| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDP032N08 | 1.0000 | ![]() | 9754 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | FDP032 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 1 | N채널 | 75V | 120A(Tc) | 10V | 3.2m옴 @ 75A, 10V | 250μA에서 4.5V | 220nC @ 10V | ±20V | 15160pF @ 25V | - | 375W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SN910214N-P | - | ![]() | 7203 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 3(168시간) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD17578Q3A | 0.6900 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | CSD17578 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 20A(타) | 4.5V, 10V | 7.3m옴 @ 10A, 10V | 250μA에서 1.9V | 22.2nC @ 10V | ±20V | 1590pF @ 15V | - | 3.2W(Ta), 37W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD17578Q3AT | 1.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | CSD17578 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 30V | 20A(타) | 4.5V, 10V | 7.3m옴 @ 10A, 10V | 250μA에서 1.9V | 22.2nC @ 10V | ±20V | 1590pF @ 15V | - | 3.2W(Ta), 37W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SN75469NE4 | - | ![]() | 5657 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UC3610DWTR | 3.8235 | ![]() | 9559 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 표면 실장 | 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | UC3610 | 쇼트키 | 16-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2(1년) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1.3V @ 1A | 40V에서 100μA | 3A | 단상 | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD19535KTT | 3.4200 | ![]() | 1192 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA | CSD19535 | MOSFET(금속) | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2(1년) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 100V | 200A(타) | 6V, 10V | 3.4m옴 @ 100A, 10V | 250μA에서 3.4V | 98nC @ 10V | ±20V | 50V에서 7930pF | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD17571Q2 | 0.5000 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-WDFN옆패드 | CSD17571 | MOSFET(금속) | 6-SON(2x2) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 22A(타) | 4.5V, 10V | 29m옴 @ 5A, 4.5V | 2V @ 250μA | 3.1nC @ 4.5V | ±20V | 15V에서 468pF | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD17577Q3AT | 1.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | CSD17577 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 30V | 35A(타) | 4.5V, 10V | 4.8m옴 @ 16A, 10V | 250μA에서 1.8V | 35nC @ 10V | ±20V | 15V에서 2310pF | - | 2.8W(Ta), 53W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD17483F4 | 0.4500 | ![]() | 88 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | CSD17483 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 1.5A(타) | 1.8V, 4.5V | 240m옴 @ 500mA, 8V | 1.1V @ 250μA | 1.3nC @ 4.5V | 12V | 190pF @ 15V | - | 500mW(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UC3610N | 8.2400 | ![]() | 223 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 튜브 | 활동적인 | 0°C ~ 70°C (타) | 스루홀 | 8-DIP(0.300", 7.62mm) | UC3610 | 쇼트키 | 8-PDIP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.3V @ 1A | 40V에서 100μA | 3A | 단상 | 50V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD19532Q5BT | 2.8200 | ![]() | 7281 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD19532 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 100V | 100A(타) | 6V, 10V | 4.9m옴 @ 17A, 10V | 250μA에서 3.2V | 62nC @ 10V | ±20V | 50V에서 4810pF | - | 3.1W(Ta), 195W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SN74S1051NS | - | ![]() | 3801 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | 74S | 튜브 | 마지막 구매 | 표면 실장 | 16-SOIC(0.209", 5.30mm 폭) | 74S1051 | 쇼트키 | 16-SO | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 296-SN74S1051NS | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 12쌍 직렬 연결 | 7V | 50mA | 1.3V @ 50mA | 16ns | 7V에서 5μA | 0°C ~ 70°C | ||||||||||||||||||||||||||||
