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이산친구(471)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 작동온도 - 그리고 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
TPIC5322LD Texas Instruments TPIC5322LD -
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 ECAD 5810 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 - RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1
TPS1100DR Texas Instruments TPS1100DR 0.7130
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 ECAD 1041 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPS1100 MOSFET(금속) 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,500 P채널 15V 1.6A(타) 2.7V, 10V 180m옴 @ 1.5A, 10V 250μA에서 1.5V 5.45nC @ 10V +2V, -15V - 791mW(타)
CSD17576Q5BT Texas Instruments CSD17576Q5BT 1.5700
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 ECAD 477 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17576Q5 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 100A(타) 4.5V, 10V 2m옴 @ 25A, 10V 250μA에서 1.8V 32nC @ 4.5V ±20V 4430pF @ 15V - 3.1W(Ta), 125W(Tc)
CSD87334Q3D Texas Instruments CSD87334Q3D 0.6547
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 ECAD 5491 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD87334Q3 MOSFET(금속) 6W 8-VSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(이중) 배열 30V 20A 6m옴 @ 12A, 8V 1.2V @ 250μA 8.3nC @ 4.5V 15V에서 1260pF 게임 레벨 레벨
TPIC1502DWR Texas Instruments TPIC1502DWR 1.2400
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 ECAD 38 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1
CSD87351ZQ5D Texas Instruments CSD87351ZQ5D 0.9692
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 ECAD 7926 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN CSD87351 MOSFET(금속) 12W 8-LSON(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(이중) 배열 30V 32A - 2.1V @ 250μA 7.7nC @ 4.5V 1255pF @ 15V 게임 레벨 레벨
UC1612J Texas Instruments UC1612J 7.7800
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 ECAD 228 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 대부분 활동적인 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) 쇼트키 8-SOIC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.10.0080 1 50V @ 1A -55°C ~ 150°C
CSD13385F5 Texas Instruments CSD13385F5 0.4900
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 ECAD 49 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 무연 CSD13385 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 12V 4.3A(타) 1.8V, 4.5V 19m옴 @ 900mA, 4.5V 1.2V @ 250μA 5nC @ 4.5V 8V 674pF @ 6V - 500mW(타)
TMS70C02FNLR Texas Instruments TMS70C02FNLR 2.2400
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 ECAD 28 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 135
CSD13381F4T Texas Instruments CSD13381F4T 0.9300
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 ECAD 6 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD13381F4 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 N채널 12V 2.1A(타) 1.8V, 4.5V 180m옴 @ 500mA, 4.5V 1.1V @ 250μA 1.4nC @ 4.5V 8V 6V에서 200pF - 500mW(타)
CSD18503Q5A Texas Instruments CSD18503Q5A 1.6100
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18503 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 19A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 4.3m옴 @ 22A, 10V 2.3V @ 250μA 32nC @ 10V ±20V 2640pF @ 20V - 3.1W(Ta), 120W(Tc)
SN75469DR Texas Instruments SN75469DR 0.8800
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 자동차, AEC-Q100 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 16-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) SN75469 - 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 100V 500mA - 7 NPN 달링턴 1.6V @ 500μA, 350mA - -
TPS1120D Texas Instruments TPS1120D 1.6926
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 ECAD 6836 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) TPS1120 MOSFET(금속) 840mW 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 75 2 P채널(듀얼) 15V 1.17A 180m옴 @ 1.5A, 10V 250μA에서 1.5V 5.45nC @ 10V - 게임 레벨 레벨
CSD87333Q3D Texas Instruments CSD87333Q3D 1.3000
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD87333Q3 MOSFET(금속) 6W 8-VSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N채널(이중) 배열 30V 15A 14.3m옴 @ 4A, 8V 1.2V @ 250μA 4.6nC @ 4.5V 662pF @ 15V 레벨 레벨 컨트롤러, 5V 드라이브
CSD87335Q3DT Texas Instruments CSD87335Q3DT 1.9200
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 ECAD 232 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN CSD87335Q3 MOSFET(금속) 6W 8-LSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 2 N채널(듀얼) 30V 25A - 250μA에서 1.9V 7.4nC @ 4.5V 1050pF @ 15V -
CSD25402Q3AT Texas Instruments CSD25402Q3AT 1.1200
