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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 최대 전력 전력 (소실) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
1N963B/TR Microchip Technology 1N963B/tr 2.3142
RFQ
ECAD 8240 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n963b/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 9.1 v 12 v 11.5 옴
JANTX1N4954C Microchip Technology jantx1n4954c 18.2850
RFQ
ECAD 3828 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/356 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e, 축 방향 5 w e, 축 방향 - 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n4954c 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 150 µa @ 5.2 v 6.8 v 1 옴
MML4401-GM3 Microchip Technology MML4401-GM3 5.7300
RFQ
ECAD 141 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MML4400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 4-SMD,, 없음 MML4401 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-mml4401-gm3tr 귀 99 8541.10.0060 1 1.5pf @ 0v, 1MHz 핀 -2 독립 75V 2.5ohm @ 100ma, 100MHz
1N3039B-1/TR Microchip Technology 1N3039B-1/tr 7.4214
RFQ
ECAD 5275 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N3039 1 W. DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n3039b-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 47.1 v 62 v 125 옴
JAN1N973D-1/TR Microchip Technology Jan1n973d-1/tr 5.7722
RFQ
ECAD 9842 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N973D-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 25 v 33 v 58 옴
1N5263B/TR Microchip Technology 1N5263B/tr 2.0349
RFQ
ECAD 1942 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5263b/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 43 v 56 v 150 옴
1N827E3/TR Microchip Technology 1N827E3/tr 10.6650
RFQ
ECAD 2702 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-1n827e3/tr 귀 99 8541.10.0050 100 2 µa @ 3 v 6.2 v 15 옴
JAN1N4494CUS/TR Microchip Technology JAN1N4494CUS/TR 26.9100
RFQ
ECAD 1561 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-JAN1N4494CUS/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 250 NA @ 128 v 160 v 1000 옴
JANTX1N972BUR-1/TR Microchip Technology jantx1n972bur-1/tr 5.5328
RFQ
ECAD 7975 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n972bur-1/tr 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 NA @ 23 v 30 v 49 옴
CDLL5544A/TR Microchip Technology CDLL5544A/TR 5.9052
RFQ
ECAD 1678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF 500MW do-213ab - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5544A/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 23 v 28 v 100 옴
JAN1N977C-1/TR Microchip Technology JAN1N977C-1/TR 4.7481
RFQ
ECAD 5700 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/117 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N977C-1/TR 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 500 na @ 36 v 47 v 105 옴
1N821A-1E3 Microchip Technology 1N821A-1E3 3.9600
RFQ
ECAD 2702 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1N821A-1E3 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.2 v 10 옴
JAN1N6310CUS/TR Microchip Technology Jan1n6310cus/tr 39.2850
RFQ
ECAD 8490 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-JAN1N6310CUS/TR 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 60 µa @ 1 v 2.7 v 30 옴
JANTXV1N6316CUS/TR Microchip Technology jantxv1n6316cus/tr 54.9900
RFQ
ECAD 2237 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-jantxv1n6316cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 5 µa @ 1.5 v 4.7 v 17 옴
JANTXV1N4479CUS/TR Microchip Technology jantxv1n4479cus/tr 46.3950
RFQ
ECAD 4953 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-jantxv1n4479cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 50 NA @ 31.2 v 39 v 30 옴
JANTX1N4476CUS/TR Microchip Technology jantx1n4476cus/tr 28.3050
RFQ
ECAD 1655 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/406 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, a 1.5 w D-5A - 150-jantx1n4476cus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 50 na @ 24 v 30 v 20 옴
1N5996UR-1/TR Microchip Technology 1N5996UR-1/TR 3.7400
RFQ
ECAD 3127 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 귀 99 8541.10.0050 264 1.1 v @ 200 ma 6.8 v
1N6014UR-1/TR Microchip Technology 1N6014UR-1/TR 3.7400
RFQ
ECAD 6971 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 귀 99 8541.10.0050 264 1.1 v @ 200 ma 39 v
JANS1N4958CUS/TR Microchip Technology JANS1N4958CUS/TR 462.1650
RFQ
ECAD 8096 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-jans1n4958cus/tr 귀 99 8541.10.0050 50 1.5 v @ 1 a 25 µa @ 7.6 v 10 v 2 옴
JANTX1N6319DUS/TR Microchip Technology jantx1n6319dus/tr 55.7550
RFQ
ECAD 7612 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/533 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 500MW B, SQ-Mell - 150-jantx1n6319dus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 a 5 µa @ 3.5 v 6.2 v 3 옴
MV21010-190 Microchip Technology MV21010-190 -
RFQ
ECAD 3280 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 주사위 - 영향을받지 영향을받지 150-MV21010-190 귀 99 8541.10.0060 1 2.2pf @ 4V, 1MHz 하나의 30 v 4.6 C0/C30 4000 @ 4V, 50MHz
GC4600-173 Microchip Technology GC4600-173 -
RFQ
ECAD 9506 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 마개 - - 영향을받지 영향을받지 150-GC4600-173 귀 99 8541.10.0060 1 0.75pf @ 50V, 1MHz 핀 - 단일 1500V 300mohm @ 500ma, 100mhz
GC4431-00 Microchip Technology GC4431-00 -
RFQ
ECAD 3690 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 주사위 - 영향을받지 영향을받지 150-GC4431-00 귀 99 8541.10.0040 1 50 MA 0.25pf @ 50V, 1MHz 핀 - 단일 300V 1.2OHM @ 100MA, 100MHz
GC4981-12 Microchip Technology GC4981-12 -
RFQ
ECAD 9921 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 쟁반 활동적인 - 2-SMD,, 리드 - - 영향을받지 영향을받지 150-GC4981-12 1 - - - -
GC4711-149 Microchip Technology GC4711-149 -
RFQ
ECAD 9747 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C - - - 영향을받지 영향을받지 150-GC4711-149 귀 99 8541.10.0060 1 3 w 0.15pf @ 6V, 1MHz 핀 - 단일 45V 1.5ohm @ 10ma, 100MHz
GC4713-154-4/TR Microchip Technology GC4713-154-4/TR -
RFQ
ECAD 3768 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 주사위 - 영향을받지 영향을받지 150-GC4713-154-4/tr 귀 99 8541.10.0040 1 5 w 0.5pf @ 6V, 1MHz 핀 - 단일 45V 1ohm @ 10ma, 100mhz
GC15012-154-0 Microchip Technology GC15012-154-0 -
RFQ
ECAD 6196 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 주사위 - 영향을받지 영향을받지 150-GC15012-154-0TR 귀 99 8541.10.0040 1 6.8pf @ 20V, 1MHz 하나의 22 v 13 C0/C20 400 @ 4V, 50MHz
GC4713-30 Microchip Technology GC4713-30 -
RFQ
ECAD 3045 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 마개 - - 영향을받지 영향을받지 150-GC4713-30 귀 99 8541.10.0060 1 5 w 0.5pf @ 6V, 1MHz 핀 - 단일 45V 1ohm @ 10ma, 100mhz
GC4602-110C Microchip Technology GC4602-110C -
RFQ
ECAD 3906 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - - - 영향을받지 영향을받지 150-GC4602-110C 귀 99 8541.10.0060 1 1pf @ 50V, 1MHz 핀 - 단일 2000V 250mohm @ 500ma, 100MHz
GC4711-30 Microchip Technology GC4711-30 -
RFQ
ECAD 1795 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 마개 - - 영향을받지 영향을받지 150-GC4711-30 귀 99 8541.10.0060 1 3 w 0.15pf @ 6V, 1MHz 핀 - 단일 45V 1.5ohm @ 10ma, 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고