| CSD18504KCS | 1.6200 | ![]() | 103 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | CSD18504 | MOSFET(금속) | TO-220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 53A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 7m옴 @ 40A, 10V | 2.3V @ 250μA | 25nC @ 10V | ±20V | 20V에서 1800pF | - | 115W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD18532NQ5B | 2.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18532 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 22A(Ta), 100A(Tc) | 6V, 10V | 3.4m옴 @ 25A, 10V | 250μA에서 3.4V | 64nC @ 10V | ±20V | 30V에서 5340pF | - | 3.2W(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FJT44KTF | - | ![]() | 9510 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 2W | SOT-223-4 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | 400V | 300mA | 500nA | NPN | 750mV @ 5mA, 50mA | 50 @ 10mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD18510Q5B | 2.3200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD18510 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 300A(Tc) | 4.5V, 10V | 0.96m옴 @ 32A, 10V | 2.3V @ 250μA | 153nC @ 10V | ±20V | 11400pF @ 20V | - | 156W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UC1611J883B | 26.1200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD17581Q3A | 0.8800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | CSD17581 | MOSFET(금속) | 8-VSONP(3x3.3) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 21A(타) | 4.5V, 10V | 3.8m옴 @ 16A, 10V | 250μA에서 1.7V | 54nC @ 10V | ±20V | 15V에서 3640pF | - | 2.8W(Ta), 63W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD22204WT | 1.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 9-UFBGA, DSBGA | CSD22204 | MOSFET(금속) | 9-DSBGA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | P채널 | 8V | 5A(타) | 2.5V, 4.5V | 9.9m옴 @ 2A, 4.5V | 250μA에서 950mV | 24.6nC @ 4.5V | -6V | 4V에서 1130pF | - | 1.7W(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD19535KTTT | 4.1200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA | CSD19535 | MOSFET(금속) | DDPAK/TO-263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2(1년) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 200A(타) | 6V, 10V | 3.4m옴 @ 100A, 10V | 250μA에서 3.4V | 98nC @ 10V | ±20V | 50V에서 7930pF | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD13380F3T | 0.9400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | FemtoFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 3-XFDFN | CSD13380 | MOSFET(금속) | 3-피코스타 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | N채널 | 12V | 3.6A(타) | 1.8V, 4.5V | 76m옴 @ 400mA, 4.5V | 1.3V @ 250μA | 1.2nC @ 4.5V | 8V | 6V에서 156pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD16415Q5T | 2.8200 | ![]() | 325 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | CSD16415 | MOSFET(금속) | 8-VSON-클립(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N채널 | 25V | 100A(타) | 4.5V, 10V | 1.15m옴 @ 40A, 10V | 250μA에서 1.9V | 29nC @ 4.5V | +16V, -12V | 12.5V에서 4100pF | - | 3.2W(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UC1610L/883B | 29.4300 | ![]() | 108 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TPIC5403DW | 1.4400 | ![]() | 778 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIL3023 | 0.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH의 영향을 받아들입니다. | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD87331Q3D | 1.3000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerLDFN | CSD87331Q3 | MOSFET(금속) | 6W | 8-LSON(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 N 채널(하프 다리) | 30V | 15A | - | 250μA에서 2.1V, 1.2V | 3.2nC @ 4.5V | 518pF @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| LM3046M | - | ![]() | 5963 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 85°C(타) | 표면 실장 | 14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | LM3046 | 750mW | 14-SOIC | - | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 55 | - | 15V | 50mA | 5 NPN | 40 @ 1mA, 3V | - | 3.25dB @ 1kHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD22202W15 | 0.7300 | ![]() | 53 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | NexFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 9-UFBGA, DSBGA | CSD22202 | MOSFET(금속) | 9-DSBGA | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 8V | 10A(타) | 2.5V, 4.5V | 12.2m옴 @ 2A, 4.5V | 1.1V @ 250μA | 8.4nC @ 4.5V | -6V | 4V에서 1390pF | - | 1.5W(타) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ULN2003AINE4 | 2003년 0.03 | ![]() | 1107 | 0.00000000 | 인버터 인스트루먼트 | ULN200x | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 105°C(타) | 스루홀 | 16-DIP(0.300", 7.62mm) | - | 16-PDIP | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 296-ULN2003AINE4 | 25 | 50V | 500mA | 50μA | - | 1.6V @ 500μA, 350mA | - | - |

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