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 ECAD 9 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD25402Q3 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 296-CSD25402Q3ATCT EAR99 8541.29.0095 250 P채널 20V 15A(타), 76A(Tc) 1.8V, 4.5V 8.9m옴 @ 10A, 4.5V 250μA에서 1.15V 9.7nC @ 4.5V ±12V 1790pF @ 10V - 2.8W(Ta), 69W(Tc)
CSD19537Q3 Texas Instruments CSD19537Q3 1.3300
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 ECAD 8 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD19537 MOSFET(금속) 8-VSON(3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 50A(타) 6V, 10V 14.5m옴 @ 10A, 10V 3.6V @ 250μA 21nC @ 10V ±20V 50V에서 1680pF - 2.8W(Ta), 83W(Tc)
CSD19505KCS Texas Instruments CSD19505KCS 3.2800
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 ECAD 1261 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD19505 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 150A(타) 6V, 10V 3.8m옴 @ 100A, 6V 250μA에서 3.2V 76nC @ 10V ±20V 40V에서 7820pF - 300W(Tc)
CSD18534KCS Texas Instruments CSD18534KCS 1.5300
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD18534 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 45A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 9.5m옴 @ 40A, 10V 2.3V @ 250μA 24nC @ 10V ±20V 30V에서 1880pF - 107W(Tc)
SN75469N Texas Instruments SN75469N 1.0100
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 ECAD 26 0.00000000 인버터 인스트루먼트 자동차, AEC-Q100 튜브 활동적인 150°C (TJ) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) SN75469 - 16-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 100V 500mA - 7 NPN 달링턴 1.6V @ 500μA, 350mA - -
TPIC1505DWR Texas Instruments TPIC1505DWR 1.5800
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 ECAD 31 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1,000
CSD19538Q3A Texas Instruments CSD19538Q3A 0.6500
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 ECAD 9125 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD19538 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 100V 15A(타) 6V, 10V 59m옴 @ 5A, 10V 3.8V @ 250μA 4.3nC @ 10V ±20V 50V에서 454pF - 2.8W(Ta), 23W(Tc)
CSD18541F5T Texas Instruments CSD18541F5T 0.9500
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 ECAD 29 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-SMD, 무연 CSD18541 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 N채널 60V 2.2A(타) 4.5V, 10V 65m옴 @ 1A, 10V 2.2V @ 250μA 14nC @ 10V ±20V 30V에서 777pF - 500mW(타)
CSD83325L Texas Instruments CSD83325L 0.6000
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 ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-XFBGA CSD83325 MOSFET(금속) 2.3W 6-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(이중) 시작 12V - - 250μA에서 1.25V 10.9nC @ 4.5V - -
CSD23203W Texas Instruments CSD23203W 0.5100
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, DSBGA CSD23203 MOSFET(금속) 6-DSBGA(1x1.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 8V 3A(타) 1.8V, 4.5V 19.4m옴 @ 1.5A, 4.5V 1.1V @ 250μA 6.3nC @ 4.5V -6V 4V에서 914pF - 750mW(타)
CSD17381F4 Texas Instruments CSD17381F4 0.4200
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 ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD17381 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 3.1A(타) 1.8V, 4.5V 109m옴 @ 500mA, 8A 1.1V @ 250μA 1.35nC @ 4.5V 12V 15V에서 195pF - 500mW(타)
CSD16301Q2 Texas Instruments CSD16301Q2 0.5800
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 ECAD 21 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-SMD, 플랫 리드 CSD16301 MOSFET(금속) 6-SON 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 25V 5A(Tc) 3V, 8V 24m옴 @ 4A, 8V 250μA에서 1.55V 2.8nC @ 4.5V +10V, -8V 12.5V에서 340pF - 2.3W(타)
CSD23202W10 Texas Instruments CSD23202W10 0.4200
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 ECAD 4 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-UFBGA, DSBGA CSD23202 MOSFET(금속) 4-DSBGA(1x1) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 12V 2.2A(타) 1.5V, 4.5V 53m옴 @ 500mA, 4.5V 250μA에서 900mV 3.8nC @ 4.5V -6V 6V에서 512pF - 1W(타)
CSD25303W1015 Texas Instruments CSD25303W1015 -
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 ECAD 2361 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFBGA, DSBGA CSD2530 MOSFET(금속) 6-DSBGA(1x1.5) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 3A(TC) 1.8V, 4.5V 58m옴 @ 1.5A, 4.5V 1V @ 250μA 4.3nC @ 4.5V ±8V 10V에서 435pF - 1.5W(타)
CSD17579Q5A Texas Instruments CSD17579Q5A 0.6900
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 ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD17579 MOSFET(금속) 8-VSONP(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 25A(타) 4.5V, 10V 9.7m옴 @ 8A, 10V 2V @ 250μA 15.1nC @ 10V ±20V 15V에서 1030pF - 3.1W(Ta), 36W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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