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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 @ if, f | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | SMAJ5920CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 7671 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SMAJ5920 | 3 w | DO-214AC (SMAJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 4 v | 6.2 v | 2 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N4619UR-1 | 69.6150 | ![]() | 3539 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 400 na @ 1 v | 3 v | 1600 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5377A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 2882 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5377 | 5 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 65.5 v | 91 v | 75 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL6677 | 6.2250 | ![]() | 6380 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 대부분 | 활동적인 | CDLL6677 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3030C-1 | 16.7700 | ![]() | 5729 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | do-204al, do041, 축 방향 | 1N3030 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-1n3030c-1 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 20.6 v | 27 v | 35 옴 | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | UM4302d | - | ![]() | 9847 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 마개 | - | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-UM4302DTR | 귀 99 | 8541.10.0060 | 1 | 15 w | 2.2pf @ 100V, 1MHz | 핀 - 단일 | 200V | 1.5ohm @ 100ma, 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | jantx1n3823cur-1 | 40.6950 | ![]() | 6642 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/115 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1N3823 | 1 W. | do-213ab (Melf, LL41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µa @ 1 v | 3.9 v | 9 옴 | ||||||||||||||||||||||||
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![]() | jantxv1n4615cur-1/tr | 32.2126 | ![]() | 7926 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/435 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | 500MW | DO-213AA | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-jantxv1n4615cur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 2.5 µa @ 1 v | 2 v | 1250 옴 | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | CDLL5251D | 8.4150 | ![]() | 8744 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5251D | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 29 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n6315cus/tr | 54.9900 | ![]() | 8878 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/533 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SQ-Melf, b | 500MW | B, SQ-Mell | - | 150-jantxv1n6315cus/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 a | 2 µa @ 1 v | 4.3 v | 20 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5926B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 4322 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBJ5926 | 2 w | SMBJ (DO-214AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 8.4 v | 11 v | 5.5 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n3335b | - | ![]() | 5380 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/358 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 50 W. | DO-5 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 10 µa @ 47.1 v | 62 v | 7 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5922CP/TR12 | 2.2800 | ![]() | 1839 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5922 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µa @ 6 v | 7.5 v | 3 옴 | ||||||||||||||||||||||||
Jan1n986b-1/tr | 1.6625 | ![]() | 4606 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/117 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-JAN1N986B-1/TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 v @ 200 ma | 500 NA @ 84 v | 110 v | 750 옴 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4558A | 74.3550 | ![]() | 4155 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-204AD | 1N4558 | 50 W. | TO-204AD (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 a | 150 µa @ 500 mV | 4.3 v | 0.16 옴 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VN2410L-G-P014 | 0.9800 | ![]() | 5317 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | VN2410 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 240 v | 190ma (TJ) | 2.5V, 10V | 10ohm @ 500ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 125 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | CD4743A | 1.8354 | ![]() | 6332 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 주사위 | 1 W. | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-CD4743A | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 200 ma | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 10 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고