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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 짐 레귤레이터 레귤레이터 (전류) 전압- 최대 (제한)
1N4465 Microchip Technology 1N4465 7.1600
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4465 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 300 na @ 8 v 10 v 5 옴
1N6625E3 Microchip Technology 1N6625E3 -
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 a, 축 방향 기준 a, 축 방향 - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1100 v 1.95 V @ 1.5 a 80 ns 1 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
1N936A Microchip Technology 1N936A 11.7000
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N936 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 10 µa @ 6 v 9 v 20 옴
JAN1N4125-1 Microchip Technology JAN1N4125-1 4.1400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4125 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 35.8 v 47 v 250 옴
JAN1N4479 Microchip Technology Jan1n4479 6.1500
RFQ
 ECAD 3138 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4479 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 NA @ 31.2 v 39 v 30 옴
JAN1N5283-1 Microchip Technology Jan1n5283-1 31.5150
RFQ
 ECAD 4719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5283 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANS1N4962US Microchip Technology JANS1N4962US 92.9250
RFQ
 ECAD 2509 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 1N4962 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 µa @ 11.4 v 15 v 3.5 옴
JANTX1N4100-1 Microchip Technology JANTX1N4100-1 6.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4100 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 5.7 v 7.5 v 200 옴
JANTX1N4101-1 Microchip Technology jantx1n4101-1 9.2250
RFQ
 ECAD 2386 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4101 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.3 v 8.2 v 200 옴
JANTX1N4102-1 Microchip Technology jantx1n4102-1 -
RFQ
 ECAD 4062 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.7 v 8.7 v 200 옴
JANTX1N4104UR-1 Microchip Technology jantx1n4104ur-1 13.0311
RFQ
 ECAD 6737 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군대 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 1N4104 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 7.6 v 10 v 200 옴
JANTX1N4486 Microchip Technology jantx1n4486 7.6500
RFQ
 ECAD 7608 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4486 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 na @ 60 v 75 v 130 옴
JANTX1N4994US Microchip Technology jantx1n4994us -
RFQ
 ECAD 8453 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Mell, e 5 w D-5B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 251 v 330 v 1175 옴
JANTX1N5521B-1 Microchip Technology jantx1n5521b-1 6.5600
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5521 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 1.5 v 4.3 v 18 옴
JANTX1N5523BUR-1 Microchip Technology jantx1n5523bur-1 25.6955
RFQ
 ECAD 9123 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 1N5523 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 2.5 v 5.1 v 26 옴
JANTX1N5527B-1 Microchip Technology jantx1n5527b-1 7.7400
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/437 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5527 500MW Do-204AH (DO-35 유리) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 6.8 v 7.5 v 35 옴
JANTX1N6324 Microchip Technology jantx1n6324 13.9950
RFQ
 ECAD 8410 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N6324 500MW DO-35 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 1 µa @ 8 v 10 v 6 옴
JANTX1N748AUR-1 Microchip Technology jantx1n748aur-1 4.7100
RFQ
 ECAD 1424 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 1N748 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 2 µa @ 1 v 3.9 v 20 옴
JANTX1N757AUR-1 Microchip Technology jantx1n757aur-1 4.2600
RFQ
 ECAD 1951 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 1N757 500MW DO-213AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 7 v 9.1 v 6 옴
JANTX1N964B-1 Microchip Technology jantx1n964b-1 2.2350
RFQ
 ECAD 4552 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/127 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N964 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 9.9 v 13 v 13 옴
JANTX1N971B-1 Microchip Technology jantx1n971b-1 2.5200
RFQ
 ECAD 9715 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N971 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 21 v 27 v 41 옴
DN2535N3-G Microchip Technology DN2535N3-G 0.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) DN2535 MOSFET (금속 (() TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 350 v 120ma (TJ) 0V 25ohm @ 120ma, 0V - ± 20V 300 pf @ 25 v 고갈 고갈 1W (TC)
TN0620N3-G Microchip Technology TN0620N3-G 1.6300
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0620 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 250MA (TJ) 5V, 10V 6ohm @ 500ma, 10V 1.6V @ 1mA ± 20V 150 pf @ 25 v - 1W (TC)
DN1509N8-G Microchip Technology DN1509N8-G 0.9500
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DN1509N8 MOSFET (금속 (() TO-243AA (SOT-89) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 90 v 360MA (TJ) 0V 6ohm @ 200ma, 0v - ± 20V 150 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.6W (TA)
LND150N8-G Microchip Technology LND150N8-G 0.7900
RFQ
 ECAD 4221 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA LND150 MOSFET (금속 (() SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 30MA (TJ) 0V 1000ohm @ 500µa, 0V - ± 20V 10 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.6W (TA)
TN0104N3-G-P003 Microchip Technology TN0104N3-G-P003 0.9800
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0104 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 450MA (TA) 3V, 10V 1.8ohm @ 1a, 10V 1.6V @ 500µA ± 20V 70 pf @ 20 v - 1W (TC)
VN10KN3-G Microchip Technology vn10kn3-g 0.6000
RFQ
 ECAD 5338 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) vn10kn3 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 310MA (TJ) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA ± 30V 60 pf @ 25 v - 1W (TC)
VN1206L-G Microchip Technology VN1206L-G 2.1600
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) VN1206 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 120 v 230ma (TJ) 2.5V, 10V 6ohm @ 500ma, 10V 2V @ 1mA ± 30V 125 pf @ 25 v - 1W (TC)
JAN1N2806RB Microchip Technology JAN1N2806RB -
RFQ
 ECAD 1563 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/114 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2806 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 50 µa @ 5.4 v 8.2 v 0.4 옴
JANTX1N2824B Microchip Technology jantx1n2824b -
RFQ
 ECAD 3453 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/114 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-204AD 1N2824 50 W. TO-204AD (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 a 10 µa @ 25.1 v 33 v 3.2 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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