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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f)
FDP032N08 Texas Instruments FDP032N08 1.0000
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ECAD 9754 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 FDP032 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 1 N채널 75V 120A(Tc) 10V 3.2m옴 @ 75A, 10V 250μA에서 4.5V 220nC @ 10V ±20V 15160pF ​​​​@ 25V - 375W(Tc)
SN910214N-P Texas Instruments SN910214N-P -
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ECAD 7203 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 - 해당 없음 3(168시간) 공급자가 규정하지 않는 경우 0000.00.0000 1
CSD17578Q3A Texas Instruments CSD17578Q3A 0.6900
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ECAD 32 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD17578 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 20A(타) 4.5V, 10V 7.3m옴 @ 10A, 10V 250μA에서 1.9V 22.2nC @ 10V ±20V 1590pF @ 15V - 3.2W(Ta), 37W(Tc)
CSD17578Q3AT Texas Instruments CSD17578Q3AT 1.2700
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ECAD 1 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD17578 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 20A(타) 4.5V, 10V 7.3m옴 @ 10A, 10V 250μA에서 1.9V 22.2nC @ 10V ±20V 1590pF @ 15V - 3.2W(Ta), 37W(Tc)
SN75469NE4 Texas Instruments SN75469NE4 -
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ECAD 5657 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.29.0095 160
UC3610DWTR Texas Instruments UC3610DWTR 3.8235
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ECAD 9559 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) UC3610 쇼트키 16-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 2,000 1.3V @ 1A 40V에서 100μA 3A 단상 50V
CSD19535KTT Texas Instruments CSD19535KTT 3.4200
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ECAD 1192 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA CSD19535 MOSFET(금속) DDPAK/TO-263-3 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 100V 200A(타) 6V, 10V 3.4m옴 @ 100A, 10V 250μA에서 3.4V 98nC @ 10V ±20V 50V에서 7930pF - 300W(Tc)
CSD17571Q2 Texas Instruments CSD17571Q2 0.5000
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ECAD 26 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-WDFN옆패드 CSD17571 MOSFET(금속) 6-SON(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 22A(타) 4.5V, 10V 29m옴 @ 5A, 4.5V 2V @ 250μA 3.1nC @ 4.5V ±20V 15V에서 468pF - 2.5W(타)
CSD17577Q3AT Texas Instruments CSD17577Q3AT 1.3300
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ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD17577 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 30V 35A(타) 4.5V, 10V 4.8m옴 @ 16A, 10V 250μA에서 1.8V 35nC @ 10V ±20V 15V에서 2310pF - 2.8W(Ta), 53W(Tc)
CSD17483F4 Texas Instruments CSD17483F4 0.4500
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ECAD 88 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD17483 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 30V 1.5A(타) 1.8V, 4.5V 240m옴 @ 500mA, 8V 1.1V @ 250μA 1.3nC @ 4.5V 12V 190pF @ 15V - 500mW(타)
UC3610N Texas Instruments UC3610N 8.2400
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ECAD 223 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 튜브 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 스루홀 8-DIP(0.300", 7.62mm) UC3610 쇼트키 8-PDIP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 50 1.3V @ 1A 40V에서 100μA 3A 단상 50V
CSD19532Q5BT Texas Instruments CSD19532Q5BT 2.8200
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ECAD 7281 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD19532 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 100V 100A(타) 6V, 10V 4.9m옴 @ 17A, 10V 250μA에서 3.2V 62nC @ 10V ±20V 50V에서 4810pF - 3.1W(Ta), 195W(Tc)
SN74S1051NS Texas Instruments SN74S1051NS -
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ECAD 3801 0.00000000 인버터 인스트루먼트 74S 튜브 마지막 구매 표면 실장 16-SOIC(0.209", 5.30mm 폭) 74S1051 쇼트키 16-SO - ROHS3 준수 1(무제한) 296-SN74S1051NS EAR99 8541.10.0070 1 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 12쌍 직렬 연결 7V 50mA 1.3V @ 50mA 16ns 7V에서 5μA 0°C ~ 70°C
CSD18504KCS Texas Instruments CSD18504KCS 1.6200
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ECAD 103 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 CSD18504 MOSFET(금속) TO-220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 53A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 7m옴 @ 40A, 10V 2.3V @ 250μA 25nC @ 10V ±20V 20V에서 1800pF - 115W(Tc)
CSD18532NQ5B Texas Instruments CSD18532NQ5B 2.6000
