SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
CSD19501KCS Texas Instruments CSD19501KCS 2.1100
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ECAD 6762 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD19501 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 100A(타) 6V, 10V 6.6m옴 @ 60A, 10V 250μA에서 3.2V 50nC @ 10V ±20V 40V에서 3980pF - 217W(Tc)
CSD19505KTTT Texas Instruments CSD19505KTTT 4.1300
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ECAD 79 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA CSD19505 MOSFET(금속) DDPAK/TO-263-3 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 200A(타) 6V, 10V 3.1m옴 @ 100A, 10V 250μA에서 3.2V 76nC @ 10V ±20V 40V에서 7920pF - 300W(Tc)
CSD16342Q5AT Texas Instruments CSD16342Q5AT -
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ECAD 8264 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16342 MOSFET(금속) 8-VSON(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) 296-CSD16342Q5AT EAR99 8541.29.0095 1 N채널 25V 21A(Ta), 100A(Tc) 2.5V, 8V 4.7m옴 @ 20A, 8V 1.1V @ 250μA 7.1nC @ 4.5V +10V, -8V 1350pF @ 12.5V - 3W(타)
TPS1100PWR Texas Instruments TPS1100PWR 0.7130
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ECAD 4284 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 폭) TPS1100 MOSFET(금속) 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 P채널 15V 1.27A(타) 2.7V, 10V 180m옴 @ 1.5A, 10V 250μA에서 1.5V 5.45nC @ 10V +2V, -15V - 504mW(타)
CSD18503Q5AT Texas Instruments CSD18503Q5AT 1.7100
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ECAD 733 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18503 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 40V 100A(Tc) 4.5V, 10V 4.3m옴 @ 22A, 10V 2.3V @ 250μA 16nC @ 4.5V ±20V 2640pF @ 20V - 3.1W(Ta), 120W(Tc)
CSD19502Q5B Texas Instruments CSD19502Q5B 2.6500
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ECAD 14 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD19502 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 80V 100A(타) 6V, 10V 4.1m옴 @ 19A, 10V 3.3V @ 250μA 62nC @ 10V ±20V 4870pF @ 40V - 3.1W(Ta), 195W(Tc)
CSD13302W Texas Instruments CSD13302W 0.4900
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ECAD 9 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-UFBGA, DSBGA CSD13302 MOSFET(금속) 4-DSBGA(1x1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 12V 1.6A(타) 2.5V, 4.5V 17.1m옴 @ 1A, 4.5V 1.3V @ 250μA 7.8nC @ 4.5V ±10V 6V에서 862pF - 1.8W(타)
CSD16407Q5 Texas Instruments CSD16407Q5 1.7700
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ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16407 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 25V 31A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.4m옴 @ 25A, 10V 250μA에서 1.9V 18nC @ 4.5V +16V, -12V 2660pF @ 12.5V - 3.1W(타)
CSD18542KCS Texas Instruments CSD18542KCS 2.5100
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ECAD 518 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD18542 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 200A(타) 4.5V, 10V 44m옴 @ 100A, 10V 2.2V @ 250μA 57nC @ 10V ±20V 5070pF @ 30V - 200W(Tc)
TPIC5421LNE Texas Instruments TPIC5421LNE 3.6200
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ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1
CSD17585F5T Texas Instruments CSD17585F5T 0.9600
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ECAD 22 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 무연 CSD17585 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 N채널 30V 5.9A(타) 4.5V, 10V 27m옴 @ 900mA, 10V 250μA에서 1.7V 5.1nC @ 10V 20V 15V에서 380pF - 500mW(타)
CSD88599Q5DC Texas Instruments CSD88599Q5DC 4.1700
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ECAD 547 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 22-전력TFDFN CSD88599Q5 MOSFET(금속) 12W 22-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N 채널(하프 다리) 60V - 2.1m옴 @ 30A, 10V 2.5V @ 250μA 27nC @ 4.5V 4840pF @ 30V -
CSD16570Q5BT Texas Instruments CSD16570Q5BT 2.8000
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ECAD 26 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16570 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 25V 100A(타) 4.5V, 10V 0.59m옴 @ 50A, 10V 250μA에서 1.9V 250nC @ 10V ±20V 14000pF @ 12V - 3.2W(Ta), 195W(Tc)
CSD22206WT Texas Instruments CSD22206WT 1.3700
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ECAD 15 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-UFBGA, DSBGA CSD22206 MOSFET(금속) 9-DSBGA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 P채널 8V 5A(타) 2.5V, 4.5V 5.7m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 1.05V 14.6nC @ 4.5V -6V 2275pF @ 4V - 1.7W(타)
CSD18532KCS Texas Instruments CSD18532KCS 2.3900
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ECAD 5784 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD18532 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 100A(Tc) 4.5V, 10V 4.2m옴 @ 100A, 10V 2.2V @ 250μA 53nC @ 10V ±20V 30V에서 4680pF - 250W(Tc)
