![]() | 9346 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18511 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 159A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.5m옴 @ 24A, 4.5V | 2.45V @ 250μA | 63nC @ 10V | ±20V | 5850pF @ 10V | - | 104W(Tc) | |||||||||||
![]() | SN75468NG4 | - | ![]() | 9120 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | 자동차, AEC-Q100 | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 150°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | 75468 | - | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 100V | 500mA | - | 7 NPN 달링턴 | 1.6V @ 500μA, 350mA | - | - | |||||||||||||||
![]() | CSD17573Q5B | 1.6200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17573Q5 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 100A(타) | 4.5V, 10V | 1m옴 @ 35A, 10V | 250μA에서 1.8V | 64nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 9000pF | - | 3.2W(Ta), 195W(Tc) | |||||||||||
![]() | LP395Z/LFT4 | - | ![]() | 8332 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0°C ~ 125°C(타) | 스루홀 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 | LP395 | TO-92-3 | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 36V | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | CSD23280F3 | 0.4500 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | CSD23280 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 12V | 1.8A(타) | 1.5V, 4.5V | 116m옴 @ 400mA, 4.5V | 250μA에서 950mV | 1.23nC @ 4.5V | -6V | 6V에서 234pF | - | 500mW(타) | |||||||||||
![]() | CSD19531Q5A | 1.7700 | ![]() | 2626 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD19531 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 100A(Tc) | 6V, 10V | 6.4m옴 @ 16A, 10V | 3.3V @ 250μA | 48nC @ 10V | ±20V | 50V에서 3870pF | - | 3.3W(Ta), 125W(Tc) | |||||||||||
![]() | CSD17577Q3AT | 1.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | CSD17577 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 30V | 35A(타) | 4.5V, 10V | 4.8m옴 @ 16A, 10V | 250μA에서 1.8V | 35nC @ 10V | ±20V | 15V에서 2310pF | - | 2.8W(Ta), 53W(Tc) | |||||||||||
![]() | CSD19533Q5A | 1.5600 | ![]() | 579 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD19533 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 100A(타) | 6V, 10V | 9.4m옴 @ 13A, 10V | 250μA에서 3.4V | 35nC @ 10V | ±20V | 50V에서 2670pF | - | 3.2W(Ta), 96W(Tc) | |||||||||||
| CSD18502KCS | 2.6400 | ![]() | 159 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | CSD18502 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.9m옴 @ 100A, 10V | 2.1V @ 250μA | 62nC @ 10V | ±20V | 20V에서 4680pF | - | 259W(Tc) | ||||||||||||
![]() | CSD87331Q3D | 1.3000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | CSD87331Q3 | MOSFET(금속) | 6W | 8-LSON(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N 채널(하프 다리) | 30V | 15A | - | 250μA에서 2.1V, 1.2V | 3.2nC @ 4.5V | 518pF @ 15V | - | |||||||||||||
| CSD18503KCS | 1.8700 | ![]() | 277 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | CSD18503 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.5m옴 @ 75A, 10V | 2.3V @ 250μA | 36nC @ 10V | ±20V | 3150pF @ 20V | - | 188W(Tc) | ||||||||||||
![]() | CSD17306Q5A | 1.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD17306 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 24A(Ta), 100A(Tc) | 3V, 8V | 3.7m옴 @ 22A, 8V | 250μA에서 1.6V | 15.3nC @ 4.5V | +10V, -8V | 15V에서 2170pF | - | 3.2W(타) | |||||||||||
![]() | SN75468N | 1.0100 | ![]() | 820 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | 자동차, AEC-Q100 | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | 75468 | - | 16-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 100V | 500mA | - | 7 NPN 달링턴 | 1.6V @ 500μA, 350mA | - | - | |||||||||||||||
| SN75468D | 1.0600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | 자동차, AEC-Q100 | 튜브 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | 75468 | - | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 100V | 500mA | - | 7 NPN 달링턴 | 1.6V @ 500μA, 350mA | - | - |

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