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ECAD 2 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18532 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 22A(Ta), 100A(Tc) 6V, 10V 3.4m옴 @ 25A, 10V 250μA에서 3.4V 64nC @ 10V ±20V 30V에서 5340pF - 3.2W(타)
FJT44KTF Texas Instruments FJT44KTF -
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ECAD 9510 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 2W SOT-223-4 다운로드 0000.00.0000 1 400V 300mA 500nA NPN 750mV @ 5mA, 50mA 50 @ 10mA, 10V -
CSD18510Q5B Texas Instruments CSD18510Q5B 2.3200
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ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD18510 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 300A(Tc) 4.5V, 10V 0.96m옴 @ 32A, 10V 2.3V @ 250μA 153nC @ 10V ±20V 11400pF @ 20V - 156W(Tc)
UC1611J883B Texas Instruments UC1611J883B 26.1200
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ECAD 13 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 EAR99 8541.10.0080 1
CSD17581Q3A Texas Instruments CSD17581Q3A 0.8800
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ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN CSD17581 MOSFET(금속) 8-VSONP(3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 21A(타) 4.5V, 10V 3.8m옴 @ 16A, 10V 250μA에서 1.7V 54nC @ 10V ±20V 15V에서 3640pF - 2.8W(Ta), 63W(Tc)
CSD22204WT Texas Instruments CSD22204WT 1.2100
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ECAD 6 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-UFBGA, DSBGA CSD22204 MOSFET(금속) 9-DSBGA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 P채널 8V 5A(타) 2.5V, 4.5V 9.9m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 950mV 24.6nC @ 4.5V -6V 4V에서 1130pF - 1.7W(타)
CSD19535KTTT Texas Instruments CSD19535KTTT 4.1200
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ECAD 8 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA CSD19535 MOSFET(금속) DDPAK/TO-263-3 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 200A(타) 6V, 10V 3.4m옴 @ 100A, 10V 250μA에서 3.4V 98nC @ 10V ±20V 50V에서 7930pF - 300W(Tc)
CSD13380F3T Texas Instruments CSD13380F3T 0.9400
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ECAD 29 0.00000000 인버터 인스트루먼트 FemtoFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN CSD13380 MOSFET(금속) 3-피코스타 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 250 N채널 12V 3.6A(타) 1.8V, 4.5V 76m옴 @ 400mA, 4.5V 1.3V @ 250μA 1.2nC @ 4.5V 8V 6V에서 156pF - 500mW(타)
CSD16415Q5T Texas Instruments CSD16415Q5T 2.8200
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ECAD 325 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN CSD16415 MOSFET(금속) 8-VSON-클립(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 N채널 25V 100A(타) 4.5V, 10V 1.15m옴 @ 40A, 10V 250μA에서 1.9V 29nC @ 4.5V +16V, -12V 12.5V에서 4100pF - 3.2W(타)
UC1610L/883B Texas Instruments UC1610L/883B 29.4300
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ECAD 108 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0080 1
TPIC5403DW Texas Instruments TPIC5403DW 1.4400
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ECAD 778 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1
TIL3023 Texas Instruments TIL3023 0.3000
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ECAD 3 0.00000000 인버터 인스트루먼트 * 대부분 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.49.8000 1
CSD87331Q3D Texas Instruments CSD87331Q3D 1.3000
보상요청
ECAD 7 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerLDFN CSD87331Q3 MOSFET(금속) 6W 8-LSON(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 N 채널(하프 다리) 30V 15A - 250μA에서 2.1V, 1.2V 3.2nC @ 4.5V 518pF @ 15V -
LM3046M Texas Instruments LM3046M -
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ECAD 5963 0.00000000 인버터 인스트루먼트 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) LM3046 750mW 14-SOIC - RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 55 - 15V 50mA 5 NPN 40 @ 1mA, 3V - 3.25dB @ 1kHz
CSD22202W15 Texas Instruments CSD22202W15 0.7300
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ECAD 53 0.00000000 인버터 인스트루먼트 NexFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-UFBGA, DSBGA CSD22202 MOSFET(금속) 9-DSBGA 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 8V 10A(타) 2.5V, 4.5V 12.2m옴 @ 2A, 4.5V 1.1V @ 250μA 8.4nC @ 4.5V -6V 4V에서 1390pF - 1.5W(타)
ULN2003AINE4 Texas Instruments ULN2003AINE4 2003년 0.03
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ECAD 1107 0.00000000 인버터 인스트루먼트 ULN200x 튜브 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 스루홀 16-DIP(0.300", 7.62mm) - 16-PDIP - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 296-ULN2003AINE4 25 50V 500mA 50μA - 1.6V @ 500μA, 350mA - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고