CSD13380F3 Texas Instruments CSD13380F3 0.4500
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ECAD 79 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD13380 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 12V 3.6A(타) 1.8V, 4.5V 76m옴 @ 400mA, 4.5V 1.3V @ 250μA 1.2nC @ 4.5V 8V 6V에서 156pF - 500mW(타)
CSD18511Q5A Texas Instruments CSD18511Q5A 1.3900
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ECAD 9346 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18511 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 159A(Tc) 4.5V, 10V 3.5m옴 @ 24A, 4.5V 2.45V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 5850pF @ 10V - 104W(Tc)
SN75468NG4 Texas Instruments SN75468NG4 -
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ECAD 9120 0.00000000 인버터 인스트루먼트 자동차, AEC-Q100 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. 150°C (TJ) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) 75468 - 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 100V 500mA - 7 NPN 달링턴 1.6V @ 500μA, 350mA - -
CSD17573Q5B Texas Instruments CSD17573Q5B 1.6200
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ECAD 10 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17573Q5 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 100A(타) 4.5V, 10V 1m옴 @ 35A, 10V 250μA에서 1.8V 64nC @ 4.5V ±20V 15V에서 9000pF - 3.2W(Ta), 195W(Tc)
LP395Z/LFT4 Texas Instruments LP395Z/LFT4 -
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ECAD 8332 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 125°C(타) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 참 좋은 기록 LP395 TO-92-3 - RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 36V - NPN - - -
CSD23280F3 Texas Instruments CSD23280F3 0.4500
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ECAD 63 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD23280 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 12V 1.8A(타) 1.5V, 4.5V 116m옴 @ 400mA, 4.5V 250μA에서 950mV 1.23nC @ 4.5V -6V 6V에서 234pF - 500mW(타)
CSD19531Q5A Texas Instruments CSD19531Q5A 1.7700
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ECAD 2626 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD19531 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 100A(Tc) 6V, 10V 6.4m옴 @ 16A, 10V 3.3V @ 250μA 48nC @ 10V ±20V 50V에서 3870pF - 3.3W(Ta), 125W(Tc)
CSD17577Q3AT Texas Instruments CSD17577Q3AT 1.3300
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ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD17577 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 35A(타) 4.5V, 10V 4.8m옴 @ 16A, 10V 250μA에서 1.8V 35nC @ 10V ±20V 15V에서 2310pF - 2.8W(Ta), 53W(Tc)
CSD19533Q5A Texas Instruments CSD19533Q5A 1.5600
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ECAD 579 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD19533 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 100A(타) 6V, 10V 9.4m옴 @ 13A, 10V 250μA에서 3.4V 35nC @ 10V ±20V 50V에서 2670pF - 3.2W(Ta), 96W(Tc)
CSD18502KCS Texas Instruments CSD18502KCS 2.6400
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ECAD 159 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD18502 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.9m옴 @ 100A, 10V 2.1V @ 250μA 62nC @ 10V ±20V 20V에서 4680pF - 259W(Tc)
CSD87331Q3D Texas Instruments CSD87331Q3D 1.3000
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ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN CSD87331Q3 MOSFET(금속) 6W 8-LSON(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N 채널(하프 다리) 30V 15A - 250μA에서 2.1V, 1.2V 3.2nC @ 4.5V 518pF @ 15V -
CSD18503KCS Texas Instruments CSD18503KCS 1.8700
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ECAD 277 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD18503 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 100A(Tc) 4.5V, 10V 4.5m옴 @ 75A, 10V 2.3V @ 250μA 36nC @ 10V ±20V 3150pF @ 20V - 188W(Tc)
CSD17306Q5A Texas Instruments CSD17306Q5A 1.3700
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ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17306 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 24A(Ta), 100A(Tc) 3V, 8V 3.7m옴 @ 22A, 8V 250μA에서 1.6V 15.3nC @ 4.5V +10V, -8V 15V에서 2170pF - 3.2W(타)
SN75468N Texas Instruments SN75468N 1.0100
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ECAD 820 0.00000000 인버터 인스트루먼트 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) 75468 - 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 100V 500mA - 7 NPN 달링턴 1.6V @ 500μA, 350mA - -
SN75468D Texas Instruments SN75468D 1.0600
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ECAD 24 0.00000000 인버터 인스트루먼트 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) 75468 - 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 40 100V 500mA - 7 NPN 달링턴 1.6V @ 500μA, 350mA - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고